吴朝阳
- 作品数：40 被引量：34H指数：4
- 供职机构：中国工程物理研究院应用电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 高压陶瓷电容器持续充放电条件下的寿命研究
- 为了提高脉冲功率装置的使用寿命,研究了Sr Ti O3基高压陶瓷电容器在有10?负载和无负载两种条件下持续充放电过程中的使用寿命。详细分析了电容器使用寿命随着充电电压的增加而减小的原因,充电电压的增加会导致电容器充放电过...
- 范昭奇陆巍吴朝阳杨周炳
- 关键词：钛酸锶高压陶瓷电容器充电电压
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- 盘片二元式紧凑型Marx发生器
- 本实用新型公开了一种盘片二元式紧凑型Marx发生器，第一半圆形的电容器组和第二半圆形的电容器组组成一个电容盘，该电容盘为圆环形状，开关腔设置在圆环的中间，且开关腔的中心点与电容盘的中心点重合，火花隙开关设置在开关腔中，充...
- 吴朝阳张晋琪陆巍张现福丁恩燕范昭奇杨周炳孟凡宝
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- 盘片四元式紧凑型Marx发生器
- 本发明公开了一种盘片四元式紧凑型Marx发生器，第一电容器组、第二电容器组、第三电容器组和第四电容器组组成一个电容盘，该电容盘为圆环形状，开关腔设置在圆环内，第一火花隙开关和第二火花隙开关均设置在开关腔中，充电电感为4路...
- 吴朝阳张晋琪陆巍张现福丁恩燕范昭奇杨周炳孟凡宝
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- 一种纳秒宽谱脉冲产生装置以及产生方法
- 本发明公开了一种纳秒宽谱脉冲产生装置以及产生方法，包括低阻线、U1开关、高阻‑低阻组合线、U2开关、短路‑锐化开关组合线、U4开关和传输线，所述的短路‑锐化开关组合线上设置有U3开关；所述的低阻线为圆柱筒型；所述的高阻‑...
- 丁恩燕陆巍吴朝阳杨周炳鲍向阳张晋琪张运俭金晖李春霞
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- 雪崩模式下的体结构GaAs光导开关
- 2016年
- 利用能量较低的脉冲激光二极管,在较高场强下触发GaAs光导开关,使其工作于雪崩模式,从而产生纳秒上升前沿的快脉冲电压。GaAs光导开关采用垂直体结构设计,芯片厚度为2mm,电极形状分别为圆环和圆面,触发光脉冲从圆环穿过。快脉冲产生由同轴Blumlein脉冲形成线完成。对基于GaAs光导开关的同轴Blumlein脉冲线进行了模拟仿真和实验,当充电电压超过8kV(40kV/cm)后,开关开始了雪崩工作模式。当充电电压约为15kV(75kV/cm)时,在50Ω负载上获得了约11kV的脉冲电压,实验波形与仿真波形一致。对开关抖动进行了测试,其测试结果显示开关充电电压对抖动影响很大,随着开关偏压增加,开关抖动减小,开关获得了最小抖动约700ps。
- 吴朝阳范昭奇陆巍杨周炳罗剑波
- 关键词：砷化镓光导开关雪崩半导体二极管
- 一种基于断路半导体开关的脉冲发生器
- 本发明公开了一种基于断路半导体开关的脉冲发生器；包括一个LC型泵浦电路和两级DSRD开关堆体，所述LC型泵浦电路中包括有一个直流电源、一个前级开关、两个电容和三个电感，所述直流电源的输入端为电源端V0，所述前级开关为开关...
- 王淦平李春霞李飞金晓宋法伦吴朝阳王朋张北镇甘延青龚海涛罗林
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- 激光二极管触发光导开关实验研究
- 介绍了利用大功率半导体激光二极管触发3 mm间隙GaAs光导开关、产生非线性电脉冲输出的实验，激光二极管输出功率为70W，上升前沿约20ns,脉冲半高宽(FWHM)约40ns。随着开关两端偏置场强增加,输出电压也线性增加...
- 吴朝阳陈志刚薛长江陆巍杨周炳
- 关键词：光导开关激光二极管载流子
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- 一种Ku波段相对论返波振荡器
- 本发明公开一种Ku波段相对论返波振荡器，包括外筒和设置在外筒内的若干个带有中心孔的慢波结构，所述慢波结构为矩形结构，每一个慢波结构的周期一致，且每一个慢波结构的中心孔内径不一致。本发明通过在振荡器慢波结构起始及结束部分采...
- 丁恩燕陆巍张运俭孟凡宝杨周柄李正红马乔生吴洋吴朝阳
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- 一种高重频低压超辐射产生装置
- 本实用新型公开了一种高重频低压超辐射产生装置，包括：磁体，其为两端设置有封盖的圆柱体空腔；返波管，其设置在所述磁体内与所述磁体形成同轴结构；阴极，其设置在磁体内，且与返波管的另一端相对设置以向返波管发射电子束；天线，其与...
- 张运俭孟凡宝丁恩燕杨周炳李正红王汉斌石小燕陆巍张晋琪吴朝阳李春霞
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- 一种Ku波段相对论返波振荡器
- 本发明公开一种Ku波段相对论返波振荡器，包括外筒和设置在外筒内的若干个带有中心孔的慢波结构，所述慢波结构为矩形结构，每一个慢波结构的周期一致，且每一个慢波结构的中心孔内径不一致。本发明通过在振荡器慢波结构起始及结束部分采...
- 丁恩燕陆巍张运俭孟凡宝杨周柄李正红马乔生吴洋吴朝阳
