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陈金学

作品数：4 被引量：18H指数：3
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电气工程动力工程及工程热物理理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电池
  • 2篇体硅
  • 2篇晶体硅
  • 2篇铁
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇电池材料
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇少子寿命
  • 1篇太阳电池
  • 1篇太阳电池材料
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇铁杂质
  • 1篇硅太阳能电池
  • 1篇变温

机构

  • 4篇浙江大学

作者

  • 4篇陈金学
  • 3篇杨德仁
  • 2篇席珍强
  • 2篇吴冬冬
  • 1篇朱笑东
  • 1篇余学功
  • 1篇李晓强

传媒

  • 1篇太阳能学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇第十一届中国...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2007
  • 2篇2005
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
变温磷吸杂对多晶硅性能的影响被引量：12
2007年
用微波光电导衰减仪(μ-PCD)研究了不同温度和时间的恒温和变温磷吸杂处理对铸造多晶硅片电学性能的影响。实验发现:变温吸杂明显优于恒温吸杂,特别是对原生高质量多晶硅;其优化的变温磷吸杂工艺为1000℃/0.5h+700℃/1.5h;而在高温恒温吸杂中,多晶硅少子寿命值反而显著下降。实验现象表明:磷吸杂效果主要是与过渡族金属的溶解、扩散和分凝有关。
陈金学席珍强吴冬冬杨德仁
关键词：多晶硅少子寿命
铸造多晶硅中铁的磷吸杂和氢钝化机理被引量：5
2005年
应用微波光电导衰减仪的方法研究了在不同温度情况下引入铁沾污后再分别进行磷吸杂和等离子体增强化学气相沉积钝化处理对铸造多晶硅片电学性能的影响.实验发现:在中、低温(低于900℃以下)情况下被铁沾污后的多晶硅材料经磷吸杂处理后再结合氢钝化可以显著地改善材料的电学性能;而对于高温(1100℃)情况下被铁沾污后的多晶硅材料经磷吸杂处理后其少子寿命降低,使接着进行的氢钝化也没有明显效果.这表明磷吸杂和氢钝化可以有效地改善被铁沾污后的多晶硅的电学性能,但是改善的效果与铁在硅体内的不同存在形态有关.磷吸杂和氢钝化中只对以间隙态或以其他复合体形态存在的铁有明显的吸杂作用,而对于以沉淀形态存在的铁却没有作用;氢钝化在金属杂质被吸杂移走之后才是最有效的.
陈金学席珍强吴冬冬杨德仁
关键词：铁
太阳能用晶体硅中铁杂质及其磷吸杂研究
本文采用不同热处理温度(700～1 000℃)引入不同浓度的铁杂质，观察了引铁温度对p型单晶硅(无位错和有位错)有效寿命的影响，并比较了磷吸杂工艺对铁沾污的单晶硅和多晶硅的吸杂效果。随着引铁温度的升高，晶体硅有效寿命快速...
朱笑东杨德仁余学功李晓强陈金学
关键词：硅太阳能电池铁杂质单晶硅
文献传递
晶体硅太阳电池材料的磷吸杂研究
近年来,利用太阳电池发电受到了人们的日益重视。晶体硅材料是太阳电池的主要材料,其性能的好坏直接影响着电池最终的转换效率。磷吸杂作为提升晶体硅材料性能的主要手段被广泛应用在太阳电池的生产工艺中。本文在对常规磷吸杂的基础上,...
陈金学
关键词：太阳电池晶体硅铁
文献传递
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