张鹏珍
- 作品数：8 被引量：29H指数：3
- 供职机构：上海大学更多>>
- 发文基金：上海市科委纳米专项基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺机械工程电子电信更多>>
- 纳米氧化铈的制备及其抛光性能的研究被引量：23
- 2006年
- 采用溶胶-凝胶法制备了纳米CeO2粉体,并采用XRD、TOF-SIMS对其进行了表征。结果表明平均晶粒度在13.3nm,粒度分布均匀。进而研究了纳米CeO2在玻璃基片抛光中的抛光性能。ZYGO形貌仪表明,抛光后其表面平均粗糙度值(Ra)可降低到0.6nm左右。原子力显微镜(AFM)在5μm×5μm范围内测得基片表面粗糙度Ra值为0.281nm,表面光滑,划痕等表面微观缺陷明显改善。
- 张鹏珍雷红张剑平施利毅
- 关键词：纳米CEO2化学机械抛光
- 化学机械抛光技术在超精加中的应用被引量：3
- 2004年
- 在电子制造行业，随着产品性能的不断提高，对表面质量的要求越来越高．硅片作为集成电路芯片的基础材料，其表面粗糙度和表面平整度成为影响集成电路刻蚀线宽的重要因素之一．在计算机硬盘技术中，磁头、磁盘的表面粗糙度、波纹度和纳米划痕不仅影响磁头的飞行稳定性，而且影响表面的抗腐蚀性．抛光是表面平面化加工的重要手段．与机械抛光、化学抛光、流体抛光、磁研磨抛光、离子束轰击抛光、电化学抛光、浮法抛光等常见的抛光技术相比，化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，简称CMP)是目前广泛采用的并且是几乎唯一的全局平面化技术．CMP是机械削磨和化学腐蚀的组合技术，其工艺是将待抛光工件在一定的下压力及抛光液的存在下相对于抛光垫作旋转运动，借助抛光液中磨粒的机械磨削及化学氧化剂的腐蚀作用来完成对工件表面的材料去除，并获得光洁表面．该文综述了CMP技术在集成电路、计算机硬盘基片等先进电子产品制造中的应用．
- 雷红张鹏珍
- 关键词：化学机械抛光超精加工计算机硬盘化学气相沉积先进制造业
- 氧化铝/氧化硅复合磨粒的制备方法
- 本发明涉及一种氧化铝/氧化硅复合磨粒的制备方法，属高精密抛光用磨料的制备工艺技术领域。本发明的制备方法是先制备α-Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>分散液：于去离子水中加入一定量的α-Al<Sub>2...
- 雷红张鹏珍卢海参张泽芳肖保其
- 文献传递
- 纳米氧化铈、氧化铝/氧化硅复合粒子的制备及其抛光性能的研究
- 本文对纳米氧化铈、氧化铝/氧化硅复合粒子的制备及其抛光性能进行了研究。文章采用溶胶一凝胶法制备了纳米Ce02粉体，通过XRD, TEM, SEM,TOF-SIMS等分析，表明所得Ce02粒子为立方晶系结构，呈球形，平均粒...
- 张鹏珍
- 关键词：半导体材料纳米氧化铈化学抛光
- 文献传递
- 化学机械抛光技术在超精加工中的应用
- 在电子制造行业,随着产品性能的不断提高,对表面质量的要求越来越高.硅片作为集成电路芯片的基础材料,其表面粗糙度和表面平整度成为影响集成电路刻蚀线宽的重要因素之一.在计算机硬盘技术中,磁头、磁盘的表面粗糙度、波纹度和纳米划...
- 雷红张鹏珍
- 关键词：化学机械抛光集成电路计算机硬盘
- 文献传递
- 纳米氧化硅在玻璃基片表面亚纳米级抛光中的应用被引量：4
- 2006年
- 为满足先进电子产品对玻璃基片表面超光滑的要求,制备了一种纳米氧化硅抛光液,并研究了氧化硅粒子大小、抛光时间等参数对玻璃基片抛光后表面粗糙度、材料去除速率的影响。ZYGO形貌仪表明,采用纳米氧化硅抛光液,可以使玻璃表面粗糙度达到0.5 nm左右。AFM表明,抛光后的玻璃基片表面超光滑且无划痕等微观缺陷。
- 雷红张鹏珍卢海参
- 关键词：平面化
- 新型高性能纳米抛光材料及亚纳米级抛光技术研究
- 雷红褚于良金建华张鹏珍卢海参张泽芳肖保其
- 该课题开展了高性能纳米抛光材料及亚纳米级抛光技术研究。通过制备了一系列纳米磨粒及相应的纳米粒子抛光液，在进口SPEEDFAM工业抛光机上直接实验了各种纳米粒子抛光液的抛光性能，研究了计算机铝镁合金硬盘、玻璃光盘基片等的亚...
- 关键词：
- 关键词：抛光液化学机械抛光
- 氧化铝/氧化硅复合磨粒的制备方法
- 本发明涉及一种氧化铝/氧化硅复合磨粒的制备方法，属高精密抛光用磨料的制备工艺技术领域。本发明的制备方法是先制备α－Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>分散液：于去离子水中加入一定量的α－Al<Sub>2...
- 雷红张鹏珍卢海参张泽芳肖保其
- 文献传递
