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叶式中

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇单晶
  • 2篇单晶炉
  • 2篇熔体
  • 2篇坩埚
  • 2篇物料
  • 2篇晶体
  • 2篇固体物料
  • 2篇浮渣
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 1篇单晶材料
  • 1篇英寸
  • 1篇正电子
  • 1篇正电子湮没
  • 1篇直径
  • 1篇锑化镓
  • 1篇磷化铟
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇功能材料
  • 1篇半导体功能器...

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇叶式中
  • 4篇焦景华
  • 3篇余辉
  • 1篇林兰英
  • 1篇刘巽琅
  • 1篇曹惠梅
  • 1篇赵建群
  • 1篇孙文荣
  • 1篇杨保华
  • 1篇金盾
  • 1篇佘辉

传媒

  • 2篇首届中国功能...
  • 1篇半导体情报
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国金属学会...

年份

  • 4篇1992
  • 2篇1990
  • 1篇1986
  • 1篇1900
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
化合物半导体功能材料
康昌鹤叶式中
关键词：化合物半导体半导体材料半导体功能器件
在锑化镓中掺入等电子杂质的研究
1引言锑化镓单晶材料是继砷化镓、磷化铟之后的重要光电器件衬底材料。它可以用于制做超长波激光器和探测器,激光波长可以在1.7到4.3μm范围内改变,与氟化物光纤相配合可以大幅度增加无中继光通讯的距离。另外,锑化镓和砷化镓相...
焦景华余辉叶式中
文献传递
一种去除熔体表面浮渣的技术
本发明公开了一种在切克劳斯基单晶炉内去除熔体表面浮渣的技术，它在生长晶体的一般坩埚上设置一个底部有孔口的上坩埚，并有一个托盘连接直柄穿过孔口提托上坩埚，先使固体物料在上坩埚中熔融，再让熔体从孔口漏入下坩埚，然后提托上坩埚...
焦景华佘辉叶式中
2英寸直径的半绝缘INP单晶
刘巽琅金盾叶式中孙文荣赵建群曹惠梅焦景
２英寸直径的半绝缘磷化铟单晶生长工艺计算了电阻率与掺铁量的关系；实验值与计算值符合较好，可避免过量铁的掺入；晶体位错密度低达每平方厘米２００００～５００００，且热稳定性良好；研究了掺铁量与铁沉淀物形成的关系；研究了等电子...
关键词：
关键词：磷化铟单晶半绝缘
等电子杂质Sb对InP中缺陷的影响
1990年
用光致发光和正电子湮没技术研究了掺Sb InP单晶的“本征缺陷”。发现元素Sb的掺入导致磷空位(V_p)或者是V_p与杂质络合物的光致发光峰消失。用正电子湮没技术的测量也表明掺Sb的InP晶体中单空位浓度有所降低,两种方法测量的结果对应得很好。我们认为InP中掺Sb能有效地降低晶体中的本征缺陷。
叶式中杨保华徐岭
关键词：INPSB正电子湮没
半导体材料的新发展
1992年
近来,半导体科学主要的发展方向是制作高完整性和大面积杂质均匀的衬底材料和超薄外廷材料,并研究它们的特殊性能。本文主要对半导体材料的发展作一简单评述。
林兰英叶式中
关键词：半导体
掺碲GaSb单晶材料电学性质的研究
1前言GaSb单晶是光电器件的重要衬底材料,制做器件所需的载流子浓度一般在1×10、～3×10cm的范围内。N型GaSb是以Te作掺杂剂,由于Te的引入会使GaSb材料的电学特性发生变化。我们进行了变温霍尔测量,得出迁移...
余辉焦景华叶式中
文献传递
一种去除熔体表面浮渣的技术
本发明公开了一种在切克劳斯基单晶炉内去除熔体表面浮渣的技术，它在生长晶体的一般坩埚上设置一个底部有孔口的上坩埚，并有一个托盘连接直柄穿过孔口提托上坩埚，先使固体物料在上坩埚中熔融，再让熔体从孔口漏入下坩埚，然后提托上坩埚...
焦景华余辉叶式中
文献传递
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