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李军帅

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：北京邮电大学更多>>
发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇纳米
  • 7篇纳米线
  • 3篇电池
  • 3篇太阳能
  • 3篇太阳能电池
  • 2篇电子器件
  • 2篇隧道结
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇纳米光电子器...
  • 2篇金属薄膜
  • 2篇光电
  • 2篇光电子
  • 2篇光电子器件
  • 2篇PN结
  • 2篇衬底
  • 2篇GAAS
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇电极

机构

  • 7篇北京邮电大学

作者

  • 7篇李军帅
  • 6篇颜鑫
  • 6篇黄永清
  • 6篇张霞
  • 6篇任晓敏
  • 2篇崔建功
  • 2篇王思佳

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇物理化学学报

年份

  • 3篇2016
  • 2篇2014
  • 2篇2013
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
在纳米线侧壁生长量子点的复合纳异质结构的制备方法
本发明公开了一种在纳米线侧壁生长量子点的复合纳异质结构的制备方法，涉及纳米工程领域。所述方法采用MOCVD设备，具体包括步骤：在衬底上沉积纳米金属颗粒或者金属薄膜，退火后形成纳米合金颗粒；以纳米合金颗粒作为催化物，沿与衬...
张霞任晓敏颜鑫李军帅黄永清
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一种基于多节纳米线径向pn结的太阳能电池及制备方法
一种基于多节纳米线径向pn结的太阳能电池，其特征在于，包括：径向pn结、重掺杂隧道结、电介质薄膜、衬底、透明电极、背电极；其中：径向pn结，包括纳米线和壳层，壳层位于纳米线外侧，所述径向pn结至少为二个，沿纳米线轴向方向...
颜鑫张霞李军帅王思佳黄永清任晓敏
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利用表面修饰调制GaAs纳米线的电子结构
2014年
采用第一性原理的密度泛函方法,研究了利用表面修饰来调制GaAs纳米线的电子结构.在计算中考虑了几种不同的表面钝化材料(H、F、Cl、Br和I)对GaAs纳米线电子结构的影响.计算结果表明,不同的原子修饰GaAs纳米线时对其能带结构的调制主要取决于它们对纳米线表面态的饱和能力.表面修饰不仅可以调节GaAs纳米线的能隙大小,而且也可以调制其能隙类型.GaAs纳米线的电子结构由表面效应和量子限制效应共同来决定.使用不同材料修饰表面的GaAs纳米线的能隙随直径的变化幅度并不相同.表面修饰为实现同种直径和同种结构的GaAs纳米线的能带工程提供了一种新的途径.
崔建功张霞颜鑫李军帅黄永清任晓敏
关键词：第一性原理计算表面修饰电子结构
在纳米线侧壁生长量子点的复合纳异质结构的制备方法
本发明公开了一种在纳米线侧壁生长量子点的复合纳异质结构的制备方法，涉及纳米工程领域。所述方法采用MOCVD设备，具体包括步骤：在衬底上沉积纳米金属颗粒或者金属薄膜，退火后形成纳米合金颗粒；以纳米合金颗粒作为催化物，沿与衬...
张霞任晓敏颜鑫李军帅黄永清
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Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的掺杂制备及其在光探测器中的应用研究
近年来,半导体纳米线以其极小的径向尺寸、易于实现异质兼容的结构特征和新奇的物理特性成为信息材料领域的研究热点。相比用于传统集成电路制造的硅材料,Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体纳米线具有直接带隙和高电子迁移率的优势,在低功耗、高速、...
李军帅
关键词：纳米线掺杂光探测器太阳能电池
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GaAs纳米线及GaAs/In_xGa_(1-x)As/GaAs纳米线径向异质结构的无催化选区生长的实验研究被引量：1
2014年
利用无催化选区金属有机化学气相沉积(SA-MOCVD)法在GaAs(111)B衬底上分别制备了GaAs纳米线和GaAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线径向异质结构.系统地研究了生长条件对GaAs纳米线生长的影响.实验结果显示,GaAs纳米线的形貌和长度依赖于生长温度、AsH3的分压以及SiO2掩膜表面的圆孔直径.因此可以通过调节以上因素来得到高质量的GaAs纳米线.并且发现扩散是影响无催化选区生长GaAs纳米线的主要机理.微区光致发光谱(μ-PL)表明,GaAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线径向异质结构被成功合成,室温(300 K)下它的发光波长为913 nm.这些结果对于GaAs纳米线及其异质结构制备的进一步研究及其在光电子器件中的应用具有很好的参考价值.
崔建功张霞颜鑫李军帅黄永清任晓敏
一种基于多节纳米线径向pn结的太阳能电池及制备方法
一种基于多节纳米线径向pn结的太阳能电池，其特征在于，包括：径向pn结、重掺杂隧道结、电介质薄膜、衬底、透明电极、背电极；其中：径向pn结，包括纳米线和壳层，壳层位于纳米线外侧，所述径向pn结至少为二个，沿纳米线轴向方向...
颜鑫张霞李军帅王思佳黄永清任晓敏
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