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罗南林
作品数:
6
被引量:5
H指数:2
供职机构:
广东农工商管理学院
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相关领域:
自动化与计算机技术
机械工程
电子电信
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合作作者
杨春晖
信息产业部电子第五研究所
刘百勇
华南理工大学理学院物理系
吴福根
广东工业大学
杨春晖
华南理工大学理学院应用物理系
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广东工业大学
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信息产业部电...
1篇
信息产业部
作者
6篇
罗南林
4篇
刘百勇
4篇
杨春晖
1篇
吴福根
1篇
杨春晖
传媒
2篇
仪表技术与传...
1篇
半导体技术
1篇
新技术新工艺
1篇
电子质量
1篇
广东工业大学...
年份
1篇
2000
2篇
1999
2篇
1998
1篇
1997
共
6
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横向固相外延生长及其影响因素的研究
被引量:2
1998年
对非超高真空条件下在有SiO2图形的硅单晶衬底上用离子束溅射淀积非晶硅薄膜,经过真空退火形成的横向固相外延生长及其影响因素进行了研究,得出了有利于L-SPE生长的材料参数和工艺处理条件。
罗南林
杨春晖
刘百勇
关键词:
固相外延
溅射
二氧化硅
用电化学方法测量磷化氢浓度的原理及应用
被引量:2
1998年
本文基于磷化氢与氯化汞的化学反应及溶液的电化学原理,定量研究了磷化氢浓度与该溶液电导率变化量之间的关系,并将其应用到磷化氢浓度传感器上,得出该传感器灵敏度的计算公式。在实验基础上,确定了该磷化氢浓度传感器的实际灵敏度。
杨春晖
罗南林
刘百勇
关键词:
浓度传感器
电导率
灵敏度
磷化氢
电化学
SOI技术及其最新进展
被引量:1
1999年
介绍了近年来实现三维集成电路中的关键技术——— S O I 技术的各类方法,重点讨论了各种 S O I技术的最新进展.
罗南林
吴福根
关键词:
单晶硅
SOI技术
集成电路
离子注入
镱薄膜应力传感器的工艺研究
被引量:1
2000年
介绍了镱薄膜应力传感器的工艺设计和制造过程 ,通过传感器的静态、动态标定及材料测试 。
杨春晖
罗南林
熊兴邦
左齐鸣
关键词:
应力传感器
蒸发
SRT传感器的封装热学特性研究
1999年
主要分析SRT传感器的传热过程,建立传热模型,从理论上分析其瞬态热响应特性,得出了理论的热响应曲线和热时间常数表达式,计算出塑封SRT传感器典型的热时间常数值。
罗南林
杨春晖
刘百勇
陈斗南
关键词:
热特性
封装
温度测量
SRT传感器技术及应用
1997年
介绍了SRT传感器的工作原理、结构特点封装技术及其广阔的应用前景。
杨春晖
罗南林
刘百勇
关键词:
温度传感器
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