冯国光
- 作品数：20 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信电气工程金属学及工艺更多>>
- LaAlO_3晶体的电子显微学研究
- 1990年
- LaAlO_3晶体作为良好的超导膜基底受到人们的重视。在此主要报导LaAlO_3晶体的结构特点。在Philips EM420,EM430上观察了LaAlO_3晶体。在130℃、24小时退火后的晶体呈综色。LaAlO_3晶体是铁弹体,电镜中观察到的铁弹畴如图1所示。取单畴做会聚束电子衍射(CBED),得到[001]方向的带轴图如图2a所示,其中给出4mm对称性,同时测得a=b=c=0.753nm;[111]带轴图如图2b所示,其中显示3m对称。由此得出点群m3m。进而对样品在电镜中进行原位加热,当温度升至400℃左右时。
- 杨翠英黄照荣周玉清杨文煌冯国光
- 关键词：超导膜晶体电子显微学
- 结合CBED和HREM在材料科学中的应用
- 结合CBED和HREM是测定材料结构的有效方法。我们用此方法在philips EM—400T电镜中研究了包括SiC和LiO·14NbO(LN)等密排层结构材料和复杂氧化物的结构。SiC是一典型的密排层结构材料。密排层堆垛...
- 杨翠英周玉清冯国光
- 文献传递
- C取向GdBa2Cu3O7-x膜中a、b取向小颗粒钉扎的TEM研究
- C取向YBaCuO超导薄膜中已获得了高临界电流密度Jc=10A/cm。随着薄膜的应用,磁通钉扎的机理越来越为人们所重视。外加磁场在平行于YBaCuO的a—b平面时,a—b面会产生本征钉扎,形成高密度的临界电流密度,但垂直...
- 周维列周玉清王长安冯国光王瑞兰李宏成李林
- 文献传递
- 急冷Al-Fe合金中Al13Fe4相及其十次孪晶
- 利用philips EM-420电镜,我们研究了成分为Al—14—22at%Fe的急冷合金,发现十次准晶相、二十面体相和十次孪晶共存,其中孪晶被证实为AlFe,通常也被称为是AlFe或θ相。AlFe结构早已由Black等...
- 邹晓冬冯国光
- 文献传递
- C取向GdBa_2Cu_3O_(7-x)膜中a、b取向小颗粒钉扎的TEM研究
- 1993年
- C取向YBa2Cu3O7-x超导薄膜中已获得了高临界电流密度Jc=106A/cm2。随着薄膜的应用,磁通钉扎的机理越来越为人们所重视。外加磁场在平行于YBa2Cu3O7-x的a—b平面时,a—b面会产生本征钉扎,形成高密度的临界电流密度,但垂直于基片方向的高密度电流在应用中也是需要的。
- 周维列周玉清王长安冯国光王瑞兰李宏成李林
- 关键词：超导体钉扎TEM
- Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格X-射线双晶衍射的运动学研究被引量：5
- 1992年
- 本文利用X射线双晶衍射对应变层超晶格进行了研究.我们从超晶格的台阶模型出发,运用运动学理论,推导出了X射线衍射强度的表达式,清楚地揭示了合金成分x,应变,层厚比与迴摆曲线强度分布的关系.对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格双晶X射线衍射强度的模拟结果与实验结果符合很好.
- 段晓峰冯国光王玉田褚一鸣刘学锋盛篪周国良
- 关键词：GESI/SI超晶格双晶衍射运动学
- GaAs/Si外延层的TEM研究
- ＜正＞ 外延生长半导体材料中的微缺陷对其性能及应用有着关键性的影响,为此微观缺陷的研究的必要性就显得更突出了。而透射电子显微学恰是进行微缺陷研究的重要手段。本工作就Si衬底上外延生长Ga As开展研究。实验样品有两类:（...
- 邹进都安彦冯国光丁爱菊侯宏启黄琦周均铭
- 应变和成份调制超晶格的CBED研究
- 1993年
- 由A晶格和B晶格超薄层构成一维周期性结构称为超晶格。根据超晶格中应变量的大小可对超晶格进行分类,当应变量很小,各层的原子散射振幅相差甚远时,则为成份调制的超晶格,如AlAs/GaAs超晶格:若应变量显著,而各层的原子散射振幅相差不大时,则为也变调制的超晶恪,如In_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格。最近我们用会聚束电子衍射(CBED)研究了成份调制的超晶格AlAs/GaAs和应变调制的超晶格In、Ga_(1-x)As/GaAs的运动学和动力学衍射效应。
- 魏晓莉冯国光
- 关键词：半导体砷化镓砷化铝超晶格
- LaAlO3晶体的电子显微学研究
- LaAlO
- 杨翠英黄照荣周玉清杨文煌冯国光
- 文献传递
- 应变和成份调制超晶格的CBED研究
- 由A晶格和B晶格超薄层构成一维周期性结构称为超晶格。根据超晶格中应变量的大小可对超晶格进行分类,当应变量很小,各层的原子散射振幅相差甚远时,则为成份调制的超晶格,如AlAs/GaAs超晶格:若应变量显著,而各层的原子散射...
- 魏晓莉冯国光
- 文献传递
