韩军
- 作品数：2 被引量：9H指数：2
- 供职机构：济南大学材料科学与工程学院山东省高校无机功能材料重点实验室更多>>
- 发文基金：山东省“泰山学者”建设工程项目教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程更多>>
- 生长条件对脉冲激光沉积制备ZnO:Al薄膜光电性能的影响被引量：6
- 2013年
- 本文研究了脉冲激光沉积(PLD)生长过程中,铝掺量、氧压及衬底温度等实验参数对ZnO:Al(AZO)薄膜生长的影响,并利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射、霍尔效应、光透射光谱等实验手段对其透明导电性能进行了探讨.变温霍尔效应和光透射测量表明,当靶材中铝掺量大于0.5 wt%时,所制备AZO薄膜中铝施主在80 K时已完全电离,因Bernstein-Moss(BM)效应其带隙变大,均为重掺杂简并半导体.进一步系统研究了氧压和衬底温度对AZO薄膜透明导电性能的影响,实验发现当氧压为1 Pa,衬底温度为200℃时,AZO导电性能最好,其霍尔迁移率为28.8 cm2/V·s,薄膜电阻率最小可达2.7×10-4Ω·cm,且在可见光范围内光透过率超过了85%.氧压和温度的增加,都会导致薄膜电阻率变大.
- 韩军张鹏巩海波杨晓朋邱智文自敏曹丙强
- 关键词：脉冲激光沉积法ZNO:AL薄膜透光性导电性
- 高压PLD法生长p型钠掺杂氧化锌纳米线阵列被引量：3
- 2014年
- 采用高压脉冲激光沉积法(HP-PLD)研究了压强、金催化层厚度对钠掺杂氧化锌纳米线(ZnO:Na)生长的影响,并制备了ZnO:Al薄膜/ZnO:Na纳米线阵列同质pn结器件。实验发现,当金膜厚度为4.2 nm,生长压强为3.33×104 Pa,生长温度为875℃时,可在单晶Si衬底上生长c轴取向性良好的ZnO纳米线阵列。X射线衍射和X射线光电子能谱综合分析证实了Na元素成功掺入ZnO纳米线晶格中。在低温(15 K)光致发光谱中,观测到了一系列由Na掺杂ZnO产生引起的受主光谱指纹特征,如中性受主束缚激子峰(3.356 eV,A0X)、导带电子到受主峰(3.312 eV,(e,A0))和施主受主对发光峰(3.233 eV,DAP)等。通过在ZnO:Al薄膜上生长ZnO:Na纳米线阵列形成同质结,测得I-V曲线具有明显的整流特性,证实了ZnO:Na纳米线具有良好的p型导电性能。
- 邱智文杨晓朋韩军曾雪松李新化曹丙强
- 关键词：氧化锌纳米线
