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曾小鹏

作品数:4 被引量:3H指数:1
供职机构:北京科技大学化学与生物工程学院更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 2篇碳化硅
  • 2篇6H-SIC
  • 1篇导电性
  • 1篇电性能
  • 1篇熔盐
  • 1篇射线衍射
  • 1篇退火
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇聚苯
  • 1篇聚苯乙烯
  • 1篇聚苯乙烯磺酸...
  • 1篇聚甲基丙烯酸
  • 1篇聚甲基丙烯酸...
  • 1篇化学反应
  • 1篇甲基
  • 1篇甲基丙烯

机构

  • 4篇北京科技大学

作者

  • 4篇袁文霞
  • 4篇曾小鹏
  • 2篇郭中楠
  • 1篇张桢
  • 1篇吉丽霞
  • 1篇张静宜
  • 1篇张丽珍

传媒

  • 1篇工程塑料应用
  • 1篇中国科技信息

年份

  • 2篇2014
  • 2篇2009
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
6H-SiC单晶衬底上的超薄Pt膜
采用磁控溅射技术在6H-SiC单晶衬底上厚度为2nm的Pt膜,真空条件下样品经高温退火。采用拉曼、AFM、SEM进行对界面进行表征,结果发现退火过程会使得界面发生化学反应,生成Pt的硅化物和单质碳,样品表面呈现岛状生长形...
曾小鹏杨静静张桢郭中楠袁文霞
关键词:碳化硅退火RAMAN
PSS含量对石墨烯/PEDOT:PSS复合物导电性的影响被引量:3
2014年
石墨烯由于具有高导电性、高透光率和优良热稳定性等性质,有望成为透明聚合物电极材料的优良填料。本文通过原位复合方法制备了还原氧化石墨烯/聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸钠(RGO/PEDOT:PSS)复合材料,研究了PSS不同含量对复合物导电性的影响。通过X射线衍射、红外光谱、X射线光电子能谱、扫描电镜等手段对复合物进行了表征。研究表明,适当的PSS加入对复合物导电性有促进作用。当原料质量比EDOT:PSS=1:0.5时,复合物(10 wt.%RGO)导电率达到6817 S/m,是没有PSS加入下复合物电导率的2.4倍。此含量下制备的产物颗粒平均粒径5微米,并且RGO可以较好地分散在聚合物中,呈现更高的导电性。
曾小鹏袁文霞
关键词:石墨烯聚苯乙烯磺酸钠复合物导电性
6H-SiC与熔盐的化学反应
采用KF-KCl熔盐及NaF-NaCl熔盐为反应物,研究6H-SiC单晶片与熔盐的反应。分别控制不同反应时间和不同反应温度进行反应,采用X射线衍射(XRD)对样品产物进行测定。结果表明,样品中均发现有碳单质生成,通过延长...
吉丽霞张静宜曾小鹏张桢郭中楠袁文霞
关键词:石墨烯碳化硅熔盐X射线衍射
RGO的制备及其对PMMA/RGO复合材料介电性能的影响
2014年
以氧化还原法为基础制备了两种非改性的还原氧化石墨烯(RGO):水合肼还原制备的RGO(RGO–N)和水合肼还原后真空退火制备的RGO(RGO–V),之后以这两种RGO和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为原料通过简单溶液复合法制备了PMMA/RGO复合材料。通过透射电子显微镜、原子力显微镜和X射线光电子能谱对两种RGO的形貌和结构进行了表征。结果表明,这两种RGO都为单层或少数几层的片状结构,其中RGO–V的导电性高于RGO–N,且其厚度低于RGO–N。通过扫描电子显微镜对PMMA/RGO复合材料的断面形貌进行了表征,发现RGO能均匀地分散在PMMA中并且与PMMA有明显的界面相互作用。进一步研究了不同RGO含量下制备的PMMA/RGO复合材料介电性能的变化。结果表明,两种RGO均能提高复合材料的介电常数;且随着RGO含量的增加,复合材料的介电常数明显增大,而介电损耗变化不大。在室温及1 000 Hz下,当RGO–V体积分数为2.75%时,PMMA/RGO–V复合材料的介电常数为20.5,是纯PMMA的的5倍,是相同RGO含量下PMMA/RGO–N复合材料的2.5倍,而介电损耗仅为0.80。
曾小鹏张丽珍袁文霞
关键词:石墨烯聚甲基丙烯酸甲酯复合材料介电性能
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