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朱锋

作品数:4 被引量:9H指数:2
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
相关领域:电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇机械工程

主题

  • 2篇小型化
  • 2篇滤波器
  • 2篇开关
  • 2篇毫米波
  • 2篇高通
  • 2篇高通滤波
  • 2篇高通滤波器
  • 2篇MEMS
  • 1篇英文
  • 1篇射频微机电系...
  • 1篇射频微机电系...
  • 1篇通孔
  • 1篇小型化设计
  • 1篇RF_MEM...
  • 1篇MEMS开关

机构

  • 4篇南京电子器件...
  • 2篇南京大学

作者

  • 4篇朱锋
  • 3篇郁元卫
  • 3篇朱健
  • 2篇侯智昊

传媒

  • 1篇自动化与仪器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 2篇2017
  • 2篇2012
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
小型化MEMS高通滤波器研究
介绍了一种小型高性能的高通滤波器,该高通滤波器利用两层硅片来实现悬置带线的结构,采用立体布线和通孔的方式来接地,运用HFSS三维电磁场仿真软件设计出了一款截止频率为7.6GHz的MEMS高通滤波器,运用MEMS工艺在两层...
朱锋陶子文郁元卫朱健
关键词:高通滤波器小型化设计
毫米波串联接触式MEMS开关的设计(英文)被引量:1
2012年
设计并制造了一种应用于毫米波波段的串联接触式RF MEMS开关.为了在毫米波波段获得较高的隔离度,在RF MEMS开关的输入、输出端口使用细长型的接触端,以降低输入、输出端口的耦合电容.为了获得较高的接触可靠性并降低开关的开启电压,RF MEMS开关上电极结构使用蟹形梁结构.该RF MEMS开关利用南京电子器件研究所微纳米研发部的金表面工艺制备.所获得的RF MEMS开关,在30 GHz频率下,其插入损耗为-0.3 dB,隔离度为-20 dB.在20~40 GHz的频率范围内,其插入损耗均优于-0.5 dB,隔离度均优于-20 dB.
侯智昊朱锋郁元卫朱健
关键词:毫米波
小型化MEMS高通滤波器研究被引量:2
2017年
介绍了一种小型高性能的高通滤波器,该高通滤波器利用两层硅片来实现悬置带线的结构,采用立体布线和通孔的方式来接地,运用HFSS三维电磁场仿真软件设计出了一款截止频率为7.6GHz的MEMS高通滤波器,运用MEMS工艺在两层硅衬底上进行了样品的研制。样品取得了良好的测试结果,其中通带内的插入损耗小于1.2d B,通带回波损耗小于10.9d B。
朱锋陶子文郁元卫朱健
关键词:高通滤波器MEMS
毫米波串联接触式RF MEMS开关的设计与制造被引量:6
2012年
设计了一种应用于毫米波波段的串联接触式RF MEMS开关。为了在毫米波波段获得较高的隔离度,通过使用短截线结构,以降低输入输出端口的耦合电容。为了获得可靠的金属接触,设计了一种改进型的"蟹形"桥结构。测试结果显示,在30GHz,插入损耗为-0.3dB,隔离度为-20dB。在DC~40GHz的频率范围内,插入损耗优于-0.5dB,隔离度优于-20dB。所设计的串联接触式RF MEMS开关,可应用于20~40GHz的频率范围内。
侯智昊朱锋郁元卫朱健
关键词:射频微机电系统开关毫米波
共1页<1>
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