段雪
- 作品数：24 被引量：17H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- P波段350 W LDMOS功率管研制
- 由于LDMOS器件制作工艺和性能的不断提升,LDMOS功率管已成为硅微波功率晶体管的主流。报道了采用亚微米多晶硅栅技术研制成功的P波段LDMOSFET的主要设计和工艺,通过减小寄生电容和电阻,改善了器件频率性能;通过LD...
- 郎秀兰段雪刘英坤邓建国胡顺欣刘忠山李明月潘茹黄雒光张晓帆
- 文献传递
- 大圆片上精细图形多层难熔金属刻蚀技术研究
- 本文分析了用反应离子刻蚀系统(RIE)刻蚀多层难熔金属的可行性,研究了用下电极表面材料为阳极氧化铝的RIE连续刻蚀Au、Pt、W、Ti四层难熔金属的刻蚀技术.通过实验证明了阳极氧化铝经氩离子轰击后,在用SF6和CF4等离...
- 段雪邓建国刘英坤王书明苏丽娟韩东林率兵
- 关键词：RIE阳极氧化铝
- 文献传递
- 双层侧壁保护的硅深槽刻蚀工艺技术研究
- 本文介绍一种先进的ICP硅深槽刻蚀工艺,在刻蚀周期中引入少量的O2,形成由CFx聚合物淀积和氧离子幅照产生的双层保护层,强烈保护硅槽侧壁不被刻蚀,保证了高的各向异性刻蚀,有效的改善了硅深槽侧壁形貌,使得侧壁平坦光滑.
- 邓建国刘英坤张振宇苏丽娟段雪
- 关键词：ICP硅各向异性刻蚀
- 文献传递
- 超快响应GaN半导体光导开关的研制
- 2022年
- 半导体光导开关(PCSS)利用半导体材料的高耐压、快速响应与高迁移率等特性,可产生大功率超窄脉冲信号。利用半绝缘GaN材料制备了异面斜对电极PCSS,通过去除芯片侧边金属化合物来减小暗态电阻,提升了PCSS暗态耐压并降低暗态漏电,采用绝缘导热封装提升器件的耐压与可靠性,研制了快拆式测试电路与夹具,实现储能、触发与低寄生同轴输出功能,提升了高频测试准确度与高频响应能力。搭建了高压宽带PCSS测试系统,测量开关线性工作特性,在5 kV偏置电压、触发激光脉冲波长为532 nm、能量为5 mJ下,GaN PCSS在50Ω负载上输出超快脉冲信号电压峰峰值大于2 kV,脉冲信号上升沿小于88 ps。
- 陈湘锦刘京亮段雪银军吴洪江
- 关键词：GAN
- 微波功率LDMOS的工艺仿真及研制被引量：1
- 2007年
- 利用工艺仿真软件Tsuprem 4,针对氧化、退火等工艺进行仿真及校准,并据此对LDMOSFET进行了设计及工艺仿真。结合Medici得到LDMOSFET的结构参数以及相应电学参数,与研制结果进行了比较,仿真结果与实际研制结果吻合较好,实现了在工作频率1 GHz,VDD=28 V条件下,输出功率Po=10 W,Gp=10 dB,η=55%的良好性能。
- 冯彬刘英坤孙艳玲段雪董四华
- 重掺杂多晶硅栅功率VDMOSFET辐射效应研究
- 开展了不同工艺制作的重掺杂多晶硅栅n沟增强型功率VDMOSFET电离辐照效应实验研究,从n型重掺杂多晶硅制作工艺引起晶粒间复杂结构变化的角度分析解释了辐照实验中出现的阈值电压正漂和负漂两种不同趋势的辐射效应,提出了利用改...
- 段雪董四华刘英坤田秀伟邓建国孙艳玲冯彬
- 关键词：VDMOSFET电离辐射阈值电压
- 文献传递
- 双层侧壁保护的Si深槽刻蚀技术被引量：4
- 2008年
- 提出了一种先进的ICP Si深槽刻蚀工艺。在"Bosch"工艺的基础上加以改进,以SF6/O2作为刻蚀气体,C4F8作为侧壁钝化气体,通过在刻蚀过程中引入少量的O2,使得在刻蚀Si深槽过程中侧壁形成由氧离子辐照产生的SiO2薄膜和CFx聚合物淀积产生的双层保护层,强烈保护Si槽侧壁不被刻蚀,保证了良好的各向异性刻蚀。同时,通过优化刻蚀和钝化的时间周期,进一步提高了刻蚀后Si槽的陡直度和平滑的侧壁效果。采用这种工艺技术可制作出满足台面晶体管、高性能梳状沟槽基区晶体管需要的无损伤、平滑陡直的Si槽侧壁形貌。
- 邓建国刘英坤段雪苏丽娟
- 关键词：感应耦合等离子体硅各向异性刻蚀
- 功率半导体器件制作方法及功率半导体器件
- 本发明适用于半导体及微电子技术领域，提供了一种功率半导体器件制作方法及功率半导体器件，包括：对基板双面金属化，其中基板正面形成三个金属化区域，并在所述基板的正面三个金属化区域表面分别粘接热沉片；将所述基板的背面粘接在金属...
- 段雪洪求龙银军李明磊黄雒光张志国高永辉徐会博
- 文献传递
- 功率器件制备方法
- 本发明适用于功率器件技术领域，提供了一种功率器件制备方法，本方法将所述预失真电路和所述阻抗变换器集成形成单片微波集成电路，并结合功率芯片内匹配设计实现高线性度功率器件，有效解决了采用常规方法设计的功率器件存在大功率、高效...
- 吴家锋赵夕彬段雪银军黄雒光
- 文献传递
- 功率VDMOSFET单粒子效应研究被引量：4
- 2008年
- 阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。通过对所研制的漏源击穿电压分别为65V和112V两种n沟功率VDMOS-FET器件样品进行锎源252Cf单粒子模拟辐射实验,研究了新技术VDMOSFET的单粒子辐射敏感性。实验结果表明,两种器件样品在锎源单粒子模拟辐射实验中的漏源安全电压分别达到61V和110V,验证了新结构和新工艺在提高功率VDMOSFET抗单粒子效应方面的有效性。
- 段雪郎秀兰刘英坤董四华崔占东刘忠山孙艳玲胡顺欣冯彬
- 关键词：单粒子烧毁
