您的位置： 专家智库 > >

李井龙

作品数：5 被引量：7H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 2篇手机
  • 2篇天线
  • 2篇放大器
  • 2篇W-CDMA...
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇低频
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电路
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇三阶交调
  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓衬底
  • 1篇特性分析
  • 1篇通信
  • 1篇偶极子
  • 1篇偶极子天线

机构

  • 5篇中国科学院微...

作者

  • 5篇李井龙
  • 3篇阎跃鹏
  • 2篇韩振宇
  • 1篇陈晓娟
  • 1篇张海英
  • 1篇李志强
  • 1篇肖婷婷
  • 1篇于进勇
  • 1篇刘洪民
  • 1篇刘新宇
  • 1篇陈晓哲
  • 1篇武锦

传媒

  • 3篇电子器件
  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
Ka波段低噪声放大器的设计被引量：6
2004年
利用 p HEMT工艺设计了一个 Ka波段微波单片低噪声放大器电路。电路采用四级放大的结构形式。利用微带电路实现射频输入、输出和级间匹配。采用多目标优化方法对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数和输出 1 d B压缩点等特性进行了研究。设计出一个增益大于 2 0 d B,噪声系数小于 1 .0 d B,1 d B压缩点的输出功率在 1 0 d Bm以上 ,性能优异的 LNA。
韩振宇张海英刘洪民李井龙陈晓哲
关键词：毫米波单片集成电路KA波段赝配高电子迁移率晶体管低噪声放大器
基于砷化镓衬底的集成天线特性分析
2005年
介绍一种可以应用在系统集成(SOC)和芯片间通信方面的结构紧凑的平面天线,制造于砷化镓半绝缘衬底上的Z字型印刷偶极子天线由一个微带—共面转换器馈电。同时也介绍了一套测试天线特性的测试系统,测试结果表明进行芯片内部和芯片之间的无线互联是可行的。
李井龙韩振宇
关键词：偶极子天线砷化镓无线通信
基于波导技术的C波段空间功率合成放大模块研究
在本文中我们详细介绍了C波段(3.7～4.2 GHz)空间功率合成器的基本结构和设计考虑,采用一种简单实用的双鳍Arc槽状天线作为功分和功合为MMIC PA管提供输入和输出功率,最终得到了1×2结构的空间功率合成器在C波...
武锦阎跃鹏刘新宇李井龙陈晓娟
关键词：C波段
文献传递
W-CDMA手机用功率放大器的ACPR不对称性研究
2007年
分析了偶次交调产生的低频因素对临近通道泄漏功率比(ACPR)不对称性的影响;根据实际功率放大器结构提出了一种等效低通滤波器模型;仿真验证了该低通滤波器的带宽和阶数对ACPR不对称性的影响;测试中通过改变该低通滤波器的带宽和阶数,使得ACPR不对称性改善了3.72dB,同时ACPR降低了2.95dB,提高了功放的线性度.
肖婷婷阎跃鹏李志强李井龙于进勇
关键词：W-CDMA
W-CDMA手机用功放的临道泄漏的低频因素分析被引量：1
2006年
分析了W-CDMA移动终端用功率放大器在AB类工作状态下由低频因素引起的非线性失真的机理,利用频域分析的方法建立了放大器的数学模型。通过模型计算了低频因素和三次交调对临近信道功率泄漏的影响,实验结果表明大功率输出时低频因素引起的临近信道功率比的恶化可达3.4dB。
李井龙阎跃鹏
关键词：三阶交调
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0