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实现宽带高效、小尺寸低成本的内匹配器件制作方法: 本发明公开了一种实现宽带高效、小尺寸低成本的内匹配器件制作方法，涉及微波器件的制作方法技术领域。所述方法包括以下步骤：1）栅匹配电路和漏匹配电路制作；2）匹配电容制作；3）有源芯片制作；4）装配过程：首先将栅匹配电路、漏...; 康建磊方家兴默立冬; 文献传递

一种半导体功率器件的热阻测试仪: 一种半导体功率器件的热阻测试仪，解决了由于单台热阻测试仪只能测量单类型的器件热阻的技术问题，采用的技术方案是，电路结构中包括带有配套管理程序的CPU、热阻测试电路、以及热阻测试参数采集电路，上述的热阻测试仪的电路结构中增...; 闫伟汪江涛陈凤霞吴洪江默立冬; 文献传递

频率测量单片集成电路的研究被引量：1: 2008年; 介绍了等精度测频的基本原理，以此为基础，设计了一种用于测量射频信号频率的单片集成电路。着重阐述了频率测量单片集成电路的构成和高频信号转换电路的设计。该电路芯片在0．18μm CMOS标准工艺线上完成了制作，封装于CQFP48中。经测试，测频范围可达40～1500MHz，测频误差小于0．8MHz，功耗小于100mw。; 任怀龙陈兴默立冬廖斌吴洪江; 关键词：频率测量低功耗单片电路

实现宽带高效、小尺寸低成本的内匹配器件制作方法: 本发明公开了一种实现宽带高效、小尺寸低成本的内匹配器件制作方法，涉及微波器件的制作方法技术领域。所述方法包括以下步骤：1）栅匹配电路和漏匹配电路制作；2）匹配电容制作；3）有源芯片制作；4）装配过程：首先将栅匹配电路、漏...; 康建磊方家兴默立冬

微波宽带单片集成电路二分频器的设计与实现被引量：3: 2008年; 采用D触发器进行分频,设计了基于主从D触发器的1∶2分频器,该分频器主要由输入缓冲电路、分频器内核、输出缓冲电路和电流偏置电源四个模块组成。HBT工艺具有速度快、相位噪声低的优点,采用HBT工艺,成功地设计了输入频率范围为50 MHz^7 GHz的静态二分频器。测试结果表明,该分频器在输入频率为3.7 GHz,输入-20 dBm功率时,输出功率4 dBm;电源电压5 V,工作电流85 mA,芯片尺寸为0.85 mm×0.85 mm。; 陈凤霞默立冬吴思汉; 关键词：二分频器异质结双极晶体管锁存器 D触发器

A 12～18GHz Wide Band VCO Based on Quasi-MMIC: 2008年; Using an in-house MMIC and an off-chip,high-quality varactor, a novel wide band VCO covered Ku band is introduced. In contrast to HMIC technology, this method reduces the complexity of microchip assembly. More importantly,it overcomes the constraint that the standard commercial GaAs pHEMT MMIC process is usually not compatible with highquality varactors for VCO,and it significantly improves the phase noise and frequency tuning linearity performances compared to either MMIC or HMIC implementation. It is a novel and high-quality method to develop microwave and millimeter wave VCO.; 王绍东高学邦吴洪江王向玮默立冬; 关键词：MMIC WIDE-BAND VCO

2.45GHz电子射频标签模拟前端芯片的研制: 2009年; 分析了RFID系统的组成和基本原理,针对超高频EPC C1G2协议,提出半无源及有源电子标签前端结构及参考电路,包括整流器、偏置单元、上电复位、解调、反向散射调制、振荡器等部分。采用多种方法,极大程度上实现了电路整体的低功耗,并且采取了限幅、ESD电路,保障了电路的稳定性。采用标准CMOS工艺,设计出了低功耗、低电压工作的2.45GHz射频模拟前端芯片电路,芯片在0.8～1.8V电压内均可正常工作。芯片的静态工作电流为2μA,芯片工作时,平均工作电流约为65μA。; 李远鹏吴洪江默立冬; 关键词：射频标签整流器稳压源限幅

自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路: 本发明公开了一种自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路，涉及为提高效率和线性而对放大器进行改进的电路技术领域。偏置电路的电源输入端经电阻Rbias0分为四路，第一路与晶体管QA1的基极连接，第二路与晶体管QA2的集电极...; 默立冬方家兴蔡道民王绍东汪江涛

异质结双极型晶体管的制作方法: 本发明公开了一种异质结双极型晶体管的制作方法，涉及半导体微波器件的制作方法技术领域。所述方法通过调整多层低‑高‑低非均匀掺杂浓度和厚度的复合集电区，调节基极‑集电区电场分布；优化匹配基极浓度和发射极浓度及对应厚度，利用寄...; 蔡道民方家兴默立冬王绍东汪江涛; 文献传递

自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路: 本实用新型公开了一种自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路，涉及为提高效率和线性而对放大器进行改进的电路技术领域。偏置电路的电源输入端经电阻Rbias0分为四路，第一路与晶体管QA1的基极连接，第二路与晶体管QA2的集...; 默立冬方家兴蔡道民王绍东汪江涛; 文献传递

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