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韩秀峰

作品数：7 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇氧沉淀
  • 3篇退火
  • 3篇热退火
  • 3篇硅衬底
  • 3篇掺锑
  • 3篇衬底
  • 3篇RAMPIN...
  • 2篇SOS
  • 1篇异质外延生长
  • 1篇重掺硅
  • 1篇矫顽力
  • 1篇高真空
  • 1篇红外
  • 1篇红外吸收
  • 1篇半导体
  • 1篇SI
  • 1篇SI(100...
  • 1篇硅
  • 1篇AL
  • 1篇CMOS

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇韩秀峰
  • 6篇昝育德
  • 6篇王俊
  • 5篇王建华
  • 4篇林兰英
  • 4篇王启元
  • 4篇邓惠芳
  • 2篇蔡田海
  • 2篇王玉田
  • 2篇王占国
  • 2篇郁元桓
  • 1篇刘忠立
  • 1篇尚雅轩
  • 1篇姬扬
  • 1篇于芳
  • 1篇李瑞云
  • 1篇赵建华
  • 1篇陈希

传媒

  • 4篇Journa...
  • 1篇1998年全...
  • 1篇1998年全...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2004
  • 1篇1999
  • 3篇1998
  • 1篇1997
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片增强氧沉淀
该文报道了一种改进该征吸末技术－低温短热退火工艺。以增强该征吸杂效果。在该征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉（ＣＺ）重掺Ｎ型硅补底片，明显增加了氧...
王启元王俊韩秀峰邓惠芳王建华昝育德
关键词：氧沉淀
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Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片增强氧沉淀
报道了一种改进该征吸末技术－低温短热退火工艺。以增强该征吸杂效果。在该征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉（ＣＺ）重掺Ｎ型硅补底片，明显增加了氧沉淀...
王启元王俊韩秀峰邓惠芳王建华昝育德
关键词：氧沉淀
磁场变化速度对磁性薄膜表观矫顽力的影响
磁滞回线给出了磁性薄膜的重要性质,不同的磁滞回线的形状和面积可以满足不同的需求,比如说,高磁能积(磁滞回线既宽又高)的磁体可以减小器件的尺寸和重量[1,2].
王然陈希尚雅轩姬扬刘厚方韩秀峰聂帅华赵建华
γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长被引量：5
1998年
本文作者在自己组装的立式ＭＯＣＶＤ设备上，成功地应用高真空生长技术，于１０５０℃的高温条件下，在硅上外延生长了γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜．从ＲＨＥＥＤ看到（１００）硅上生长的薄膜是（１００）立方单晶γ－Ａｌ２Ｏ３的衍射图样；平移样品，图样并不发生变化．Ｘ射线双晶衍射看到，除了硅的（４００）峰和（２００）峰以外，只在２θ为４５°处有一个低而宽的小峰．ＸＰＳ谱给出氧的１ｓ峰位为５３２．３ｅＶ，Ａｌ的２ｐ峰位为７５．４ｅＶ，将他们与α－Ａｌ２Ｏ３比较，对应峰位移动了约３．５ｅＶ．俄歇谱说明其铝氧组分比近于γ－Ａｌ２Ｏ３．说明在我们实验室里确实长出单晶γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜，与衬底的结晶关系是（１００）γ－Ａｌ２Ｏ３／／（１００）Ｓｉ，［０１０］γ－Ａｌ２Ｏ３／／［０１０］Ｓｉ．
昝育德王俊韩秀峰王玉田王维民王占国林兰英
关键词：MOCVDSOS
借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温(10K)红外测量被引量：1
1997年
本文首次报道了一种新颖的重掺硅中间隙氧含量测量技术，通过硅片减薄并采用低温红外透射测量，明显降低了重掺硅自由载流子吸收的严重干扰，提高了红外吸收峰信噪比，在1136cm－1附近得到了明显的Si－O键红外吸收峰，从而可以准确地测量重掺硅间隙氧含量．实验结果表明：该测量方法具有很高的测量准确度和更宽泛的电阻率应用范围．对于重掺n型硅，其测量应用范围可扩展至电阻率1×10-2Ω·cm（自由载流子浓度高达4×1018cm－3）．
王启元王俊韩秀峰邓惠芳王建华昝育德蔡田海郁元桓林兰英
关键词：半导体硅红外吸收重掺硅
Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀被引量：2
1999年
本文报道了一种改进本征吸杂技术——低温短时热退火工艺，以增强本征吸杂效果．在本征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉（ＣＺ）重掺Ｎ型硅衬底片，明显增加了氧沉淀等体微缺陷密度，这些高密度氧沉淀物在随后ＩＣ器件热工艺中继续长大，成为稳定的高效本征吸杂中心．从经典的成核沉淀理论，讨论了Ｒａｍｐｉｎｇ热退火重掺硅衬底片增强氧沉淀机理．
王启元王俊韩秀峰邓惠芳王建华昝育德蔡田海郁元桓林兰英
关键词：LSI热退火掺锑
双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件
2004年
报道了利用高真空 MOCVD外延生长 γ氧化铝的技术和利用 SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延 Si/ γ-Al2 O3/ Si单晶薄膜以及用其研制 Si/ γ- Al2 O3/ Si CMOS场效应晶体管、Si/ γ- Al2 O3/ Si
昝育德王俊李瑞云韩秀峰王建华于芳刘忠立王玉田王占国林兰英
关键词：CMOSSOSEEACC
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