您的位置： 专家智库 > >

金树强

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇二维电子
  • 3篇二维电子气
  • 3篇PBTE
  • 3篇CDTE
  • 2篇电子密度
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结界面
  • 2篇迁移率
  • 1篇第一性原理
  • 1篇P

机构

  • 3篇浙江大学

作者

  • 3篇金树强
  • 2篇吴惠桢
  • 2篇张兵坡
  • 2篇蔡春锋

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构
本发明具体涉及一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构。本发明是一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构，所述的二维电子气结构是CdTe沿其晶体的极性面（111），（100）和（211）生长在PbTe表面上或...
吴惠桢蔡春锋金树强张兵坡
文献传递
PbTe/CdTe异质结构和界面电子态研究
PbTe/CdTe体系作为罕见的结构失配的新型异质结构越来越受到人们的关注。窄带隙Ⅳ-Ⅵ族半导体材料PbTe具有NaCl晶格结构,带隙在倒空间的L点；而Ⅱ-Ⅵ族材料CdTe具有闪锌矿晶格结构,带隙在倒空间的r点,这两种材...
金树强
关键词：第一性原理二维电子气
文献传递
一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构
本发明具体涉及一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构。本发明是一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构，所述的二维电子气结构是CdTe沿其晶体的极性面（111），（100）和（211）生长在PbTe表面上或...
吴惠桢蔡春锋金树强张兵坡
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0