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徐秋梅: 作品数：15 被引量：7H指数：1; 供职机构：中国科学院近代物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>; 相关领域：理学核科学技术自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

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645 MeV Xe^(35+)离子辐照SiO_(2)在线光发射的研究被引量：1: 2023年; 离子辐照可以改变二氧化硅(SiO_(2))的晶体结构和光学性质.采用645 MeV Xe^(35+)离子辐照SiO_(2)单晶,在辐照过程中,利用光栅光谱仪测量在200—800 nm范围内的光发射.在发射光谱中,观测到中心位于461和631 nm的发射带.这些发射带是弗伦克尔激子辐射退激产生的,其强度与辐照离子能量和辐照离子剂量密切相关.实验结果表明:发射光强随离子在固体中的电子能损呈指数增加.由于离子辐照对晶体造成损伤,发射光谱强度随辐照剂量的增加而降低.文中讨论了这些与晶体结构有关的发射带,结合能量损失机制讨论了激子形成和退激过程.快重离子辐照过程中发射光谱的原位测量对研究辐照改性具有重要意义,有助于揭示离子辐照引起晶体损伤的物理机制.; 徐秋梅缑洁张崇宏杨治虎王彦瑜韩旭孝李建洋; 关键词：快重离子电子能损

低速Xe^(q+)(4≤q≤20)离子与Ni表面碰撞中的光辐射被引量：1: 2018年; 实验中测量了0.38V_(Bohr)(460 keV)高电荷态Xe^(q+)(4≤q≤20)离子轰击高纯Ni表面发射的400-510 nm光谱.实验结果包括NiⅠ原子谱线,NiⅡ离子谱线,以及入射离子中性化发射的XeⅠ,XeⅡ和XeⅢ谱线.研究了谱线XeⅡ410.419,XeⅢ430.444,XeⅡ434.200,XeⅡ486.254,NiⅠ498.245,NiⅠ501.697,NiⅠ503.502,NiⅠ505.061和NiⅠ508.293 nm的光子产额随着入射离子电荷态的变化.结果表明,入射离子中性化和溅射Ni原子发射谱线的光子产额随着入射离子电荷态的增加而增加,其趋势与入射离子势能一致.; 徐秋梅杨治虎杨治虎刘会平陈燕红赵红赟; 关键词：高电荷态离子可见光谱

超导离子源的高电荷态离子Ar16+与Au作用产生的X射线谱研究: 利用光谱技术在超导离子源SECRAL上研究了10-20 kvq的Ar16+离子入射在金属Au表面产生的X射线谱.实验结果表明,Ar16+离子在金属表面中性化过程中存在着多电子激发,Ar16+的K壳层电子被激发产生空穴,形...; 杨治虎徐秋梅郭义盼; 关键词：高电荷态离子空心原子; 文献传递

超导离子源的高电荷态离子Ar16+与Au作用产生的X射线谱研究: 利用光谱技术在超导离子源SECRAL上研究了10-20 kvq的Ar16+离子入射在金属Au表面产生的X射线谱.实验结果表明,Ar16+离子在金属表面中性化过程中存在着多电子激发,Ar16+的K壳层电子被激发产生空穴,形...; 杨治虎徐秋梅郭义盼; 关键词：高电荷态离子空心原子

260~520 keV Kr^(q+)(8≤q≤17)离子轰击Al靶产生的可见光辐射: 2022年; 低速高电荷态离子与金属表面相互作用,原子从靶材表面溅射,其中一部分处于激发态的溅射原子通过辐射退激产生可见光。在这一相互作用过程中,低速高电荷态离子从靶材表面捕获一个或多个电子进入其激发态,这些处于激发态的入射离子也会通过辐射退激产生可见光。研究表明,离子在靶材中的核阻止本领与溅射原子产额密切相关。为了更好地理解溅射原子的激发过程,认识低速高电荷态离子与金属相互作用过程中,溅射原子的激发概率与入射离子动能和势能之间的关联,研究了260~520 keV Kr^(q+)(8≤q≤17)离子与Al靶相互作用过程中的可见光发射。给出了520 keV Kr^(13+)与Al表面相互作用过程中,发射300~550 nm波长范围的发射光谱。实验结果包括溅射的Al原子在309.0和395.9 nm处的共振跃迁,Al^(+)和Al^(2+)分别在358.3和451.6 nm处的共振跃迁,以及Kr^(+)在430.0,434.1,465.8和486.0 nm处的共振跃迁。还给出了谱线强度比值Y(309.0)/Y(395.9),Y(358.5)/Y(395.9),Y(452.8)/Y(395.9)随入射离子动能和势能的变化。结果表明:谱线强度比值均随入射离子动能的增加而增大,而比值Y(309.0)/Y(395.9)随势能的增加而减小。分析表明,在低速高电荷态离子与Al靶相互作用过程中,动能(电子阻止本领)和势能共同作用导致Al原子的激发,与激发态Al(4 s)相比,电子布居较高激发态Al(3 d)的概率随着离子电子阻止本领的增加而增大,而随着离子势能增加而减小。在低速高电荷态离子与金属表面相互作用过程中,入射离子在靶材中的核阻止本领影响溅射原子产额,而电子阻止本领与激发概率相关。在这一作用过程中,动能和势能共同决定溅射原子的激发概率,当动能和势能在同一数量级时,动能作用比势能作用小两个量级。; 徐秋梅

