龚士静
- 作品数：11 被引量：4H指数：2
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- 过渡金属硫化物WSeTe的第一性原理研究
- 石墨烯的发现引起了物理学界对二维材料的广泛关注，成为一个重要的基础研究方向.二硫化钼作为新型二维材料由于带隙可调控受到研究者的极大青睐.WSeTe是类似二硫化钼结构的过渡金属硫化物，其中Se和Te原子分别代替两个硫原子.
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- 关键词：第一性原理应力
- 二维过渡金属硫化物中Rashba自旋轨道耦合效应的电场调控研究
- 2018年
- 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对6种二维过渡金属硫化物MX_2(M=Mo,W;X=S,Se,Te)中的Rashba自旋轨道耦合效应进行了系统研究.对6种MX_2材料施加垂直方向电场,发现阴离子X对于电场诱导的Rashba自旋轨道耦合效应起主要作用:X原子序数越大,电场诱导的Rashba劈裂也越大;阳离子M被阴离子X覆盖,对电场诱导的Rashba自旋劈裂影响较弱.因此,6种MX_2单层的Rashba自旋劈裂大小依次为:WTe_2>MoTe_2>WSe_2>MoSe_2>WS_2>MoS_2.施加电场后,从布里渊区中心Γ点到布里渊区边界K/K′点,自旋方向二维平面内转向垂直方向,并且随着电场的增加,面内自旋成分逐渐增加.
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- 关键词：RASHBA自旋轨道耦合
- 一元Mg(Zn,Mn)掺杂铁酸钴的第一性原理研究
- 2013年
- 采用广义梯度近似和哈伯德U的第一性原理计算方法,对Y_xCo_(1-x)Fe_2O_4(Y=Mg,Zn,Mn,x=0.00,0.25,0.50,0.75,1.00系列体材料的电学与磁学性质进行了研究.研究发现:①八面体占位的Co_B^(2+)高/低自旋态随原子掺杂比的不同可能发生转换;②高自旋态Co_B^(2+)的磁矩随反转比的不同出现较大波动,其变化范围约为2.54~2.85μB;③对Y_xCo_(1-x)Fe_2O_4而言,当反转比x在0.75~1.00范围变化时,材料将发生半金属-绝缘体相变.
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- 关键词：自旋态
- 第一性原理方法研究Cu/FePt/MgO多层膜结构中的磁各向异性及多种效应对其的影响
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- 关键词：薄膜厚度外加应力
- 铁电磁体中磁电容效应的研究
- 本文对铁电磁体磁电容效应的研究做了以下三个方面的工作：1.磁电耦合机制的进一步研究。
关于铁电磁材料中磁电耦合机制的研究，理论已经有了大量的工作。但是，以前提出的铁电磁系统的磁电耦合形式，没有考虑到由于材料的各向异...
- 龚士静
- 关键词：铁电磁体磁电耦合各向异性
- 文献传递
- 石墨烯/金属复合体系中的自旋轨道耦合效应
- 基于密度泛函理论的第一性原理计算,我们研究了石墨烯/金属复合体系中与自旋轨道耦合作用相关的若干物理效应.其一是该复合体系界面的Rashba 自旋轨道耦合效应.Rashba 自旋轨道耦合效应源于表面或界面体系的结构反演不对...
- 龚士静
- 关键词：石墨烯RASHBA自旋轨道耦合磁晶各向异性过渡金属
- 金属表面Rashba自旋轨道耦合作用研究进展被引量：2
- 2015年
- 自旋轨道耦合是电子自旋与轨道相互作用的桥梁,它提供了利用外电场来调控电子的轨道运动、进而调控电子自旋状态的可能.固体材料中有很多有趣的物理现象,例如磁晶各向异性、自旋霍尔效应、拓扑绝缘体等,都与自旋轨道耦合密切相关.在表面/界面体系中,由于结构反演不对称导致的自旋轨道耦合称为Rashba自旋轨道耦合,它最早在半导体材料中获得研究,并因其强度可由栅电压灵活调控而备受关注,成为电控磁性的重要物理基础之一.继半导体材料后,金属表面成为具有Rashba自旋轨道耦合作用的又一主流体系.本文以Au(111),Bi(111),Gd(0001)等为例综述了磁性与非磁性金属表面Rashba自旋轨道耦合的研究进展,讨论了表面电势梯度、原子序数、表面态波函数的对称性,以及表面态中轨道杂化等因素对金属表面Rashba自旋轨道耦合强度的影响.在磁性金属表面,同时存在Rashba自旋轨道耦合作用与磁交换作用,通过Rashba自旋轨道耦合可能实现电场对磁性的调控.最后,阐述了外加电场和表面吸附等方法对金属表面Rashba自旋轨道耦合的调控.基于密度泛函理论的第一性原理计算和角分辨光电子能谱测量是金属表面Rashba自旋轨道耦合的两大主要研究方法,本文综述了这两方面的研究结果,对金属表面Rashba自旋轨道耦合进行了深入全面的总结和分析.
- 龚士静段纯刚
- 关键词：RASHBA自旋轨道耦合金属表面
- 基于Ge-Te基相变薄膜的多层多通道立体开关矩阵及制备方法
- 本发明公开了一种基于Ge‑Te基相变薄膜的多层多通道立体开关矩阵及制备方法，所述的开关矩阵包括衬底，相变层、电极层、地导体层、绝缘层和钝化层。针对相变层与电极层成连珠式错层排布。不同功能的电极层通过绝缘层隔开有效避免发生...
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- 基于超低晶态电阻Ge-Te基相变薄膜射频开关阵列及制备方法
- 本发明公开了一种基于超低晶态电阻Ge‑Te基相变薄膜射频开关阵列及制备方法，所述的射频开关包括衬底、底电极层即加热元件层，相变层、绝缘层、顶电极层即射频传输层、地导体层、钝化层和共地金属连接层。处于相变层之下的加热元件通...
- 胡志高唐建立王家宁金师磊李树兵侯张晨商丽燕李亚巍龚士静
- 铁电与多铁隧道结研究进展被引量：2
- 2013年
- 将铁电性或多铁性与量子隧穿效应结合,可以形成铁电或多铁隧道结等新型信息功能器件,它们在能耗、效率和处理速度上具有显著优势。本文回顾了铁电与多铁隧道结的研究历史,从理论和实验两方面重点介绍了铁电隧道结概念的起源、纳米铁电性的实现、铁电体中的载流子传导机制、巨电致电阻效应的起源、多铁性在隧道结上的应用等,同时结合铁电和多铁隧道结的最新研究进展对它们的发展前景作出了展望。
- 方跃文高永超龚士静段纯刚
- 关键词：量子隧穿铁电性多铁性隧道结
