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董建荣

作品数：180 被引量：16H指数：2
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 145篇专利
  • 23篇期刊文章
  • 10篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 27篇电子电信
  • 12篇电气工程
  • 6篇理学
  • 5篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 125篇电池
  • 50篇激光
  • 50篇衬底
  • 41篇隧道结
  • 39篇晶格
  • 38篇太阳能电池
  • 37篇太阳能
  • 36篇光伏电池
  • 33篇光伏
  • 31篇太阳电池
  • 22篇电极
  • 21篇电阻
  • 21篇级联
  • 21篇键合
  • 21篇半导体
  • 20篇激光器
  • 15篇晶格常数
  • 14篇电池效率
  • 13篇面发射
  • 12篇面发射激光器

机构

  • 180篇中国科学院
  • 6篇中国科学技术...
  • 2篇泉州信息工程...
  • 1篇上海大学
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇上海空间电源...
  • 1篇江苏中天科技...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 180篇董建荣
  • 129篇杨辉
  • 122篇赵勇明
  • 120篇孙玉润
  • 117篇于淑珍
  • 108篇李奎龙
  • 96篇赵春雨
  • 76篇曾徐路
  • 25篇陆书龙
  • 13篇何巍
  • 12篇陆大成
  • 10篇张瑞英
  • 10篇何洋
  • 9篇季莲
  • 8篇王晓晖
  • 8篇刘祥林
  • 8篇王占国
  • 7篇汪度
  • 6篇宋焱
  • 4篇黄寓洋

传媒

  • 7篇Journa...
  • 6篇半导体技术
  • 5篇第十三届全国...
  • 3篇光子学报
  • 2篇激光与光电子...
  • 2篇光散射学报
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第12届全国...
  • 1篇第四届全国固...

年份

  • 4篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2020
  • 1篇2018
  • 16篇2017
  • 21篇2016
  • 21篇2015
  • 9篇2014
  • 40篇2013
  • 28篇2012
  • 11篇2011
  • 6篇2010
  • 2篇1998
  • 10篇1996
  • 2篇1995
  • 2篇1994
共 180 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种宽谱广角增透亚波长结构的制备方法
本发明深入微纳光子技术领域的研究，揭示了一种宽谱广角增透亚波长结构的制备方法，其步骤为先在需要宽谱广角增透的基底材料表面蒸镀一定厚度铝或钛的金属膜；而后放入阳极氧化槽装置中进行完全阳极氧化，形成从基底表面金属氧化物垒层到...
张瑞英董建荣杨辉
一种激光光伏电池及其制作方法
本申请公开了一种激光光伏电池，包括隔离槽，该隔离槽将所述的光伏电池分隔成多个电池单元，电池单元之间串联连接，所述的隔离槽的内壁表面上依次形成有聚酰亚胺层、介质膜层和金属遮光层。本发明还公开了一种激光光伏电池的制作方法。本...
赵春雨董建荣于淑珍赵勇明李奎龙孙玉润曾徐路杨辉
文献传递
GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法
本申请公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法，其特征在于：采用GaAs作为支撑衬底，在其中一面键合一层InP，通过双面生长技术，分别在GaAs衬底上生长与GaAs晶格匹配的...
赵勇明董建荣李奎龙孙玉润曾徐路于淑珍赵春雨杨辉
文献传递
GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法
本发明公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池和与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池，该两...
李奎龙董建荣陆书龙赵勇明于淑珍杨辉
四结级联太阳能电池及其制备方法
本发明提供一种四结级联太阳能电池，包括InP的衬底层，以及在所述衬底层上依次设置的InGaAs子电池、第一隧道结、InGaAsP子电池、第二隧道结、渐变过渡层、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层...
李奎龙孙玉润于淑珍赵勇明赵春雨董建荣杨辉
文献传递
一种面发射激光器及其制备方法
本发明公开了一种面发射激光器，从下至上依次为底电极、衬底、下布拉格反射镜、有源区、氧化限制层、上布拉格反射镜、接触层、外接电极、还包括隔离槽以及覆设于所述隔离槽表面的钝化层，以及连接于所述接触层与所述外接电极之间的接触电...
赵勇明孙玉润于淑珍何洋宋焱董建荣
文献传递
ＧａＡｓ／Ａｌ＃-[0]、＃-[35]Ｇａｏ＃-[65]Ａｓ多量子阱结构的ＭＯＶＰＥ
董建荣陆大成
关键词：砷化镓多量子阱结构砷化铝汽相外延生长
双结串行式InGaAs/InGaAsP双端太阳电池及其制作方法
本发明揭示了一种应用于太阳光谱长波段的双结串联式InGaAs/InGaAsP高效双端太阳电池的制作方法。本发明利用p+InGaAs/n+InGaAs作为隧道结，将基于InP衬底上的InGaAs和InGaAsP太阳电池结果...
何巍董建荣陆书龙熊康林赵勇明任雪勇黄伍桥杨辉
文献传递
三结太阳电池及其制备方法
本发明提供一种三结太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧...
于淑珍董建荣李奎龙孙玉润曾徐路赵勇明赵春雨杨辉
文献传递
InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究被引量：2
1998年
本文在国内首次报道了利用ＩｎＡｓ外延薄膜制作霍尔器件，通过分子束外延技术在ＧａＡｓ衬底上生长的ＩｎＡｓ薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性．用这种材料制作的霍尔器件在每千欧姆内阻条件下灵敏度与ＧａＡｓ平面Ｈａｌ器件相比提高了５０％．
王红梅曾一平周宏伟董建荣潘栋潘量孔梅影
关键词：砷化铟MBE生长
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