杨洁
- 作品数：77 被引量：108H指数：6
- 供职机构：中国人民解放军军械工程学院静电与电磁防护研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技重点实验室基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学兵器科学与技术电气工程更多>>
- 微电子器件方波EMP注入敏感端对的实验研究被引量：3
- 2004年
- 采用方波注入法,对国外某知名公司生产的两个批次的晶体管进行了实验,比较了从CB结反向注入与从EB结反向注入的损伤电压值,发现该类器件的EMP敏感端对与人们一般研究的结论有所不同.
- 杨洁刘尚合原青云武占成
- 关键词：微电子器件
- 分布式自动补偿表面静电电位的电位测试系统
- 本发明公开了一种分布式自动补偿表面静电电位的电位测试系统，涉及电变量的测量装置技术领域。包括通过阵列式平行板电容对被测带电体表面的电位进行采集并且采集后通过阵列式平行板电容对被测带电体表面的电位进行自动补偿的电位测试补偿...
- 曹鹤飞武占成孙永卫杨洁刘存礼原青云
- 文献传递
- 小电流晶闸管静电放电损伤特性研究被引量：1
- 2016年
- 为了研究小电流晶闸管(SCR)在机械模型静电放电(MM ESD)作用下的损伤特性和失效模式,选取ON Semiconductor公司生产的2N5061型小电流晶闸管作为研究对象,开展了机械模型静电放电注入试验,并对试验结果进行了理论分析。研究结果表明:从K+G-端对注入MM ESD时最易导致小电流晶闸管损伤,这是由于在晶闸管内部形成的3个pn结中,J3结结深最浅,并且pn结处于反偏状态时更易发生击穿以及热损伤;机械模型静电放电注入后损伤的小电流晶闸管失效模式为门极失去控制作用。该研究结果对于提高电子器件抗静电能力具有一定的工程指导意义。
- 简勋张希军杨洁
- 关键词：失效模式
- 静电放电对双极型硅器件造成潜在性失效的研究
- 了静电放电(ESD)对双极型硅器件造成的潜在性失效．发现利用直流放大倍数hFE及反向漏电流ICEO可以检测双极型硅器件是否受到ESD潜在性损伤．实验研究表明，ESD对双极型硅器件可造成事件相关和时间相关的潜在性失效;对于...
- 武占成胡有志杨洁祁树锋
- 关键词：静电放电
- 一种分数阶微分非线性系统随机数字信号发生器
- 本实用新型公开了一种分数阶微分非线性系统随机数字信号发生器，包括第一级电路、第二级电路、第三级电路和电压比较器电路，第一级电路、第二级电路和第三级电路中每一级包括依次连接的加法器、分数阶单元电路和放大电路；分数阶单元电路...
- 曹鹤飞孙永卫武占成原青云杨洁
- 文献传递
- 双极晶体管CB反偏结ESD失效的检查及分析被引量：1
- 2011年
- 前期研究发现,部分高频小功率硅双极晶体管对静电放电最敏感的端对不再是人们通常认为的EB反偏结,而是CB反偏结。针对这一现象,采用多种技术,对从CB反偏结注入静电放电造成失效的器件的内部损伤点进行了详细的剖析,讨论了此类高频硅双极晶体管出现明显失效时的静电放电(ESD)失效机理,为新时期器件抗静电性能的提高奠定了新的基础。
- 杨洁胡有志武占成
- 关键词：静电放电双极晶体管CB
- 硅基微波低噪声晶体管2SC3356的ESD潜在性损伤特性研究
- 对硅基微波低噪声晶体管2SC3356进行 CB 结反偏注入,研究了其 ESD 潜在性失效规律。在实验中通过监测器件的放大倍数 h来表征器件的潜在损伤程度。结果表明在低于损伤阈值的 ESD 作用下,确实可造成晶体管的潜在损...
- 巨楷如杨洁祁树锋刘尚合
- 关键词：静电放电双极性晶体管
- 文献传递
- 弹药引信互扰测试系统
- 本实用新型公开了一种弹药引信互扰测试系统，涉及弹药的测试装置技术领域。所述测试系统包括控制台、两个控制分系统、两根导轨以及高度调节支柱，导轨的一端与高度调节支柱活动连接，导轨的另一端与一个控制分系统中的支架活动连接，所述...
- 曹鹤飞孙永卫李治国杨洁原青云张希军熊久良刘浩蒙志成
- 文献传递
- 一种低气压放电管装置
- 本实用新型公开了一种低气压放电管装置，包括放电观察管和电极导入管，所述放电观察管一端密封，另一端设有开口，所述电极导入管一端密封，另一端为与放电观察管开口端相适配的锥形插头，所述放电观察管开口端与所述电极导入管锥形插头端...
- 曹鹤飞孙永卫苏银涛杨洁原青云刘浩蒙志成熊久良
- 文献传递
- 静电放电次数与半导体器件潜在性失效的关系被引量：2
- 2007年
- 为研究硅双极晶体管中由ESD注入引起的潜在性失效与放电次数间的关系,对微波低噪声小功率硅双极器件进行了同一电压不同次数的人体模型ESD注入实验.注入电压为1.50 kV.注入管脚为器件对ESD最敏感的端对.器件分组注入不同次数的ESD后,将注入和未注入过ESD的器件同时进行加速寿命实验.通过比较各组器件损伤率的大小来反映器件使用寿命的变化.经统计分析与计算发现:开始时,随放电次数的增加,器件出现潜在性失效的概率增大,当概率达到一定极限值后,又会随放电次数的增大而减小,说明ESD的注入不仅可能在部分硅器件内部造成潜在性失效,也可能提高另外一部分器件的可靠性.
- 杨洁刘尚合刘红兵祁树锋
- 关键词：硅双极晶体管静电放电
