董长昆
- 作品数：60 被引量：28H指数：2
- 供职机构：温州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信机械工程更多>>
- 镍合金表面碳纳米管薄膜的吸波性能研究
- 2023年
- 镍合金材料在微波电子器件中被广泛应用,改善其吸波性能对提高器件工作特性具有重要意义。采用化学气相沉积方法并分别结合电泳沉积法和旋涂法在镍合金材料表面制备了一层MWNT/Fe3O4复合吸波薄膜,使其成为一种具有吸波特性的材料。研究表明,MWNT/Fe3O4复合薄膜材料可以提高镍合金的电磁波吸收性能。用旋涂法可以方便地将大量的Fe3O4纳米颗粒添加到碳纳米管网络中。对比吸波特性,用电泳沉积法制备的样品的最小反射损耗值为−0.18 dB,用旋涂法制备的样品的最小反射损耗值为−0.10 dB,这主要归因于电泳沉积法可以更加精细地调控复合薄膜材料中的Fe3O4含量,使材料的阻抗匹配效果达到最佳。
- 朱港董长昆
- 关键词：镍合金吸波性能碳纳米管原位生长
- CVD直接生长技术高效碳纳米管镍氢电池的研究被引量：1
- 2015年
- 采用热化学气相沉积技术(CVD),在泡沫镍表面直接生长多壁碳纳米管(MWNT),以此MWNT-泡沫镍基底为电池集流体,并使用该基底、通过干粉末滚压工艺制备镍氢电池电极,对电池进行了一系列的充放电性能测试。实验结果显示,碳纳米管可以从泡沫镍内部直接长出,经过电极制备后,能够穿插到电极活性物质中间,增加活性物质与基底间结合力。这种电极结构可以有效抑制电池在充放电过程中活性物质的脱落、提高电子传输效率,使电池最大放电比容量提高约17.3%。经过200次循环后,电池容量仅仅下降24.4%。
- 谢非钱维金翟莹李莉董长昆
- 关键词：碳纳米管镍氢电池化学气相沉积电化学性能
- 应用电泳技术制备场发射阴极等碳纳米管器件
- 董长昆
- 含镍金属基底上直接生长碳纳米管场发射阴极的方法
- 本发明公开了一种含镍金属基底上直接生长碳纳米管场发射阴极的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）对含镍金属基底进行化学、超声清洗；（2）对含镍金属基底进行阳极化处理，（3）在含镍金属基底直接进行碳纳米管的化学气相反应生长。...
- 董长昆翟莹王福全
- 文献传递
- 一种法兰拆装辅助工具
- 本实用新型公开了一种法兰拆装辅助工具，包括第一半圆环形卡扣件，第二半圆环形卡扣件和搭扣装置，其特征在于所述第一半圆环形卡扣件和第二半圆环形卡扣件一端活动铰接，另一端采用搭扣装置锁紧，第一半圆环形卡扣件和第二半圆环形卡扣件...
- 董长昆王福全
- 文献传递
- 一种场发射阴极电子源及其应用
- 本发明公开了一种场发射阴极电子源及其应用，包括有场发射阴极和场发射门极，场发射阴极和场发射门极之间设置有场发射电压，场发射门极对应场发射阴极电子源的场发射方向的外端位置设置有环形电极，环形电极对应场发射阴极电子源的场发射...
- 董长昆周彬彬张建黄运米何剑锋
- 碳纳米管非金属掺杂对结构和性能影响的研究被引量：1
- 2014年
- 通过讨论氮、硼、硅、氟等非金属原子掺杂的碳纳米管,对场电子发射特性的影响。介绍了掺杂在场电子发射、能源电池、气体传感器等领域的研究和应用。掺杂可以增加碳纳米管的缺陷,改变其电子结构。掺杂可使碳纳米管转变为n型半导体或是金属性导体,将提高场发射性能。同时,掺杂亦可使碳纳米管向p型半导体转变,这将不利于场发射性能改善。当场发射性能随着掺杂浓度升高而提高时,存在最佳掺杂浓度值,一旦超出,则场发射性能逐渐下降。因此,研究碳纳米管非金属掺杂具有重要的应用价值。
- 邵希吉董长昆李得天成永军李正海
- 关键词：碳纳米管掺杂场发射
- 基于CVD直接生长法的碳纳米管场发射阴极被引量：4
- 2018年
- 碳纳米管(CNT)场发射阴极具有启动快、分辨率高、寿命长、功耗小等优点,在多种真空电子设备与器件上,包括平板显示器、真空测量、微波管、X射线管等得到了应用。本文讨论了碳纳米管阴极的主要制备方法以及存在的问题,介绍了基于化学气相沉积法和阳极化工艺、在含催化金属基底直接制备碳纳米管冷阴极所具有强附着力特点,以及应用在X射线管等强流真空电子器件上的优势。文章介绍了在不锈钢基底直接生长CNT阴极的场发射性能,其开启电场为1.46 V/μm。与常规催化金属镀膜层上生长的CNT阴极相比,大电流发射与稳定性显著提高。金属基底阳极化工艺显著改善碳纳米管结构与场发射性能。直径2 cm的不锈钢基底上生长的CNT具有晶体性好、分布均匀等特点,场发射性能提高。在镍基底上生长的CNT阴极电流密度可以达到500 mA/cm^2以上。
- 周彬彬张建何剑锋董长昆
- 关键词：碳纳米管场发射阳极化化学气相沉积
- 基于气体吸附的碳纳米管场发射低压氢传感技术被引量：2
- 2017年
- 本文主要研究了一种新型基于碳纳米管(CNT)场发射原理和气体吸附的低压氢传感技术。CNT通过化学气相沉积(CVD)直接生长在镍合金基底。部分样品有氢传感性能,即小电流恒压场发射在氢分压下逐步增加,而电流增长速率随着氢压强的增大而加快;另一部分样品则没有传感效应。拉曼测试表明有传感特性的样品晶体性好,D峰/G峰比值R值小于1,而无传感效应的R值大于1。第一性原理模拟研究表明:氢在碳纳米管表面发生解离化学吸附时,使碳纳米管的有效功函数降低,从而使CNT具有氢传感效应;而在晶体性差的CNT表面,氢原子优先吸附在缺陷位,功函数不发生变化。加热测试显示:传感样品温度在500-600℃时脉冲发射电流的变化与氢传感测试时持续场发射下电流变化大致相同,证明场发射焦耳加热是促进氢的解离吸附、进而使电流增长的一个重要因素。
- 董长昆赵洋洋
- 关键词：碳纳米管第一性原理热效应
- 顶端与缺陷结构对碳纳米管金属性影响的第一性研究
- 2020年
- 碳纳米管材料存在各种缺陷结构,这些缺陷对碳纳米管的性能具有显著影响。本文利用第一性原理计算方法,研究不同位置和结构的缺陷对碳纳米管功函数和态密度等性能的影响。计算结果表明,带帽结构的功函数为4.89 eV,带隙为0.7 e V;开口结构的功函数为4.70 eV,带隙极小,接近于0 eV。与带帽结构相比,开口结构的碳纳米管功函数更低且费米能级处的带隙更小。缺陷的位置和结构是影响碳纳米管性能的重要因素。对于尺寸相同位置不同的缺陷,越靠近碳纳米管下端,碳纳米管的功函数越低。同时,缺陷结构影响碳纳米管的导电性。由金属性碳纳米管组成的管束在费米能级处存在一个较小的带隙,而管壁上的缺陷可使带隙消失,碳纳米管表现出更好的导电性。
- 于海鹏董长昆
- 关键词：碳纳米管功函数态密度第一性原理
