赵卫平
- 作品数：7 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京工业大学应用数理学院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市属高等学校人才强教计划资助项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 电子束蒸发制备立方氮化硼薄膜的表面分析
- 介绍了用电子束蒸发法制备c-BN薄膜,通过FTIR分析得出制备的薄膜是富硼氮化硼薄膜。选定样品进行退火处理,退火温度为800℃,退火时间为1h,得到薄膜中的立方相在经过退火处理后有所增加。同时对样品XPS研究发现,在没有...
- 汪旭洋邓金祥赵卫平杨冰郭清秀杨萍
- 关键词：电子束蒸发法立方氮化硼薄膜退火处理
- 文献传递
- 立方氮化硼金半接触的特性研究及硅量子点的制备
- 立方氮化硼/(CBN/)是一种超硬宽带隙材料,不仅具有仅次于金刚石的硬度、在高温下有强的抗氧化能力、不易与铁族金属反应,因此可用于切削工具等,而且,能够实现n型或p型掺杂,在电子学和光学器件等方面有着广泛的应用前景。CB...
- 赵卫平
- 关键词：立方氮化硼薄膜磁控溅射退火纳米硅薄膜
- 文献传递
- 立方氮化硼薄膜的掺杂及金属半导体接触研究
- 立方氮化硼(c-BN)是人工合成的Ⅲ-Ⅴ族闪锌矿结构化合物半导体材料,它具有类似于甚至优于金刚石的优良的物理、化学性质而成为人们研究的热点。例如:c-BN的禁带宽度很大(6～6.4eV),可实现n型和p型掺杂(而金刚石的...
- 邓金祥满超崔敏康成龙赵卫平
- 文献传递
- 电子束蒸发制备立方氮化硼薄膜的表面分析
- 介绍了用电子束蒸发法制备c-BN薄膜,通过FTIR分析得出制备的薄膜是富硼氮化硼薄膜。选定样品进行退火处理,退火温度为800℃,退火时间为1h,得到薄膜中的立方相在经过退火处理后有所增加。同时对样品XPS研究发现,在没有...
- 汪旭洋邓金祥赵卫平杨冰郭清秀杨萍
- 关键词：电子束蒸发法FTIRXPS
- 文献传递
- 从硼膜制备立方氮化硼薄膜的方法
- 本发明涉及从硼膜制备立方氮化硼薄膜的方法。属于宽带隙半导体或者超硬材料薄膜制备领域。立方氮化硼薄膜为氮化硼中最难直接制备的材料，始终制约着立方氮化硼薄膜从实验室走向工业化的进程。本发明第一步：将衬底进行清洗之后，在所选的...
- 邓金祥郭清秀杨冰赵卫平
- 文献传递
- 电子束蒸发制备氮化硼薄膜的红外光谱研究
- 2009年
- 用电子束蒸发法制备氮化硼薄膜,分别研究束流大小和蒸发时间长短对薄膜质量的影响,薄膜以红外吸收光谱标识。实验结果表明,束流大小和蒸发时间长短对薄膜质量都有影响,经过900℃氮气保护退火后,都得到了高立方相含量的氮化硼薄膜。
- 邓金祥郭清秀崔敏赵卫平杨冰杨萍
- 关键词：氮化硼薄膜电子束蒸发红外光谱
- 电子束蒸发制备氮化硼薄膜的红外光谱研究
- 立方氮化硼薄膜是一种理想的新型宽带隙(Eg≈6.6eV)半导体薄膜材料。立方氮化硼具有高的电阻率和高的热稳定性,可被掺杂成p型和n型,不仅可能用于制作高频、大功率、高温电子器件,而且还可能用于制作场致电子发射器件(如:图...
- 邓金祥郭清秀赵卫平杨冰杨萍
