萧宜雍
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 单向凝固制备亚共晶成分InSb-NiSd共晶复合材料
- 1989年
- 利用单向凝固技术制备共晶复合材料的工序比制造玻璃纤维或碳纤维增强的复合材料简单。它一般只需要通过单向凝固,而凝固条件符合F.R.Mollard和M.C.Flemings提出的判别式:就可以。 本文用Bridgman垂直单向凝固法对两种亚共晶成分(1.45和1.63wt％Nisb)的InSb-NiSb合金分别在温度梯度G=80℃/cm,并用6种凝固速度(R=0.05,0.08,0.10,0.20,0.50和1.00mm/min)制取了φ11mm×90mm左右的锭棒。 经金相检验锭棒纵截面的组织分布,结果表明从底部0.11至(0.8～0.9)1处,基本上都获得了规则排列的InSb-NiSb共晶组织——共晶复合材料。这说明所用的(G/R)值皆大于或等于(CE-C_0)/D值。 经测定试样在0.51处横截面的NiSb纤维间距(λ)和凝固速度(R)的关系如下: 1.45wt％NiSb合金:λ~2R=2.04×10^(-10)cm3/sec,(G(?)80℃/cm); 1.63wt％NiSb合金:λ~2R=1.56×10^(-10)cm3/sec,(G(?)65℃/cm);含NiSb较少的共晶,其λ2R值较大。亚共晶成分比共晶成分(1.8w/oNiSb)的λ2R=0.76×10^(-10)cm3/sec(G+125+5℃/cm)大。 以上试样在室温,磁感应强度B=1T下的电阻(R_B)与零磁场中的电阻(R_0)的比值 (R_B)/(R_0)=9.2～12.9(1.45wt％NiSb合金); (R_B)/(R_0)=9.6～13.2(1.63wt％NiSb合金);虽然它们比共晶成分(在相同的凝固速度下)
- 萧宜雍沈育
- 关键词：单向凝固复合材料
- 结晶速度对InSb－NiSb共晶复合材料磁致电阻性能R_b／R_o影响的研究被引量：2
- 1995年
- 研究了单向结晶速度Ｖ对ＩｎＳｂ－ＮｉＳｂ共晶磁致电阻性能Ｒ＿ｂ／Ｒ＿ｏ的影响。结果发现不同Ｖ，其Ｒ＿ｂ／Ｒ＿ｏ也不同。并且在Ｖ－Ｒ＿ｂ／Ｒ＿ｏ关系中存在着一个Ｒ＿ｂ／Ｒ＿ｏ最大值。这个最大值可由半导体的物理磁阻效应和几何磁阻效应的综合作用来说明。
- 王元玮萧宜雍
- 关键词：磁敏电阻单向凝固
- 过共晶成份InSb-NiSb复合材料的组织与磁电性能
- 1990年
- 两种过共晶成份2.0与2.5％NiSb—InSb(重量)复合材料,在G=75℃/cm和6种单向凝固速度下皆取得了规则排列的共晶组织。测出它们在离锭棒底25和50mm处纤维间距(λ)和凝固速度(R)之间的关系为(λ—A)~2R=C并求出C值。测出它们的霍耳系数与温度的关系R_H-1/T曲线,发现低温区有类p-型和n-型两类半导体特性。此外还测出了它们在不同磁感强度(B)和不同温度下的电阻值,并求出磁阻比R_ B/R_O和零磁场电阻R_O的温度系数α_B和α_o论文还讨论了影响磁阻比的因素。
- 萧宜雍赵永正
- 关键词：复合材料共晶电阻
