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王瑾菲

作品数:33 被引量:100H指数:7
供职机构:陕西科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目陕西科技大学研究生创新基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 24篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 16篇化学工程
  • 5篇电子电信
  • 5篇电气工程
  • 5篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 16篇陶瓷
  • 12篇BATIO
  • 8篇钛酸
  • 8篇无铅
  • 8篇介电
  • 7篇电性能
  • 7篇钛酸钡
  • 7篇BATIO3
  • 5篇介电性
  • 5篇介电性能
  • 4篇居里
  • 4篇PTCR陶瓷
  • 3篇电容
  • 3篇电容器
  • 3篇电阻
  • 3篇介质损耗
  • 3篇居里点
  • 3篇粉体
  • 3篇高居里点
  • 2篇等效串联电阻

机构

  • 33篇陕西科技大学
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 33篇王瑾菲
  • 32篇蒲永平
  • 25篇杨公安
  • 11篇庄永勇
  • 10篇杨文虎
  • 8篇陈小龙
  • 6篇赵新
  • 4篇梁云鹤
  • 4篇韦继锋
  • 3篇毛玉琴
  • 1篇陈寿田
  • 1篇苗鸿雁
  • 1篇樊小蒲
  • 1篇吴海东

传媒

  • 8篇中国陶瓷
  • 8篇人工晶体学报
  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇陶瓷
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇材料导报
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 17篇2009
  • 9篇2008
  • 4篇2007
33 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高居里点(1-x)Ba_(0.998)La_(0.002)TiO_3+xBi_4Ti_3O_(12)系统陶瓷微观结构及温度特性的研究被引量:5
2009年
采用传统陶瓷制备工艺制备(1-x)Ba0.998La0.002TiO3+xBi4Ti3O12(0≤x≤0.01)系统陶瓷。对在还原气氛(氮气)中烧成的陶瓷样品在一定温度下进行再氧化处理。研究了不同Bi4Ti3O12掺杂浓度以及再氧化过程对BaTiO3微观结构、介电性能及居里温度Tc的影响。结果表明:掺杂Bi4Ti3O12后,BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸明显减小;Bi4Ti3O12具有提高陶瓷居里点温度的作用,当x=1.0时,居里温度提高到Tc=150℃。随着BIT加入量的增加,电子与缺位混合补偿,晶格中将产生金属离子缺位,以补偿多余电子,因此随着BIT掺入量的增加,电阻率逐渐增大。
蒲永平王瑾菲赵新杨公安陈小龙吴胜红
关键词:BI4TI3O12居里温度
钛酸钡基Y5P陶瓷介电材料及其制备方法
钛酸钡基Y5P陶瓷介电材料及制备方法,采用钛酸钡粉料与五氧化二铌、微晶玻璃粉料混合为主组成的配方和相应的烧结制度,可以获得晶粒均匀,高温度稳定性(ΔC/C<Sub>25℃</Sub>≤10%),介电常数较高(ε<Sub>...
蒲永平杨公安王瑾菲陈小龙赵新
文献传递
球磨工艺对钛酸钡陶瓷介电性能的影响被引量:4
2009年
