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何龙珠

作品数:2 被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 2篇集成电路
  • 2篇硅材料
  • 2篇CMOS集成
  • 2篇CMOS集成...
  • 1篇英寸
  • 1篇外延片
  • 1篇硅外延
  • 1篇硅外延片
  • 1篇
  • 1篇CMOS

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 2篇何龙珠
  • 2篇龚义元
  • 1篇林兰英
  • 1篇蔡田海
  • 1篇王启元
  • 1篇高秀峰
  • 1篇何自强
  • 1篇邓惠芳
  • 1篇郁元桓
  • 1篇王建华
  • 1篇高秀峰
  • 1篇何自强

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 2篇2001
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
CMOS集成电路用Φ6-8英寸外延硅材料
随着集成电路集成度不断提高,主流技术的集成电路已经发展到0.35微米或更小的水平,集成成电路对硅材料表面晶体完整性、吸杂特性等提出了更高的要求,P/P<''+>、N/N<''+>结构的硅外延材料,有效消除了硅抛光片表面的...
何自强龚义元何龙珠高秀峰
关键词:硅外延片集成电路
文献传递网络资源链接
CMOS集成电路用Φ150—200mm外延硅材料被引量:2
2001年
报道了 Φ15 0 m m CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果 ,对 Φ2 0 0 mm P/P-硅外延材料进行了初步探索研究 .Φ15 0 m m P/P+硅外延片实现了批量生产 ,并成功应用于集成电路生产线 ,芯片成品率大于 80 % .
王启元林兰英何自强龚义元蔡田海郁元桓何龙珠高秀峰王建华邓惠芳
关键词:CMOS集成电路
共1页<1>
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