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一种制备SiC纳米线阵列的方法: 本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域。特别涉及一种制备SiC纳米线阵列的方法。本发明的SiC纳米线阵列制备方法包括以下过程：用化学刻蚀的方法在单晶硅基片表面制备硅纳米线阵列，将表面有硅纳米线阵列的硅基片放置在盛有石墨...; 师文生刘海龙佘广为凌世婷; 文献传递

Mn27Si47-Si异质结构纳米线阵列或Mn27Si47纳米线阵列的制备方法: 本发明涉及Mn27Si47-Si异质结构纳米线阵列和Mn27Si47一维纳米结构阵列的制备方法。本发明以化学刻蚀方法制备出的硅纳米线...; 师文生刘海龙佘广为凌世婷

制备SnO2-ZnO异质纳米枝杈结构的方法: 本发明属于纳米氧化物半导体材料异质结构制备技术领域，特别涉及制备特殊形貌的SnO2-ZnO异质纳米枝杈结构的方法。本发明是采用两步气相沉积制备异质纳米结构的方法。以Al2O<S...; 师文生凌世婷; 文献传递

高度有序ZnO-SnO_2异质外延枝状纳米结构的制备及其光催化性质研究被引量：2: 2013年; 采用一种简单的热蒸发法制备了高度有序的ZnO-SnO2异质外延枝状纳米结构。制备过程分两步进行:首先,在氧化铝片基底上制备SnO2纳米线;然后,以此SnO2纳米线为模板在其上生长ZnO纳米线。用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)等手段对产物的形貌、结构进行了表征。XRD表征结果证实第一步和第二步生长的产物分别为SnO2和ZnO。SEM观察结果表明,第一步热蒸发得到直径约100nm、长度达几十微米的SnO2纳米线,第二步热蒸发后得到以第一步SnO2纳米线为主干、沿四个方向有序排列的枝状ZnO纳米结构。TEM观察结果表明,ZnO枝状纳米线沿[001]方向由SnO2纳米线(-101)晶面外延生长。所制备的枝状纳米结构由于具有巨大的比表面积,且外延异质结可以促进电荷的分离和快速转移,因此非常适合于光催化应用。该ZnO-SnO2异质外延枝状纳米结构用于光催化降解甲基橙,表现出优异的性能。; 凌世婷佘广为穆丽璇师文生; 关键词：异质结光催化

热蒸发稳定制备一维纳米结构材料的装置和方法: 本发明涉及一种热蒸发稳定制备一维纳米结构材料的装置和方法。一热蒸发部件的一端开有载气出口，另一端开有载气进口；热蒸发部件置于加热炉中，在热蒸发部件开有载气进口的一端安装有可伸入热蒸发部件中的滑杆，滑杆固定连接一装载热蒸发...; 师文生凌世婷穆丽璇; 文献传递

Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列的制备方法: 本发明涉及一种Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列的制备方法。本发明将表面刻蚀出垂直定向站立排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于MnCl2的乙醇溶液中浸...; 师文生刘海龙佘广为凌世婷; 文献传递

制备SnO2－ZnO异质纳米线的方法: 本发明属于纳米氧化物半导体异质结构制备技术领域，特别涉及制备SnO2－ZnO异质纳米线的方法。本发明是采用两步气相沉积制备异质纳米线的方法。其方法包括以下过程：将SnO2粉与石...; 师文生凌世婷; 文献传递

一种制备锗纳米管阵列的方法: 本发明属于纳米材料制备技术领域，特别涉及一种制备锗纳米管阵列的方法。本发明是利用电化学沉积法在导电基片上生长定向排列的氧化锌纳米线阵列，然后以定向排列的氧化锌纳米线阵列作为模板，用热蒸发的方法在氧化锌纳米线表面沉积一层锗...; 师文生凌世婷佘广为; 文献传递

Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列的制备方法: 本发明涉及一种Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列的制备方法。本发明将表面刻蚀出垂直定向站立排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于MnCl2的乙醇溶液中浸...; 师文生刘海龙佘广为凌世婷

热蒸发稳定制备一维纳米结构材料的装置和方法: 本发明涉及一种热蒸发稳定制备一维纳米结构材料的装置和方法。一热蒸发部件的一端开有载气出口，另一端开有载气进口；热蒸发部件置于加热炉中，在热蒸发部件开有载气进口的一端安装有可伸入热蒸发部件中的滑杆，滑杆固定连接一装载热蒸发...; 师文生凌世婷穆丽璇; 文献传递

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凌世婷