曹德新
- 作品数：13 被引量：14H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海原子核研究所上海应用物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程核科学技术更多>>
- 超薄窗Si（Li）探测器在实验中的应用
- 1994年
- 用超薄窗Ｓｉ（Ｌｉ）探测器测量低能Ｘ射线，将传统的ＰＩＸＥ谱测量范围推广到如Ｓｉ、Ａｌ、Ｎａ等低原子序数元素。还对超薄窗Ｓｉ（Ｌｉ）探测器的具体应用作了描述。
- 刘惠珍朱福英朱德彰曹德新沈浩元浦世节
- 关键词：探测器硅
- 用RBS和RNR研究表面涂覆CeO_2对Fe-25Cr合金高温氧化的影响被引量：1
- 1991年
- 一、引言许多研究结果表明,将微量 Ce、Y、Hf 和 Th 或其氧化物添加于形成 Cr_2O_3保护层的 Fe～Cr 系合金中可以大大提高抗氧化性能。一些结果还表明,把这些活性元素的氧化物用涂覆方法或溅射方法作用合金表面,合金的抗氧化性能也同样可以得到改善。尽管已有许多模型试图解释这种活性元素的作用,但迄今为止,还没有一个为人们所普遍接受。
- 俞方华潘浩昌沈嘉年杨国华李铁藩朱德彰陈寿面曹建清曹德新
- 关键词：高温氧化CEO2
- 硫对注入YSZ单晶的金属铂在退火过程中结晶的影响
- 1998年
- 用卢瑟福背散射－沟道技术（ＲＢＳ－Ｃ）和Ｘ射线衍射技术（ＸＲＤ）研究了Ｐｔ和Ｓ注入ＹＳＺ（Ｙ２Ｏ３稳定的ＺｒＯ２）后产生的损伤和退火过程中损伤的恢复及注入Ｐｔ的晶化。ＲＢＳ－Ｃ分析表明ＹＳＺ在室温下注入存在较强自退火效应；ＸＲＤ分析结果示出硫对铂的晶化产生很大影响。
- 谢东珠朱德彰曹德新潘浩昌徐洪杰
- 关键词：离子注入氧化钇YSZ铂氧化锆
- 用RBS沟道和PIXE沟道相结合研究硅注入砷化镓单晶
- GaAs(100)单晶液氮温度下注入能量为48 KeV,剂量为3E15和5E1s Si/cm的硅。用 RBS-C 和 PIXE-C 来分析砷化镓中离子注入损伤和硅在材料中的位置和替位率。这两种方法同时测量弥补了单一方法的...
- 曹德新刘惠珍朱福英朱德彰
- 文献传递
- 镍增进无定形硅低温固相外延生长
- 1997年
- 离子注入形成的无定形硅在可形成硅化物杂质镍作用下，促使无定形层硅在低温（４３０℃）时发生了固相外延生长。注入杂质镍浓度为１×１０１２－２．５×１０１７Ｎｉ／ｃｍ２。卢瑟福背散射和沟道（ＲＢＳ－Ｃ）测量表明，６个量级剂量注入并经４３０℃退火后的样品都发生了不同程度的固相外延生长，且比通常固相外延生长约加快了二个数量级，其外延生长速度与镍浓度相关。
- 曹德新朱德彰朱福英曹建清
- 关键词：固相外延生长半导体
- 大剂量P^＋离子注入单晶硅的研究被引量：1
- 1994年
- 采用４８０ｋｅＶＰ＋离子注入单晶硅，注入剂量为１×１０１６ｃｍ－２。采用ＲＢＳ、ＴＥＭ技术测试样品，发现样品经６００℃退火后，距样品表面约２４０ｎｍ处有一条低密度缺陷带。研究表明，这一现象与Ｐ＋的剂量及退火温度有关。
- 高剑侠朱德彰曹德新周祖尧
- 关键词：退火离子注入单晶硅
- 等离子体浸没离子注入豌豆种子的细胞学效应被引量：4
- 1997年
- 用等离子体浸没离子注入设备对食荚青豌种子进行了氩离子注入。以卢瑟福背散射（RBS）方法测定了处理前后的食荚青豌种子的RBS谱,发现等离子体浸没氩离子注入过的种子在Ar^+处出现Bragg峰。对食荚青豌根尖染色体核型进行了分析,发现所进行的离子注人能延迟染色体着丝粒的复制。
- 吴美萍何国兴陈英方钟华曹德新
- 关键词：豌豆等离子体染色体
- 蓝宝石的离子注入研究
- 离子注入技术不仅在半导体、金属材料上得到了成功的应用,近年来,在绝缘材料方面也有广泛的应用。例如在陶瓷材料改性上的应用也十分引人注目。在 Al
- 谢东珠曹德新朱德彰
- 文献传递
- 1.56MeV Sb^＋注入单晶硅的反常退火行为
- 1994年
- 剂量为２×１０（１３）－５×１０（１５）ｃｍ（－２）的１．５６ＭｅＶＳｂ＋注入Ｓｉ（１００）后，向石英炉中通入流动纯Ａｒ气进行热退火（退火温度为５００一１０５０℃，时间为３０ｍｉｎ）。采用３ＭｅＶＨｅ（２＋）卢瑟福背散射／沟道技术和透射电镜技术测量样品的注人损伤以及退火特性，结合计算机模拟数据，结果表明：缺陷的产生类型与注入离子的剂量、样品退火温度密切相关。
- 高剑侠朱德彰曹德新周祖尧赵国庆
- 关键词：退火再结晶离子注入单晶硅
- In^+离子注入蓝宝石(α-A1_2O_3单晶)的表面改性研究被引量：2
- 1998年
- 研究了＜０００１＜和＜１２１０＞晶向蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３单晶）在注入３６０ｋｅＶ．１×１０￣１６ｃｍ￣－２或１００ｋｅＶ、６×１０￣１６ｃｍ￣－２的Ｉｎ￣＋后产生的损伤、注入层的性能变化和退火行为。实验结果表明，退火过程中损伤的恢复和Ｉｎ的分布与退火气氛有关：在１００ｋｅＶ、６×１０￣１６ｃｍ￣－２的Ｉｎ￣＋注入时，注入层电阻率降低了１０个量级，大小为６．８×１０￣３·ｃｍ，表面损伤层的显微硬度提高了９２％；在３６０ｋｅＶ，１×１０￣１６ｃｍ￣－２的Ｉｎ＋注入时，其表面损伤层的显微硬度提高了４５％，在空气中不同温度下退火后，其显微硬度的变化和损伤的变化具有相同的规律。
- 谢东珠朱德彰曹建清曹德新潘浩昌徐洪杰
- 关键词：离子注入蓝宝石
