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程波

作品数：6 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电子电信

主题

  • 5篇锑化铟
  • 2篇倒角
  • 2篇研磨工艺
  • 2篇砂轮
  • 2篇自转
  • 2篇磨工
  • 2篇晶片
  • 1篇导电类型
  • 1篇多晶
  • 1篇修正系数
  • 1篇载流子
  • 1篇直拉法
  • 1篇碳膜
  • 1篇提纯
  • 1篇提纯方法
  • 1篇热应力
  • 1篇位错
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇晶向

机构

  • 6篇中国电子科技...

作者

  • 6篇程波
  • 4篇赵超
  • 3篇陈元瑞
  • 2篇程鹏
  • 2篇王森林
  • 2篇王志芳
  • 2篇王燕华

传媒

  • 1篇红外

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2014
  • 1篇2011
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种锑化铟晶片的磨削方法
本发明公开了一种锑化铟晶片的磨削方法，所述方法包括以下步骤：对待加工的锑化铟晶片进行图像预采集识别，获得所述锑化铟晶片的中心位置数据；根据所述锑化铟晶片的中心位置数据，设置磨削参数；使所述锑化铟晶片纵向运动，且纵向运动过...
王志芳王燕华程波陈元瑞程鹏王森林
低掺N型锑化铟InSb晶体掺杂方法
本发明公开了一种低掺N型锑化铟InSb晶体掺杂方法。低掺N型锑化铟InSb晶体掺杂方法，包括：获取高纯度的InSb锭条，并选取InSb锭条中导电类型为N型且载流子浓度低于掺杂后目标晶体要求浓度的部分作为原料；基于掺杂后目...
程波赵超
一种大尺寸<111>晶向低位错密度InSb晶体生长方法
本发明公开了一种大尺寸<111>晶向低位错密度InSb晶体生长方法，本发明通过对大尺寸<111>晶向低位错密度InSb晶体生长方法创新性的设计，使得该方法能够稳定的控制晶体生长过程中的热应力以及I...
赵超董涛程波彭志强贺利军
直拉法制备锑化铟单晶的表面杂质研究被引量：2
2019年
制备高质量锑化铟(InSb)单晶是发展大规模红外焦平面器件以及新型高温红外探测器衬底材料的关键。而在用直拉法生长InSb的过程中,表面杂质的出现会严重影响成品率。利用X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)技术研究了生产中InSb晶体表面杂质膜层的成分,分析了其主要来源及造成的影响,并采取相应工艺措施进行了改进。结果表明,InSb晶体表面杂质膜层的主要成分为In2O3、Sb2O3和Sb2O5三者的混合物以及碳沾污,其厚度不超过40 nm。通过对单晶炉处理和保护气氛的工艺优化,表面杂质大大减少,为获得高质量晶体奠定了基础。
董涛张孟川程波赵超
关键词：直拉法锑化铟
一种锑化铟晶片的磨削方法
本发明公开了一种锑化铟晶片的磨削方法，所述方法包括以下步骤：对待加工的锑化铟晶片进行图像预采集识别，获得所述锑化铟晶片的中心位置数据；根据所述锑化铟晶片的中心位置数据，设置磨削参数；使所述锑化铟晶片纵向运动，且纵向运动过...
王志芳王燕华程波陈元瑞程鹏王森林
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石英舟熏碳方法及锑化铟提纯方法
本发明公开了一种石英舟熏碳方法及锑化铟提纯方法，其中所述石英舟熏碳方法包括以下步骤：向熏碳装置中注入丙酮以使熏碳装置的定性滤纸上浸有丙酮；点燃所述熏碳装置的定性滤纸，以使丙酮燃烧；利用所述丙酮不完全燃烧时产生的碳微粒对石...
程波陈元瑞赵超
文献传递
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