- 硅粉在冷等离子体中的刻蚀纯化
- 2007年
- 介绍了一种用直流辉光放电产生的冷等离子体对硅粉刻蚀纯化的方法。实验是在氩气氛中进行，结果表明硅粉纯度可由97．66％提高到98．47％。处理后的硅粉还可进行熔化-固化-粉碎再处理，因此是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法。文中还应用反应室鞘层厚度、硅粉沉降平均速度、考虑高能粒子刻蚀作用的刻蚀速率方程等进行理论分析，结果显示，在一定的工艺参数下，刻蚀提纯是有效的。这也为粉体表面刻蚀研究提供了新的思路。
- 王家鑫尹盛王飞王敬义
- 关键词：直流冷等离子体
- 直流氩等离子体硅粉纯化工艺的研究被引量：1
- 2007年
- 针对立式反应室、直流氩等离子体情况,建立硅粉的运动学模型,绘出粉粒沉降时间与粉粒粒度和进气速率的关系曲线,并通过该模型选择进气速率为4～10L/s,粉粒的粒度范围为70～100μm。为了提高粉粒沉降过程中纯化效果,建立并分析鞘层模型中与鞘层厚度、鞘层区离子浓度以及鞘层离子平均动能有关的工艺参数的变化关系并提出一套优化选择放电参数的方法。通过该方法优化工艺参数为反应室总压力为4～6Pa,阴极电压为2000V或是更高,鞘层厚度为1.2～2cm。提纯实验结果表明,硅粉的纯度可由99.6%提高到99.95%。
- 王飞尹盛王家鑫陈亮亮
- 关键词：工艺参数鞘层
- 硅粉表面刻蚀装置
- 硅粉表面刻蚀装置，属于等离子体应用，目的在于缩短反应时间，减化结构，提高砖粉纯化效率。本发明反应室上连接投料罐、出料罐和刻蚀气体输送系统，反应室内平行装有板式阳极和阴极，阴极与水冷装置连接，水冷装置通过密封波纹管与反应室...
- 尹盛李战春王敬义王飞王家鑫
- 文献传递
- 硅粉在带振动阴极反应室中的刻蚀
- 2007年
- 文中提供了带倾斜角振动171极的等离子体反应室及他用于刻蚀硅粉的实验结果。振动171极上硅粉的运动分析表明其在反应区滞留的时间可达数分钟之久，这就使低纯硅粉的纯化处理可一次完成。刻蚀速率模型几个关键公式的计算结果表明中性高能粒子的刻蚀效果不可忽视。理论分析与实验数据大致吻合，这证明新的反应室用于粉粒表面刻蚀和纯化都大大优于立式反应室。
- 王敬义尹盛赵亮赵伯芳王飞王家鑫
- 冷等离子体刻蚀硅的纯化效应研究
- 目前,硅材料的高成本使太阳电池的广泛应用受到了极大的限制。大量研究表明,使用纯度为4N～6N的太阳级硅制备太阳电池,效率可以达到单晶电池的80/%,但是成本只有其四分之一。因此,研究太阳级硅的制备技术具有重要意义。
...
- 王家鑫
- 关键词：冷等离子体硅粉直流辉光放电鞘层
- 文献传递
- 硅粉表面刻蚀装置
- 硅粉表面刻蚀装置，属于等离子体应用，目的在于缩短反应时间，减化结构，提高硅粉纯化效率。本发明反应室上连接投料罐、出料罐和刻蚀气体输送系统，反应室内平行装有板式阳极和阴极，阴极与水冷装置连接，水冷装置通过密封波纹管与反应室...
- 尹盛李战春王敬义王飞王家鑫
- 文献传递
