韩艳玲
- 作品数：8 被引量：2H指数：1
- 供职机构：广西大学物理科学与工程技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程电子电信更多>>
- 微量元素和烧结温度对硅基半导体中微观缺陷的影响
- 2011年
- 测量了不同C或B含量经不同烧结温度制备的Si基半导体、单晶Si、单晶SiO2、石墨和纯多晶B样品的正电子寿命谱和符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱。结果表明,石墨的商谱谱峰最高,SiO2的谱峰次之,B的谱峰最低。随着B,C和O原子序数的增加,与正电子湮没的电子动量增加。含20%的C和含100ppm的B的样品的商谱的谱峰最高;含100ppm的B的样品的谱峰次之;含1ppm的B的样品的谱峰最低。随着烧结温度的升高,含100ppm的B的Si基半导体样品的商谱降低,正电子寿命增长,缺陷开空间和浓度升高。
- 韩艳玲陈玉辉韩丽芳黄宇阳邓文
- 关键词：掺硼正电子湮没
- BaTiO3—CaSnO3系压电陶瓷中微观缺陷的正电子湮没研究
- 测量了不同CaSnO含量的(1-x)BaTiO—xCaSnO压电陶瓷样品符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱。实验结果表明,随着(1-x)BaTiO—xCaSnO陶瓷样品中CaSnO含量x的升高,正电子寿命谱的第二组分...
- 黄宇阳张伟唐锋意陈松韩艳玲邓文
- 关键词：正电子湮没
- 文献传递
- Si基半导体中微观缺陷和微量元素行为的正电子湮没研究
- 测量了不同C或B含量经不同温度下烧结制备的Si基半导体、单晶Si、单晶SiO、石墨和纯多晶B样品的正电子寿命谱和符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱。结果表明,石墨的商谱谱峰最高,SiO的谱峰次之,B的谱峰最低。随着B...
- 韩艳玲陈玉辉韩丽芳黄宇阳邓文
- 关键词：掺硼正电子湮没
- 文献传递
- Zn-40Al合金中微观缺陷和3d电子的正电子湮没
- 2009年
- 测量Zn单晶、Al单晶、铸态Zn60Al40合金以及冷轧Zn、Al、Zn60Al40的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱。结果表明,单晶Zn和铸态Zn60Al40合金的商谱在约17.4×10-3m0c处出现一个峰,主要是正电子与Zn中3d电子湮没的作用;当Zn原子和Al原子形成Zn60Al40合金时,Zn原子和Al原子间主要以金属键结合;轧制Al的商谱明显低于单晶Al的商谱,冷轧Zn60Al40合金商谱略低于铸态Zn60Al40合金商谱;而单晶Zn和轧制Zn的商谱几乎重叠;Al、Zn金属和Zn60Al40合金经冷轧后,由于样品中产生了缺陷,而导致正电子平均寿命增加,轧制Al的增幅最大,轧制Zn60Al40合金的增幅次之,而轧制Zn的增幅最小。
- 陈雪星郭秋娥韩艳玲黄宇阳邓文
- 关键词：正电子湮没
- Fe掺杂对CuAlO2微结构和热电性能的影响
- 测量了Fe掺杂对CuAlFeO(0≤X≤0.20)的符合正电子湮没辐射多勒展宽谱和寿命谱,获得样品中3d电子和缺陷的信息。结果表明,1)Fe掺杂增强CuAlFeO(0≤x≤0.2)正电子湮没辐射Doppler展宽谱的3d...
- 陈松唐宇王选理韩艳玲黄宇阳邓文
- 关键词：正电子湮没
- 文献传递
- La_2O_3掺杂对ZnNb_2O_6陶瓷微观缺陷和介电常数的影响被引量：1
- 2010年
- 通过测量不同La2O3含量的ZnLa2xNb2(1-x)O(6-2x)微波介质陶瓷的介电常数、符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,研究不同La2O3含量对该陶瓷介电常数和微观缺陷的影响。结果表明,x<0.20时,随着La2O3含量增加,样品正电子平均寿命τm和缺陷浓度减小,致密度、商谱谱峰和介电常数εr升高。x=0.20时,样品正电子平均寿命τm和缺陷浓度最小,致密度、商谱谱峰和介电常数εr最高。x≥0.30时,样品正电子平均寿命τm和缺陷浓度升高,致密度、商谱谱峰和介电常数εr降低。
- 唐宇陈松韩艳玲黄宇阳邓文
- 关键词：LA2O3介电常数
- La2O3掺杂对ZnNb2O6微波介质陶瓷微观缺陷和介电常数的影响
- 通过测量不同LaO含量的ZnLaNb2(1-x))O(6-2x))微波介质陶瓷的介电常数、符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获取了该陶瓷的介电常数和微观缺陷的信息。结果表明:当LaO含量较低(x<0.20)时,随着...
- 唐宇陈松韩艳玲王选理黄宇阳邓文
- 关键词：介电常数
- 文献传递
- Fe掺杂CuAlO_2的微结构和热电性能的正电子湮没研究被引量：1
- 2010年
- 测量了CuAl1-xFexO2样品的X射线衍射图、热电性能、符合正电子湮没辐射多谱勒展宽谱和寿命谱。结果表明,在CuAlO2中加入少量的Fe(x≤0.10),样品的正电子湮没辐射多谱勒展宽谱的3d信号增强,正电子S参数、正电子平均寿命和电阻率降低;当Fe含量较高(x>0.10)时,随Fe含量增加,CuAl1-xFexO2样品的正电子湮没辐射多谱勒展宽谱的3d信号降低,正电子S参数、正电子平均寿命和电阻率升高。CuAl1-xFexO2室温Seebeck系数随样品中缺陷浓度升高。讨论了Fe掺杂对CuAlO2微结构和热电性能的影响。
- 陈松唐宇王选理韩艳玲黄宇阳邓文
- 关键词：正电子湮没
