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王乐天

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:扬州大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:江苏省教育厅自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇压电
  • 1篇压电薄膜
  • 1篇铁电
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇脉冲激光沉积...
  • 1篇高温

机构

  • 1篇扬州大学

作者

  • 1篇唐佳伟
  • 1篇王乐天
  • 1篇陈小兵
  • 1篇王伟

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2013
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
脉冲激光沉积法制备高温压电薄膜0.20 BiInO3-0.80PbTiO3
2013年
采用脉冲激光沉积法制备了0.20BiInO3-0.80PbTiO3(20BI-PT)高温压电薄膜,并与0.15BiInO3-0.85PbTiO3(15BI-PT)样品进行了比较研究. X射线衍射谱显示,20BI-PT样品100峰出现了明显的劈裂,显示样品具有更高的四方对称性. FESEM图显示,20BI-PT样品中出现了部分111取向的三角形晶粒. 20BI-PT样品的铁电剩余极化(Pr)为~28 μC/cm2,矫顽场(Ec)为~120 kV/cm,相较15BI-PT样品,Pr略有增加,但同时Ec也有增加. 20BI-PT样品的横向压电系数(e31,f)约为–4.7±0.6 C/m2,和15BI-PT相比几乎一样. 介电温度谱显示,20BI-PT 样品的居里温度比15BI-PT增加了约30 ℃,达590 ℃,且介电峰没有明显的频率依赖性. Rayleigh分析显示,20BI-PT样品中内在本征因素及可翻转畴对介电非线性的贡献和15BI-PT基本相同,但是外在因素的贡献没有15BI-PT的贡献大,这可能和20BI-PT样品中晶粒111相对取向率较高有关.
王伟唐佳伟王乐天陈小兵
关键词:脉冲激光沉积铁电压电
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