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磁控溅射和氨化法生长GaN纳米棒及其特性被引量：1: 2008年; 使用一种新奇的稀土元素铽(Tb)作催化剂,通过氨化磁控溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,合成了大量的GaN纳米棒,氨化温度为950℃,氨化时间为15min。该方法可以进行持续合成且制备的GaN纳米棒纯度较高、成本低廉。实验后分别用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和X射线光电子能谱(XPS)对样品进行了结构、表面形态和成分测试。通过XRD和XPS测试分析,合成的纳米棒具有六方纤锌矿GaN结构;通过SEM、TEM和HRTEM观察分析得出合成的纳米棒为单晶GaN纳米棒。简单讨论了GaN纳米棒的生长机制。; 薛成山陈金华庄惠照秦丽霞李红杨兆柱王邹平; 关键词：氮化镓溅射纳米棒单晶

氨化Si基Ga_2O_3/V薄膜制备GaN纳米线: 2008年; 为了制备高质量的GaN纳米结构,采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/V薄膜,然后在流动的氨气中进行氨化反应,成功制备出GaN纳米线。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行分析。研究结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN纳米线,且900℃时制备的纳米线质量最好,直径在60nm左右,长度达到十几微米。; 杨兆柱薛成山庄惠照王公堂秦丽霞李红陈金华黄英龙张冬冬; 关键词：磁控溅射 GAN V 纳米线

氨化法制备大量单晶GaN纳米线及其特性研究: 2008年; 利用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Co薄膜,然后在管式炉中通入流动的氨气在950℃对薄膜进行氨化,反应后成功制备出大量GaN纳米线。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品进行分析。结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线,纳米线的直径在50 nm^150 nm范围内,长度为几十微米。; 薛成山秦丽霞庄惠照陈金华杨兆柱李红; 关键词：磁控溅射氮化镓纳米线 X射线衍射

钽催化磁控溅射法制备GaN纳米线(英文)被引量：4: 2009年; 利用磁控溅射技术通过氨化Ga2O3/Ta薄膜,合成大量的一维单晶纤锌矿型氮化镓纳米线。用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜,选区电子衍射和光致发光谱对制备的氮化镓进行了表征。结果表明:制备的GaN纳米线是六方纤锌矿结构,其直径大约20～60nm,其最大长度可达10μm左右。室温下光致发光谱测试发现363nm处的较强紫外发光峰。另外,简单讨论了氮化镓纳米线的生长机制。; 薛成山李红庄惠照陈金华杨兆柱秦丽霞王英王邹平; 关键词：氮化物溅射

氨化Si基Ga_2O_3/Ti制备GaN纳米线被引量：3: 2007年; 采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Ti薄膜，然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射（xRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线。通过扫描电镜（SEM）观察发现纳米线的形貌，纳米棒的尺寸在50～150nm之间。; 孙莉莉薛成山艾玉杰孙传伟庄惠照张晓凯王福学陈金华李红; 关键词：磁控溅射氨化 GAN薄膜 TI

Mg_3N_2 粉末的合成和光致发光性质研究(英文): 2007年; Mg粉在800℃氨气流中氨化60min,可得到高质量的Mg3N2粉末。XRD分析表明,Mg3N2粉末是体心立方结构,晶格常数a=0.99657nm。SEM分析表明,Mg3N2粉末有多种形貌。PL测试表明,在激发波长为490nm的情况下,氮化镁粉末存在1个位于545nm的绿光发光峰。; 薛成山艾玉杰孙莉莉孙传伟庄惠照王福学杨兆柱秦丽霞陈金华李红; 关键词：氮化光致发光

氨化磁控溅射Ga<,2>O<,3>/Tb薄膜制备GaN纳米结构的研究: GaN是一种非常优异的Ⅲ-V族宽带隙半导体材料，具有高发光效率、高热导率、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性。室温下GaN的禁带宽度是3.4 eV可以实现从红外到紫外全可见光范围的光发射和红、黄、蓝三原色具备的...; 陈金华; 关键词：磁控溅射氨化法 GAN; 文献传递

退火温度对Tb催化GaN纳米棒的影响: 2009年; 用稀土金属铽(Tb)作催化剂,通过磁控溅射和退火氨化法成功制备出大量单晶GaN纳米棒,并研究退火温度对GaN纳米棒表面形貌、晶体质量和发光特性的影响。扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测试结果显示,随着退火温度的升高,纳米棒的直径和长度增大,结晶质量先变好后变差,PL测试发现了位于369nm处的强发光峰和387nm处的弱发光峰,其发光强度随退火温度的升高先增强后减弱,发光峰的位置并不改变,进而得出了制备GaN纳米棒的最佳退火温度为950℃。利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对950℃下制备的样品进行检测,结果显示样品为六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米棒。; 陈金华石鑫薛成山; 关键词：氮化镓纳米棒退火温度晶体生长

氨化Ga_2O_3/TiO_2/Si薄膜制备GaN纳米线: 2006年; 为了制备高质量的GaN纳米结构，采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／TiO2薄膜，然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应，成功制备出GaN纳米线．采用X射线衍射（XRD）、傅里叶红外吸收光谱（FTIR）、扫描电子显微镜（SEM）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）对样品进行分析．研究结果表明，采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线，纳米线的直径在100～400nm，纳米线的长度在3～10μm．; 孙莉莉薛成山孙传伟艾玉杰庄惠照王福学陈金华李红; 关键词：磁控溅射 GAN TIO2 纳米线

Synthesis and Characterization of GaN Nanorods by Ammoniating Ga_2O_3 /Co Films Deposited on Si(111) Substrates被引量：3: 2008年; GaN nanorods are successfully synthesized on Si（111） substrates with magnetron sputtering through ammoniating Ga2O3/Co films at 950℃. X-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy,and Fourier-transform infrared spectroscopy are used to characterize the samples. The results demonstrate that the nanorods are single-crystal GaN with a hexagonal wurtzite structure and possess relatively smooth surfaces. The growth mechanism of GaN nanorods is also discussed.; 秦丽霞薛成山庄惠照杨兆柱陈金华李红; 关键词：NANORODS

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陈金华