朱鸣
- 作品数：10 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 绝缘体上硅的衬底上混合结构栅介质材料的制备方法
- 本发明涉及一种绝缘体上的硅衬底上氧化铪和氧化铝混合结构新型高介电常数栅介质材料的制备方法。属于微电子与固体电子学中介质材料的制造工艺，其特征在于系利用超高真空电子束蒸发的技术，用HfO<Sub>2</Sub>源和Al<S...
- 林成鲁朱鸣林青张苗
- 文献传递
- N^+、O^+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟
- 2003年
- 将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于<100>硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构。本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与实验制作的样品所做截面透射电镜(TEM)测试结果进行了比较,发现模拟结果与实验所得数据吻合。
- 林青刘相华朱鸣谢欣云林成鲁
- 关键词：氧离子离子注入硅片计算机模拟
- SOI器件中浮体效应的研究进展被引量：2
- 2002年
- SOI(SiliconOnInsulator)器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应,将显著地影响器件的性能。本文阐述了浮体效应产生的原因以及它对SOI器件和电路的影响,并从体接触和工艺角度两个方面介绍了目前国际上比较优异的抑制浮体效应的几种典型器件结构。
- 朱鸣林成鲁邢昆山
- 关键词：SOI器件浮体效应
- SiGe源结构SOI器件浮体效应的模拟与分析
- 本文对Si<,1-x>Ge<,x>源结构的SOI器件中的浮体效应进行了模拟,并且与普通的SOI器件进行了比较.发现源区采用SiGe材料后,输出曲线上的翘曲现象得到了减弱,击穿电压得到了提高,说明浮体效应得到了明显的抑制....
- 朱鸣林青张正选林成鲁
- 关键词：SIGESOI器件浮体效应SOI器件
- 文献传递
- 超薄SOI上应变锗硅材料的生长
- 超薄SOI的顶层硅和中间氧化层之间所形成的垂直键有足够的强度,而非晶氧化层又可以使顶层Si在其上滑移,所以SOI常常用来作为'容忍型衬氏'.薄膜中应力使SiGe材料的能谷发生分裂,电子和空穴的迁移率因此大大提高.本文中,...
- 狄增峰张苗吴雁军安正华朱鸣刘卫丽林成鲁
- 关键词：锗硅材料
- 文献传递
- SiGe源结构SOI器件浮体效应的模拟与分析
- 本文对Si<,1-X>Ge<,x>源结构的SOI器件中的浮体效应进行了模拟,并且与普通的SOI器件进行了比较.发现源区采用SiGe材料后,输出曲线上的翘曲现象得到了减弱,击穿电压得到了提高,说明浮体效应得到了明显的抑制....
- 朱鸣林青张正选林成鲁
- 关键词：半导体器件浮体效应
- 文献传递
- SOI的自加热效应与SOI新结构的研究被引量：4
- 2002年
- 阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等。结合SOI新结构制备工作,报道了SOI的自加热效应及其新结构的研究进展。
- 林青谢欣云朱鸣张苗林成鲁
- 关键词：自加热效应沟道电流负微分迁移率SOI
- SOI MOSFET热载流子效应的模拟研究
- 本文对SOI MOS器件热载流子效应产生的机理进行了分析,并采用器件模拟的方法,对SOI NMOSFET和SOI PMOSFET的热载流子效应进行了研究分析.
- 林青朱鸣吴雁军张正选林成鲁
- 关键词：热载流子效应
- 文献传递
- 新结构SOI材料与器件物理研究
- 集成电路正在从微电子时代发展到微纳电子时代，现有的体硅材料和工艺正接近它们的物理极限，遇到了严峻的挑战，必须在材料和技术上有重大突破。SOI(SilicononInsulator)技术能突破体硅材料与集成电路的限制，将成...
- 朱鸣
- 关键词：自加热效应浮体效应微电子学固体电子学
- 文献传递
- 绝缘体上硅的衬底上混合结构栅介质材料的制备方法
- 本发明涉及一种绝缘体上的硅衬底上氧化铪和氧化铝混合结构新型高介电常数栅介质材料的制备方法。属于微电子与固体电子学中介质材料的制造工艺，其特征在于系利用超高真空电子束蒸发的技术，用HfO<Sub>2</Sub>源和Al<S...
- 林成鲁朱鸣林青张苗
- 文献传递
