翁渝民
- 作品数：11 被引量：28H指数：3
- 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- GaAs中缺陷的光致发光研究被引量：2
- 1992年
- 用光致发光技术研究了未掺杂半绝缘砷化镓中的深能级缺陷,观察到一系列与其有关的光致发光.其中0.69eV发射带是源自EL2的辐射复合发光,0.77eV带是由导带至As_(Ga)施主能级的跃迁.认为1.447eV和1.32eV荧光带系分别对应于与Ga_(As)的两个电子态(38meV和203meV)有关的辐射复合.
- 翁渝民刘松宗祥福
- 关键词：半绝缘砷化镓光致发光
- 准理想光子计数
- 在弱光测量中,无论是直流法、交流法抑或光子计数法,都可归结为实施下列运算: P=∫W(h)[Ps(h)+Pn(h)]dh(1)这里,P为每单位时间内测量系统所测得的量;Ps(h)为信号单电子脉冲的脉高分布函数;Pn(h)...
- 翁渝民
- 文献传递
- 多孔硅生长的三维Monte Carlo模拟被引量：1
- 2002年
- 采用修正的逾渗模型 ,通过简单的三维MonteCarlo计算 ,模拟了多孔硅中孔形成的动力学过程 .计算结果表明 :长成的孔的形貌主要与衬底的掺杂浓度有关 ;在所有的强发光多孔硅的表面及体内都存在海绵状的多孔结构 ;孔度的最大值并不是在最外表面 ,而是在表面下的某个层区上 ;硅耗尽层的宽度取决于多孔硅的孔度 ,孔度越高 ,宽度越小 ;在高孔度多孔硅中 ,表面的孔度梯度是很大的 ,预期此特征正是决定多孔硅发光成功与失效的关键之一 .
- 宗祥福吴福杨翁渝民
- 关键词：CARLO模拟多孔硅海绵状
- 紫外辐照纳米尺度TiO_2薄膜亲水性转变的机理被引量：16
- 2002年
- 用喇曼散射光谱、扫描隧道显微学 (STM)和接触角等分析方法研究了纳米尺度TiO2 薄膜经 36 5nm波长紫外辐照后的疏水 亲水转变机理 .实验中观察到氧空位和OH基团的喇曼峰 .用STM进行薄膜结构分析 ,观察到TiO2 表面金红石相到锐钛矿相的结构转变 .研究结果表明 ,纳米尺度TiO2
- 宗祥福王峰翁渝民章壮健朱永强姚文华
- 关键词：紫外辐照TIO2薄膜亲水性二氧化钛
- 多孔硅发光——纳米硅量子海绵中的量子约束
- 1993年
- 多孔硅的发光是源自其最表面层,该层是非晶态的。本研究揭示其结构是随机分布在此表面的纳米尺度的硅。多孔硅的微结构好象量子海绵,没有观察到“线”状结构,是一种无序材料。多孔硅的发光极象是由于这种纳米硅原子簇中的量子限制。
- 翁渝民宗祥福张仁俊陈一张武宁范志能
- 关键词：多孔硅纳米硅
- 半绝缘砷化镓中0.77eV荧光带的研究
- 1992年
- 首次观察到与砷反位缺陷As_(Ga)有关的、室温下的0.77 eV光致发光(PL)带.作者发现,电子辐照不能产生EL2,而与As_(Ga).有关的PL带并不具有光猝灭效应.在非平衡态历程中,As_(Ga)与EL2间未发现有能量交换现象:EL2光猝灭时,并不导致As_(Ga).所对应的0.77 eV带强度变化;电子辐照产生As_(Ga),也不以EL2浓度的变化为代价.As_(Ga)缺陷是带边发射的湮灭中心.
- 翁渝民刘松宗祥福
- 关键词：光致发光半绝缘体砷化镓
- 扫描光荧光表征半导体材料特性被引量：1
- 1992年
- 报道了一个自制的采用计算机控制的自动光荧光(PL)扫描系统.该系统可用于形貌半导体晶片或外延层的PL强度分布,尺寸可大到3英寸,样品可以是Si,GaAs,InP等.它可以用来探测材料中的缺陷及浅能级杂质,显示其分布.PL对于杂质识别和缺陷分布的形貌特别灵敏.文中列举和讨论了用本PL扫描系统对Si和GaAs所获得的一些光谱和形貌的信息.实验证明该系统可用作为一个简单、无接触然而却是灵敏的表征手段,可用于评估半导体基片近表面层的均匀性,也适用于器件表征.
- 宗祥福翁渝民刘松秦曦
- 关键词：光荧光半导体
- 高空度多孔硅可见光发射被引量：1
- 1992年
- 用氢氟酸电解腐蚀工艺研制成功一种多孔硅材料,它的光致发光谱可短至蓝绿色,用该材料制成的肖特基二极管的电致发光为黄色.
- 宗祥福翁渝民范志能郑庆平
- 关键词：多孔硅可见光发射
- 砷化镓表面P＿2S＿5／NH＿4OH钝化研究
- 1994年
- 用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、先致发光（ＰＬ）和俄歇电子能量谱（ＡＥＳ）研究Ｐ＿２Ｓ＿５／ＮＨ＿４ＯＨ对ｎ型ＧａＡｓ（１００）晶面的钝化作用．测试结果表明，钝化后在砷化镓（１００）面上的自然氧化物已被除去，表面形成了一层性质稳定的硫原子层．硫原子与砷、镓原子分别有效地成键，阻止了砷化镓表面氧化物的组成，并消除了表面存在的悬挂键，从而大大优化了ＧａＡｓ（１００）面的特性．ＰＬ实验结果支持了上述结论．实验结果表明钝化后ＧａＡｓ表面复合速度下降，表面态密度降低．
- 宗祥福翁渝民刘开锋范志能李川潘忠伟
- 关键词：钝化砷化镓氧化物硫
- 多孔硅的荧光及微结构被引量：3
- 1994年
- 用扫描隧道显微和光致发光方法，观察了发光多孔硅的微结构形貌．发现多孔硅的光致发光主要源自其最表面层；该层是无定型的，但又不同于一般的非晶硅，而像是由大量纳米尺度的硅原子族组成的海绵状微结构；诸硅原子簇随机分布，相互间没有清晰的界面；没有观察到“线”状或“柱”状的结构；多孔硅的微结构有明显的分形特征，其发光很可能是源自此纳米硅材料中的量子尺寸效应．
- 翁渝民宗祥福杨新菊陈虞峰张阿根
- 关键词：荧光显微构造半导体材料多孔硅
