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邢旭

作品数:11 被引量:6H指数:2
供职机构:东北师范大学物理系更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程理学电子电信更多>>

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 2篇文化科学

主题

  • 2篇导电
  • 2篇导电材料
  • 2篇速滑
  • 2篇跑道
  • 2篇热缺陷
  • 2篇弯道
  • 2篇弯道半径
  • 2篇温下
  • 2篇静摩擦
  • 2篇静摩擦系数
  • 2篇聚并苯
  • 2篇半导体
  • 2篇P型
  • 1篇单晶
  • 1篇导体
  • 1篇电场
  • 1篇电场力
  • 1篇电特性
  • 1篇电子人
  • 1篇电子运动

机构

  • 11篇东北师范大学
  • 1篇四平师范学院
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 11篇邢旭
  • 4篇刘益春
  • 3篇齐秀英
  • 1篇王荣顺
  • 1篇徐辑彦
  • 1篇王锡绂
  • 1篇谢德民
  • 1篇刘玉学
  • 1篇孔祥贵

传媒

  • 3篇科学通报
  • 2篇冰雪运动
  • 2篇东北师大学报...
  • 1篇物理学报
  • 1篇Chines...
  • 1篇中国科学(A...
  • 1篇大学物理

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 4篇1990
  • 2篇1989
  • 2篇1984
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
对提高短跑道弯道速度理论的探讨
1989年
本文对目前国内外普遍采用的弯道滑行理论的片面性和理论严重脱离实际的问题进行了剖析。针对这些问题,我们对弯道滑行理论进行了新的探讨。本文认为弯道滑行中向心力F的物理本质是冰刀与冰面的静摩擦力,从这一点入手,首先导出了不存在侧蹬冰力A和压冰力B的情况下弯道滑速V和弯道极限滑速V_0的表达式。然后,进一步导出了符合实际情况的存在侧蹬冰力A和压冰力B的情况下,弯道滑速V和弯道极限滑速V_0的表达式。根据这些公式,从理论上探讨了提高短跑道弯道速度的途径。这些理论分析结果,不仅与实践经验完全一致,而且还提出了一些新的具有预见性的看法,可供今后实践中参考。
邢旭
关键词:物理本质极限值静摩擦系数弯道半径
谈短跑道速滑中向心力问题
1984年
我们知道,短跑道速滑的特点是弯道滑行多,而且弯道半径小,因此,提高弯道滑行速度就成为提高短跑道速滑成绩的关键.而提高弯道滑行速度的关键,主要是决定于运动员能否在高速滑行情况下,恰当获取所需的较大向心力,所以,提高短跑道速滑成绩的关键,是向心力问题.从我国1983年举行的两次全国性短跑道速滑赛的情况看。
邢旭
关键词:弯道半径交叉步静摩擦系数
受主型热缺陷补偿的n-Ge常温下的反常伏安特性被引量:1
1991年
近年来,人们在各种半导体材料中不断发现了一些新的反常特性,但由于人们对这些反常特性的机理和产生的规律性看法不一,所以至今这方面的研究仍在进行中. 自n-Ge常温反常Hall效应、反常磁致电阻效应圈和反常电导效应发现以来。
邢旭刘益春齐秀英焦志伟
关键词:热缺陷半导体
a-C:H:N薄膜结构和光学特性的研究被引量:2
1996年
近年来,由于a-C:H薄膜所具有的类金刚石结构特征和广泛的应用前景,因而在固体物理和技术两方面成为研究的热点。人们已经研制了a-C:H薄膜做为有源层的光发射二极管,但这些器件的性能还不能满足实际应用的需要。其原因之一是对a-C:H材料还没有建立一个有效的掺杂过程。因此,目前许多人还在致力于对a-C:H薄膜掺氮的研究。研究结果表明,掺N能够显著地提高光致发光强度。这对提高以a-C:H薄膜为有源层的光电器件质量,改进发光性能是有益的。另一方面,掺氮将引起a-C:H薄膜微结构的改变。本文研究的目的在于探讨薄膜微观结构、发光中心和N原子作用三者之间的关系。因此,本文对掺N与未掺N的a-C:H样品进行了对比研究。通过红外、扫描差热和透射-反射光谱研究了其微观结构的变化。用光致发光光谱研究了氮与发光中心的关系,讨论了氮对a-C:H薄膜微观结构和发光中心的影响。
刘益春刘玉学齐秀英邢旭孔祥贵
关键词:微结构热稳定性类金刚石光学性质
用电子运动定性解释p型半导体中的霍尔效应
1984年
邢旭
关键词:P型半导体电子运动洛仑兹力电场力电子人价键
聚并苯导电材料电学和光学特性的实验研究被引量:3
1990年
本文对聚并苯材料电学、光学特性的初步实验结果表明,聚并苯材料的电导率随裂解温度的升高而增大。在裂解温度(T_p)为600℃的样品中,仅在77K-100K温区内呈现三雏变程跳跃(3D-VRH)导电特征,在100K-150K和150K-400K两个温区内样品电导率和温度的logσ-1/T曲线均表明样品中存在两个不同受主能级(或能带)。Raman光谱的研究表明,随着裂解温度的升高,样品中形成有序石墨结构的芳香稠环增多,π电子导电性增强,电导率增大,同logσ-1/T曲线给出的结果一致。光致发光的实验结果表明,即使样品电导率大于10S·cm^(-1),也未形成窄带隙半导体材料,并得出聚并苯半导体材料的禁带宽具有2.20eV量级。
邢旭刘益春齐秀英王荣顺谢德民
关键词:聚并苯导电材料电特性
高温超导体的研究现状及展望
1989年
1 引言自1986年 J.G.Bodnorz 和 K.A.Muller 研制出35k的高温超导体之后,至今仅短短的一年多时间里,高温超导的研究在全世界掀起了一个高潮,而且取得了空前的累累成果。随着研究工作的深入,高温超导的研究课题日益增多,这些课题目前仍在强烈地吸引着全世界的科学家们。本文之目的,是将高温超导目前的研究现状,按“材料的研制”、“特性的研究”、“结构和机理的研究”、“薄膜和应用研究”等四个方面加以介绍,然后对今后高温超导的研究方向提出某些展望。
邢旭顾恩友王锡绂
关键词:高温超导体
n-Ge常温反常Hall效应机理实验被引量:1
1990年
自常温反常电磁特性发现以来,人们用反型层模型对常温反常Hall效应进行了成功的理论探讨,但至今这种模型还未得到实验的验证。本文将报道我们在这方面的工作。
邢旭
关键词:常温
ESR,Raman和光致发光研究聚并苯导电材料
1992年
近年来,合成了许多含有π键共轭体系的有机导电聚合物,但大部分材料在空气中稳定性差,因而限制了它们在实际中的应用。聚并苯导电材料不仅在空气中具有较好的稳定性和宽的电导率范围,而且可进行N型或P型掺杂,而使导电率提高十几个量级。
刘益春邢旭
关键词:聚并苯导电材料ESR
有机蒽单晶退火热处理效应
1990年
通过循环退火和定温退火两种实验方法,得到了蒽这种单晶在热处理过程中,位错密度的变化规律。
徐辑彦邢旭
关键词:位错密度退火
共2页<12>
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