陈鹏
- 作品数：1 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心更多>>
- 发文基金：江西省科技支撑计划项目国家自然科学基金国家科技支撑计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 刻蚀AlN缓冲层对硅衬底N极性n-GaN表面粗化的影响被引量：1
- 2016年
- 研究了等离子体刻蚀Al N缓冲层对硅衬底N极性n-Ga N表面粗化行为的影响.实验结果表明,表面Al N缓冲层的状态对N极性n-Ga N的粗化行为影响很大,采用等离子体刻蚀去除一部分表面Al N缓冲层即可以有效提高N极性n-Ga N在KOH溶液中的粗化效果,Al N缓冲层未经任何刻蚀处理的样品粗化速度过慢,被刻蚀完全去除Al N缓冲层的样品容易出现粗化过头的现象.经X射线光电子能谱分析可知,等离子体刻蚀能够提高样品表面Al N缓冲层Al_2p的电子结合能,使得样品表面费米能级向导带底靠近,原子含量测试表明样品表面产生了大量的N空位,N空位提供电子,使得材料表面费米能级升高,这降低了KOH溶液和样品表面之间的肖特基势垒,从而有利于表面粗化的进行.通过等离子体刻蚀掉表面部分Al N缓冲层,改善了N极性n-Ga N在KOH溶液中的粗化效果,明显提升了对应发光二级管器件的出光功率.
- 王光绪陈鹏刘军林吴小明莫春兰全知觉江风益
- 关键词：氮化镓氮化铝表面粗化
