邓彪
- 作品数：4 被引量：6H指数：1
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- In组分渐变提高InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光性能被引量：4
- 2010年
- 利用金属有机物化学气相沉积系统在蓝宝石衬底上通过有源层的变温生长,得到In组分渐变的量子阱结构,从而获得具有三角形能带结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)(简称三角形量子阱结构LED).变温光致发光谱结果表明,相对于传统具有方形能带结构的量子阱LED(简称方形量子阱结构LED),三角形量子阱结构有效提高了量子阱中电子和空穴波函数的空间交叠,从而增加了LED的内量子效率;电致发光谱结果表明,三角形量子阱结构LED器件与传统结构LED器件相比,明显改善了发光峰值波长随着电流的蓝移现象.通过以上的结果比较,三角形量子阱结构LED比传统结构LED具有更高的发光效率.
- 朱丽虹蔡加法李晓莹邓彪刘宝林
- 关键词：金属有机物化学气相沉积INGAN/GAN多量子阱发光二极管内量子效率
- 侧面粗化提高GaN基LED光提取效率的研究
- GaN基材料的禁带宽度从0.78eV-6.2eV连续可调,可以用来制备从紫外到红外的全色系发光二极管(LED)。GaN基LED的出现,使得白光LED的制备成为可能,白光LED被称为第四代照明光源,人类即将进入固态照明时代...
- 邓彪
- 关键词：氮化镓发光二极管光提取效率
- 文献传递
- 一种高出光效率GaN基发光二极管的制备方法
- 一种高出光效率GaN基发光二极管的制备方法，涉及一种发光二极管。制备LED的掩膜版，形成粗化的侧面；将光刻后的外延片从P型表面到N型GaN面刻蚀，刻蚀出台面结构，形成与台面高度相同的粗化结构，形成粗化的侧面；在具有台面结...
- 刘宝林邓彪朱丽虹
- 文献传递
- 侧面粗化提高GaN基LED出光效率研究被引量：1
- 2011年
- 通过对传统结构LED出光分析,提出采用侧面粗化来提高GaN基LED出光效率的方法,使用蒙特卡罗光子追踪方法对器件出光效率进行了模拟。结果表明:粗化侧面为三角状、底角为55°时出光效率最高,随机粗化可以获得比固定角度粗化更高的出光效率,同时降低材料的吸收系数可以提高LED的出光效率,在吸收系数为10/cm时,经过粗化后的LED出光效率可以达到46.1%。模拟结果证明侧面粗化可以较大地提高LED的出光效率。
- 邓彪刘宝林
- 关键词：GAN基发光二极管出光效率