研究了固相法合成BaTiO3粉体时,在滚筒磨和搅拌磨中球磨BaCO3和TiO2粉体过程中,浆料的粒度、凝聚程度与球磨时间、筒容积的关系,分析了粉体均匀性对BaTiO3陶瓷介电性能的影响。研究结果表明:TiO2粉体在球磨过程中,粒度大小没有显著变化,导致粉体凝聚的主要原因是BaCO3粉体;应先球磨BaCO3粉体10小时后再加入TiO2粉体继续球磨2小时所得的物料颗粒要比钡钛一起球磨所得的颗粒均匀,合成BaTiO3均匀性好;采用搅拌磨时,制备的BaTiO3陶瓷介电性能优于滚筒磨。
蒲永平赵新王瑾菲陈小龙庄永勇
关键词:球磨工艺均匀性钛酸钡陶瓷介电
电子原材料BaTiO_3粉体的研究进展被引量:3
2009年
针对钛酸钡的结构特点和优良的介电性能,阐述了钛酸钡粉体的不同制造方法,并对其进行了比较。结合钛酸钡在电子工业的应用现状和广泛的应用前景对制备钛酸钡粉体进行了展望,指出:大规模工业化生产出相对廉价的高纯超细的钛酸钡粉体是未来的研究重点和发展趋势。
杨公安蒲永平王瑾菲庄永勇毛玉琴
关键词:BATIO3超细粉体
高浓度Sm2O3掺杂的BIT陶瓷显微结构与电性能研究
以BiTiO(BIT)陶瓷为研究对象,采用固相烧结工艺制备高浓度SmO掺杂的BIT基陶瓷材料。采用XRD、SEM等分析手段对陶瓷材料的物相、显微结构进行表征,并利用电容测量仪、电滞回线测试仪等对陶
庄永勇蒲永平王瑾菲杨公安
文献传递
高浓度Sm_2O_3掺杂的BIT陶瓷微结构与电性能研究被引量:3
2009年
采用固相烧结工艺制备了高浓度Sm2O3掺杂的Bi4Ti3O12(BIT)基陶瓷材料。研究了不同的Sm2O3掺杂浓度和温度对BIT基陶瓷材料的显微结构及电性能的影响。结果表明:当Sm2O3浓度为12.0 mol%时,有Bi0.56Sm1.44Ti2O7第二相出现,BIT陶瓷室温介电常数为114,室温介质损耗(tanδ)为0.002;当Sm2O3浓度为6.0mol%时,陶瓷材料的室温介电常数为119,室温介质损耗(tanδ)为0.0027。
庄永勇蒲永平王瑾菲王瑾菲
关键词:高浓度微观结构电性能
BaTiO3-Na0.5Bi0.5TiO3无铅PTCR陶瓷研究
以BaTiO3-Na0.5Bi0.5TiO3(BT-NBT)陶瓷系统为研究对象,采用固相法制备了(1-x)BT+xNBT(0.01&lt;x&lt;0.06)系统陶瓷。通过DSC、XRD、SEM等分析手段研究了NBT的加...
韦继锋蒲永平王瑾菲杨公安
关键词:PTCR陶瓷固相反应显微结构
Sm掺杂Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷晶体结构及电性能的研究被引量:7
2009年
采用固相反应工艺制备了Sm3+掺杂层状结构无铅Bi4-xSmxTi3O12(x=0.00,0.25,0.50,0.75,1.00,1.25)介电陶瓷。利用XRD、SEM等测试方法研究了Sm掺杂量、烧结温度和保温时间对Bi4-xSmxTi3O12(BST)陶瓷晶体结构及电性能的影响。结果表明:所制备的Bi4-xSmxTi3O12陶瓷均具有单一正交相结构,BST陶瓷表面晶粒的显微形貌表现为随机排列的棒状结构。样品的铁电性能测试表明,Sm3+施主掺杂明显降低了BIT的电导率,随着Sm3+含量的增加,Sm3+逐渐有部分取代B位,由于Sm3+取代Ti4+大大降低了氧空位的浓度,使得氧空位对电畴的钉扎作用减弱,并且材料的剩余极化Pr也相应提高。
王瑾菲蒲永平杨公安庄永勇杨文虎毛玉琴
关键词:固相反应BI4TI3O12介电性能晶体结构
铝基板绝缘层添加剂的制备方法
铝基板绝缘层添加剂的制备方法,首先将SiO<Sub>2</Sub>、TiO<Sub>2</Sub>、K<Sub>2</Sub>O、Na<Sub>2</Sub>O、Li<Sub>2</Sub>O、B<Sub>2</Sub>...
蒲永平杨公安王瑾菲
文献传递
高介高稳定性BaTiO_3基铁电陶瓷研究进展被引量:9
2008年
针对BaTiO3基铁电陶瓷材料的特点,介绍了提高其介电常数和温度稳定性的途径,综述了高介高稳定性BaTiO3基铁电陶瓷材料的研究现状。指出随着电子整机向着微型化的方向发展,介电瓷粉材料也向着高介电常数、高稳定性的方向发展,并提出了解决此问题的思路。
蒲永平杨公安王瑾菲庄永勇
关键词:无机非金属材料BATIO3稳定性介电常数
共4页<1234>
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