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王良臣

作品数:96 被引量:155H指数:7
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>

文献类型

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领域

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  • 4篇电气工程
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  • 1篇一般工业技术
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主题

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  • 6篇欧姆接触电极

机构

  • 96篇中国科学院
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作者

  • 96篇王良臣
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  • 31篇刘志强
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传媒

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年份

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  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 3篇2000
  • 2篇1991
  • 1篇1989
  • 3篇1988
96 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
垂直结构GaN基LEDs热压键合应力损伤分析
热压键合是垂直结构LED制备的关键工艺步骤,本文通过TEM、PL、Raman等测试手段,探讨热压键合造成的应力损伤、GaN材料缺陷、LED内量子效率以及反向漏电间的内在联系,研究以键合引起的应力诱导垂直结构GaN基LED...
刘志强王良臣樊晶美郭恩卿王国宏李晋闽
关键词:热压键合半导体二极管反向漏电位错密度
文献传递
梁式引线肖特基混频管几何参数优化设计
1989年
利用CAD技术找出平面结构梁式引线混频管几何图形最佳尺寸,满足在特定条件下管子总电容和总电阴为最小,以提高截止频率改善器件性能.研制出的混频管在35GHz时双边带噪声系数为4.8dB,接近预期结果.
郑东王良臣方浦明
关键词:混频管梁式引线肖特基CAD
半导体量子器件物理讲座 第二讲 高电子迁移率晶体管(HEMT)被引量:6
2001年
文章从异质界面的三角势阱中二维电子气的形成入手 ,计算了二维电子气的量子化能级及其面电子密度 .对HEMT器件材料结构参数的优化。
王良臣
关键词:二维电子气高电子迁移率晶体管势阱材料结构
GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法
一种GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法,包括:在GaN基功率型LED的材料结构上沉积一掩蔽层;腐蚀出叉指状N-GaN电极;去除光刻胶清洗;在GaN基片表面沉积一隔离层;电极剥离;腐蚀掉SiO<Sub>2</...
陈宇王良臣伊晓燕郭金霞
文献传递
一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法
一种氮化镓基小芯片LED阵列结构,包括:一蓝宝石衬底;一N-GaN层制作在蓝宝石衬底上,该N-GaN层上面的一侧形成有一台阶;一有源层制作在N-GaN层上的最上面;一P-GaN层制作在有源层上;一Ru/Ni层制作在P-G...
王立彬伊晓燕刘志强陈宇郭德博王良臣
文献传递
基于HEMT的单片微波集成放大器设计被引量:2
2000年
介绍了S波段单级单片微波集成放大器的设计方法 ,电路核心为高电子迁移率晶体管 (HighElectronMobilityTransistor,HEMT) .针对在该波段高电子迁移率晶体管稳定性较差、噪声性能优秀的特点设计电路拓扑 ,在HEMT的输入端并联一个 2 0 0Ω电阻 ,用HP EESOF公司的Libra 2 .1软件进行了小信号电路仿真与设计 .仿真结果表明设计的放大器是绝对稳定的 ,在 2~ 3GHz频带内增益为1 4.2dB ,纹波小于 0 .4dB ,噪声系数约 2 .7dB ,满足实用要求 .
杨学斌吕善伟苏东林王良臣
关键词:微波晶体管放大器微波集成电路仿真HEMT
高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术
李晋闽王国宏王军喜伊晓燕刘喆梁毅杨富华曾一平王良臣刘志强梁辉妙王晓东杨华赵保红闫建昌
该成果属于电子与通信科学技术学科的半导体技术方向。该成果以实现高性能、高可靠性大功率LEDs为目标,沿着结构-器件-性能-产品应用这一研究主线,建立了完善的技术发明创新体系,有效解决了从基础研究、前沿技术、应用技术到产业...
关键词:
关键词:发光二极管晶体生长
纳米电子器件-高峰值峰谷电流比InP基共振隧穿二极管的实现
2007年
利用分子束外延技术研制出InP基IhAs/In0.53Ga0.47As/AlAs共振隧穿二极管,其中势垒为10个单分子AlAs,势阱由8个单分子层In0.53Ga0.47As阱和4个单分子层InAs子阱组成.室温下峰值电流密度接近3kA/cm2,峰和谷的电流密度比率达到19.
张杨曾一平马龙王保强朱战平王良臣杨富华
关键词:共振隧穿二极管INP基分子束外延
表面处理对p-GaN欧姆接触的影响被引量:5
2007年
分别用稀盐酸、王水以及(NH4)2S溶液处理p-GaN表面,通过测试样品表面O1s的X射线光电子能谱(XPS),比较了这些溶液去除p-GaN表面氧化层的能力;在经不同溶液处理后的样品表面,以相同的条件制作Ni/Au电极,并测试其与p-GaN的比接触电阻,结果表明经稀盐酸处理后的样品表面,由于其氧含量较高,不能与Ni/Au形成良好的欧姆接触,而经王水和(NH4)2S溶液处理后的p-GaN表面,能与Ni/Au形成良好的欧姆接触;最后,通过比较样品表面的Ga/N原子浓度比,探讨了王水处理p-GaN表面能够形成良好欧姆接触的原因.
郭德博梁萌范曼宁师宏伟刘志强王国宏王良臣
关键词:GAN欧姆接触
梁式引线肖特基结混频管几何参数的优化
郑东王良臣方浦明
关键词:混频二极管肖特基势垒二极管梁式引线法
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