赵远
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：华中科技大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 一种刺激细胞同时产生干扰素、干扰素刺激基因产物和炎症因子的多肽、重组多肽及其用途
- 本发明公开了一种刺激细胞同时产生干扰素、干扰素刺激基因产物和炎症因子的多肽、重组多肽及其用途。本发明提供了一种多肽，其中，所述多肽来自人干扰素基因刺激因子(STING)蛋白或其同源蛋白，所述多肽能够：(a)抑制STING...
- 荣岳光赵远
- LSCO/PZT/LSCO集成铁电薄膜生长与性能研究
- 与传统E2PROM，FLASH等非挥发性存储器相比，新型非挥发铁电存储器FRAM具有低操作电压、快速读写操作、低功耗、信息保持时间长等优异的特性，因而非常适合于嵌入式开发应用。其中集成铁电薄膜是实现铁电存储器的关键。本文...
- 赵远
- 关键词：铁电薄膜沉积速率
- 文献传递
- LSCO/PZT/LSCO集成铁铁薄膜生长长性能研究
- 与传统E2PROM,FLASH等非挥发性存储器相比,新型非挥发铁电存储器FRAM具有低操作电压、快速读写操作、低功耗、信息保持时间长等优异的特性,因而非常适合于嵌入式开发应用。其中集成铁电薄膜是实现铁电存储器的关键。本论...
- 赵远
- 关键词：射频磁控溅射铁电性能
- 文献传递
- 一种用于铁电存储器的铁电薄膜电容及其制备方法
- 本发明属于铁电存储器技术领域，公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法。铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅层、二氧化钛粘结层、金属铂导电层、铅酸钡下电极层、铁电薄膜层和铅酸钡上电极层构成；其中铅酸钡下电极层厚度为1...
- 于军闻心怡王耘波周文利高俊雄李建军赵远
- 文献传递
- LSCO/PZT/LSCO集成铁铁薄膜生长性能研究
- 与传统E2PROM,FLASH等非挥发性存储器相比,新型非挥发铁电存储器FRAM具有低操作电压、快速读写操作、低功耗、信息保持时间长等优异的特性,因而非常适合于嵌入式开发应用。其中集成铁电薄膜是实现铁电存储器的关键。本论...
- 赵远
- 关键词：射频磁控溅射铁电性能
- 溶胶凝胶燃烧制备LSCO靶材的结构和电性能
- 2010年
- 采用溶胶凝胶自燃烧法,选择不同的烧结温度和镧过量系数,制备出品质各异的La0.5Sr0.5CoO3靶材.分别使用X射线衍射仪(XRD)、环境扫描电子显微镜(ESEM)及四探针测试仪对靶材的成相品质、显微结构和电阻率进行表征.通过对比和分析,确定出最佳工艺为:烧结温度1200℃,镧过量系数0.03.由此制备出物相集中、晶粒均匀且结合致密、杂相及孔洞缺陷少的优质La0.5Sr0.5CoO3靶材.
- 于军赵远闻心怡王耘波
- 关键词：靶材电阻率
