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柳姗姗
作品数:
9
被引量:2
H指数:1
供职机构:
哈尔滨工业大学
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相关领域:
自动化与计算机技术
电子电信
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合作作者
肖立伊
哈尔滨工业大学
曹雪兵
哈尔滨工业大学
齐春华
哈尔滨工业大学
王天琦
哈尔滨工业大学
李杰
哈尔滨工业大学
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一种保护32位存储器数据的低冗余正交拉丁码扩展方法
一种保护32位存储器数据的低冗余正交拉丁码扩展方法,本发明涉及低冗余正交拉丁码扩展方法。本发明是要解决现有存储器容错技术需要耗费较多的冗余位及较大的硬件开销,严重影响存储器性能的问题,而提出的一种保护32位存储器数据的低...
肖立伊
柳姗姗
李杰
齐春华
曹雪兵
张荣生
李林哲
文献传递
负偏压温度不稳定性影响下存储器抗多位翻转可靠性评估模型的设计方法
负偏压温度不稳定性影响下存储器抗多位翻转可靠性评估模型的设计方法,涉及抗辐射加固电路领域,具体涉及一种存储器在多位翻转效应下可靠性评估模型的设计方法。为了解决现有的存储器抗多位翻转可靠性评估模型设计方法设计出的模型评估准...
肖立伊
柳姗姗
曹雪兵
王天琦
叶蓉
文献传递
负偏压温度不稳定性影响下存储器抗多位翻转可靠性评估模型的设计方法
负偏压温度不稳定性影响下存储器抗多位翻转可靠性评估模型的设计方法,涉及抗辐射加固电路领域,具体涉及一种存储器在多位翻转效应下可靠性评估模型的设计方法。为了解决现有的存储器抗多位翻转可靠性评估模型设计方法设计出的模型评估准...
肖立伊
柳姗姗
曹雪兵
王天琦
叶蓉
轻掺杂型衬底混合信号集成电路中衬底耦合噪声的建模
随着片上集成系统SoC(System on Chip)的应用越来越广泛,衬底耦合噪声问题已经成为混和信号集成电路设计中一个巨大的挑战。同一芯片上敏感的模拟/射频电路被大量的数字电路包围,数字电路通过多种方式向衬底注入的寄...
柳姗姗
关键词:
衬底耦合噪声
集成电路
基于错误纠正码的抗单粒子翻转存储器加固设计研究
宇宙空间和地面辐射环境中存在着大量的高能辐射粒子,应用其中的电子器件若被辐射粒子轰击可能会发生辐射效应。对于广泛应用的存储器来说,单个辐射粒子入射电路中的敏感单元,将会引起该单元的逻辑值发生翻转,发生单粒子翻转现象,产生...
柳姗姗
关键词:
存储器
可靠性
一种保护32位存储器数据的低冗余正交拉丁码扩展方法
一种保护32位存储器数据的低冗余正交拉丁码扩展方法,本发明涉及低冗余正交拉丁码扩展方法。本发明是要解决现有存储器容错技术需要耗费较多的冗余位及较大的硬件开销,严重影响存储器性能的问题,而提出的一种保护32位存储器数据的低...
肖立伊
柳姗姗
李杰
齐春华
曹雪兵
张荣生
李林哲
存储器抗多位翻转分块矩阵码加固方法
存储器抗多位翻转分块矩阵码加固方法,涉及抗辐射加固电路领域。解决了目前错误纠正码存在纠错能力低、可靠性差、硬件性能开销大、成本高的问题。本发明是将要保护的数据在逻辑上进行模块划分及矩阵布局,通过相应的编码模块和译码模块,...
肖立伊
柳姗姗
李杰
郭靖
文献传递
抗多节点翻转的存储单元
抗多节点翻转的存储单元,涉及集成电路技术领域。为了解决现有存储单元在辐射环境下不具备抵抗单粒子多节点翻转的能力,从而引起存储单元的存储状态改变的问题。该存储单元包括一号PMOS晶体管、二号PMOS晶体管、三号PMOS晶体...
肖立伊
齐春华
李安龙
王天琦
柳姗姗
文献传递
抗多节点翻转的存储单元
抗多节点翻转的存储单元,涉及集成电路技术领域。为了解决现有存储单元在辐射环境下不具备抵抗单粒子多节点翻转的能力,从而引起存储单元的存储状态改变的问题。该存储单元包括一号PMOS晶体管、二号PMOS晶体管、三号PMOS晶体...
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