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程士明

作品数：1 被引量：0H指数：0
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合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电子陷阱
  • 1篇光激励
  • 1篇光激励发光
  • 1篇红移
  • 1篇发光
  • 1篇SI
  • 1篇BAFBR:...
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇复旦大学
  • 1篇南开大学
  • 1篇天津理工大学

作者

  • 1篇严晓敏
  • 1篇熊光楠
  • 1篇程士明
  • 1篇郑震
  • 1篇张丽平
  • 1篇余华
  • 1篇马宇平

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 1篇2004
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
X射线存储材料Si^(4+)掺杂BaFBr:Eu^(2+)中电子陷阱的研究(英文)
2004年
在BaFBr:Eu2 + 中掺入Si4+ 合成了一种新的X射线影像板材料 ,其主要光激励发光 (PSL)性能 ,如射线敏感度和长波可激发性都优于低价阳离子掺杂的BaFBr∶Eu2 + 。用喇曼和顺磁共振 (EPR)等手段表征了掺Si4+ 后BaFBr∶Eu2 + 中电子陷阱的结构 ,并根据此结构解释了其激发波长的红移量比其它低价阳离子掺杂都高的原因。
郑震熊光楠余华张丽平马宇平程士明严晓敏
关键词：BAFBR:EU^2+电子陷阱红移光激励发光
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