低速^(84)Kr^(15+,17+)离子轰击GaAs单晶: 2014年; 用345 keV的Kr15+和340 keV的Kr17+离子以45fi角入射n型GaAs单晶(100)面,测量了表面形貌的变化和发射的375—500 nm Ga I和Kr II的特征光谱线.Krq+(q=15,17)离子轰击后表面形貌的变化主要取决于入射离子的电荷态q.离子沉积到靶表面的能量引起Ga原子激发,其辐射光谱为Ga I 403.2 nm和Ga I 417.0 nm.入射离子中性化过程中俘获GaAs导带电子形成高激发态原子,通过级联退激填充3p,4d等空穴,P壳层电子跃迁发射谱线为Kr II 410.0 nm,Kr II 430.4 nm,Kr II 434.0 nm和Kr II 486.0 nm,Kr II486.0 nm为较强谱线.实验结果表明,入射离子与GaAs单晶相互作用发射的可见光产额与入射离子的电荷态密切相关,较高电荷态Kr17+离子入射产生的光辐射产额大约为Kr15+离子的两倍.; 杨变杨治虎徐秋梅郭义盼武晔虹宋张勇蔡晓红; 关键词：表面形貌高激发态

一种基于光子计数的束流光谱检测装置及方法: 本发明涉及一种基于光子计数的束流光谱检测装置和方法，包括：离子束经过固体靶形成光辐射源，其产生的光经过聚焦透镜进入光谱仪，光谱仪与光子计数模块连接，并将计数结果传输至束流采集模块和计算处理模块；第一束流计设置在固体靶的前...; 赵红赟杨治虎郭义盼徐秋梅千奕

一种离子注入/辐照提高氧化物材料发光性能的方法: 本发明公开了一种离子注入/辐照提高氧化物材料发光性能的方法。本发明一种离子注入/辐照提高氧化物材料发光性能的方法包括：对氧化物材料先后进行离子注入和离子辐照，其中，所述离子注入步骤中采用多个减能片进行能量梯度控制，所述离...; 宋银缑洁韩旭孝徐秋梅杨义涛张崇宏

低能Xe离子辐照在Al表面上的光辐射研究: 2021年; 本文测量了200~550 keV的Xe^(10+)离子轰击高纯度(99.99%)Al表面诱发的溅射Al原子的光发射,研究了AlⅠ308.10、309.14、394.52、396.28 nm光谱线强度比值和光子产额随入射离子能量的变化趋势。在本实验能量范围内,辐射光谱线强度比值随入射离子能量增加几乎不变,而发射谱线的光子产额随入射离子能量的增加呈现出不同趋势:入射离子能量为450 keV时,光子产额出现极大值,入射离子能量超过450 keV时,光子产额随能量的增加而减少,其变化趋势与核阻止本领随能量增加的变化没有出现类同的变化特征。结合核阻止和电子阻止效应对实验结果进行了讨论,结果表明:入射离子能量低于450 keV时,核阻止在碰撞中起主导作用,入射离子能量高于450 keV时,电子阻止在碰撞中起主导作用。; 杨兆锐徐秋梅耿一丹郭义盼戴振文赵红赟杨治虎; 关键词：光发射

高电荷态Kr^(q+)与Al表面碰撞发射可见光的研究被引量：1: 2013年; 利用低速(V≈0.01VBohr)高电荷态Krq+(q=8,10,13,15,17)离子轰击金属Al表面,获得了碰撞过程产生的300—600nm的光谱.实验结果表明:低能大流强(μA/cm2量级)离子束入射金属表面,可产生溅射原子、离子和入射离子中性化后发射的可见光.随着入射离子势能(电荷态)增加,碰撞过程中发射谱线的强度增强.与激发态3d能级相比,较高的势能可以有效地激发Al原子的电子到较高4s能级.; 杨兆锐张小安徐秋梅杨治虎; 关键词：高电荷态离子可见光发射

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