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许鸿斌

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇纳米
  • 4篇衬底
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇氧化锌薄膜
  • 2篇氧化锌纳米
  • 2篇氧化锌纳米棒
  • 2篇原子层沉积
  • 2篇受主
  • 2篇气体分子
  • 2篇迁移率
  • 2篇无模
  • 2篇锌盐
  • 2篇锌源
  • 2篇硫化
  • 2篇硫化锌
  • 2篇氯盐
  • 2篇纳米棒
  • 2篇纳米材料
  • 2篇纳米阵列
  • 2篇内角

机构

  • 10篇浙江大学

作者

  • 10篇许鸿斌
  • 9篇朱丽萍
  • 4篇文震
  • 4篇万尾甜
  • 4篇张翔宇
  • 4篇陈文丰
  • 2篇胡亮
  • 2篇赵冉
  • 2篇牛文哲
  • 2篇李亚光
  • 2篇杨美佳
  • 1篇郭艳敏
  • 1篇杨治国
  • 1篇叶志镇

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 3篇2013
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有核壳纳米结构的高效光催化剂的制备方法
本发明公开了一种具有核壳纳米结构的高效光催化剂的制备方法，步骤如下：1）在清洁的衬底上制备ZnO籽晶层；2）将步骤1）的具有籽晶层的衬底置于管式炉内，以ZnO粉末及C粉的混合粉末为反应源，加热使反应源温度为900~100...
朱丽萍赵冉许鸿斌
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一种菱形氧化锌纳米棒阵列及其制备方法
本发明公开了一种菱形氧化锌纳米棒阵列，菱形的边长为100～1000nm，菱形内角的锐角为30°～60°，阵列的长度为5μm～20μm。本发明氧化锌纳米棒阵列具有较大的比表面积和电子迁移率，可以提供更多空间以利于气体分子的...
朱丽萍文震牛文哲万尾甜许鸿斌陈文丰周梦萦张翔宇
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一种菱形氧化锌纳米棒阵列及其制备方法
本发明公开了一种菱形氧化锌纳米棒阵列，菱形的边长为100～1000nm，菱形内角的锐角为30°～60°，阵列的长度为5μm～20μm。本发明氧化锌纳米棒阵列具有较大的比表面积和电子迁移率，可以提供更多空间以利于气体分子的...
朱丽萍文震牛文哲万尾甜许鸿斌陈文丰周梦萦张翔宇
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一种硫氮共掺杂制备p型氧化锌薄膜的方法
本发明公开了一种硫氮共掺杂制备p型氧化锌薄膜的方法，选用射频磁控溅射系统作为镀膜设备，选用硫化锌陶瓷作为靶材，首先对衬底材料清洗干净并用氮气吹干；然后进行预溅射，除去靶材表面的杂质、污物；接下来通入反应气体进行溅射；退火...
朱丽萍许鸿斌
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镁镍氧基多波段日盲区紫外探测器及其制备方法
本发明涉及一种镁镍氧基多波段日盲区紫外探测器，包括沿垂直方向依次设置的衬底，底层NiO薄膜，两层以上的多层镁镍氧薄膜，帽层NiO薄膜，第一金属电极（欧姆接触）和第二金属电极（肖特基接触），所述的多层镁镍氧薄膜由沿垂直方向...
朱丽萍郭艳敏杨治国许鸿斌宋世燕叶志镇
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ZnOS合金薄膜及S-N共掺杂p型ZnO薄膜的结构与光电性能研究
ZnO是重要的宽带隙化合物半导体，激子束缚能高达60meV，在短波长光电器件领域具有巨大的应用潜力。ZnOS合金体系具有较大的弯曲系数，且研究表明S的加入抬升了ZnO的价带顶，降低了受主激活能，可提高p型掺杂的效率。本文...
许鸿斌
关键词：合金薄膜P型掺杂光电性能
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一种硫氮共掺杂制备p型氧化锌薄膜的方法
本发明公开了一种硫氮共掺杂制备p型氧化锌薄膜的方法，选用射频磁控溅射系统作为镀膜设备，选用硫化锌陶瓷作为靶材，首先对衬底材料清洗干净并用氮气吹干；然后进行预溅射，除去靶材表面的杂质、污物；接下来通入反应气体进行溅射；退火...
朱丽萍许鸿斌
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过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列的制备方法及包括该纳米阵列的半导体器件
本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，是一种利用无模板电化学沉积生长过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列的方法。本发明采用标准三电极体系，以铂电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，导电基底作为工作电极。电解液由KCl、锌源Z...
朱丽萍万尾甜杨美佳胡亮李亚光许鸿斌陈文丰文震周梦萦张翔宇
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过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列的制备方法及包括该纳米阵列的半导体器件
本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，是一种利用无模板电化学沉积生长过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列的方法。本发明采用标准三电极体系，以铂电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，导电基底作为工作电极。电解液由KCl、锌源Z...
朱丽萍万尾甜杨美佳胡亮李亚光许鸿斌陈文丰文震周梦萦张翔宇
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一种具有核壳纳米结构的高效光催化剂的制备方法
本发明公开了一种具有核壳纳米结构的高效光催化剂的制备方法，步骤如下：1）在清洁的衬底上制备ZnO籽晶层；2）将步骤1）的具有籽晶层的衬底置于管式炉内，以ZnO粉末及C粉的混合粉末为反应源，加热使反应源温度为900~100...
朱丽萍赵冉许鸿斌
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