- 一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法
- 一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法，涉及LED器件。1）在GaN基LED外延片表面蒸镀透明导电层；2）在步骤1）生长的透明导电层上生长一层掩膜层；3）在步骤2）生长的掩膜层上涂上压印胶，利用硬模板直接纳米压印，脱模...
- 刘宝林陈志远朱丽虹曾凡明林飞
- 文献传递
- Ⅲ族氮化物材料弱极性晶面量子阱的生长及其光电特性的研究
- Ⅲ族氮化物半导体材料具有许多优良的性质，其纤锌矿结构晶体具有宽禁带，直接带隙，化学特性稳定，耐高温，质地坚硬等特点。近十几年对其的研究取得了瞩目的成果，商业价值巨大。具体应用包括显示，照明，存储，探测器，通讯，农作物生长...
- 曾凡明
- 关键词：半导体材料量子阱结构晶体生长光电特性
- 一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法
- 一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法，涉及LED器件。1）在GaN基LED外延片表面蒸镀透明导电层；2）在步骤1）生长的透明导电层上生长一层掩膜层；3）在步骤2）生长的掩膜层上涂上压印胶，利用硬模板直接纳米压印，脱模...
- 刘宝林陈志远朱丽虹曾凡明林飞
- 文献传递
- 纳米压印技术制备表面二维光子晶体发光二极管
- 2014年
- 研究利用纳米压印技术在氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)表面制备二维光子晶体结构对器件出光的影响.利用聚合物(IPS)软模板二次压印技术,在样品表面形成较为完整的掩膜,通过感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺分别在p-GaN层与ITO层成功制备了较大面积的光子晶体结构,结构周期为465nm,孔状结构直径为245nm.制成芯片后对样品进行测试,结果表明在LED表面制备二维光子晶体结构会导致LED芯片光谱峰值位置发生偏移,同时在p-GaN层制备二维光子晶体结构能够将LED芯片的发光强度提高39%,而在ITO层所制备的光子晶体结构并未对器件的性能有显著的改善.
- 陈志远刘宝林朱丽虹樊海涛曾凡明林飞
- 关键词：纳米压印光子晶体氮化镓发光二极管
- 一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管
- 一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管，涉及一种半导体发光管。从下至上依次设有衬底层、缓冲层、N型层、有源区、P型层、P金属电极和N金属电极；所述P金属电极连接P型层，N金属电极连接N型层，所述有源区被夹在P型层与N型层...
- 刘宝林曾凡明刘威
- 文献传递
- 侧壁粗化提高GaN基发光二极管出光效率的研究被引量：1
- 2015年
- 采用工艺成熟且成本低廉的芯片技术实现侧壁粗化以提高GaN基发光二极管(LED)的出光效率是备受关注的研究课题.通过普通光刻技术和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术在器件内部引入侧壁粗化结构,有效提高了LED芯片的出光效率.由于侧壁几何微元结构的改变,光线到达该界面位置处的全反射作用得到抑制而使芯片的出光总量增加.结果表明,注入电流为350 mA时,具有三角状侧壁粗化结构的LED芯片比传统LED芯片的输出光功率增加20.6%,出光效率提升20.5%,并且侧壁粗化后不会影响LED芯片的电学性能和发光稳定性.光强空间分布特性显示,发光强度的增加主要位于-35°^-20°和+20°^+35°的斜角范围内.
- 李晓莹朱丽虹邓彪张玲刘维翠曾凡明刘宝林
- 关键词：GAN发光二极管出光效率
- 低压下激光剥离的研究被引量：1
- 2014年
- 为了研究低压环境对激光剥离的影响,利用准分子激光剥离系统和真空腔对GaN/蓝宝石样品分别在低压下和常压下进行多脉冲激光照射,之后用台阶仪测量样品的分解深度,得知相比常压环境,低压下GaN分解深度在脉冲次数为10次、20次、30次时分别增加了为10.2%,19.0%,24.3%,之后结合GaN材料分解过程和脉冲激光照射GaN/蓝宝石结构过程进行理论分析得到相应低压和常压下的GaN材料的理论分解深度,得到与实验一致的趋势。证明了低压环境能提高激光剥离速率。
- 林飞陈志远刘宝林朱丽虹李晓莹曾凡明
- 关键词：GAN激光剥离
