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曾韡

作品数：21 被引量：34H指数：3
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 15篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇离子束
  • 5篇聚焦离子束
  • 4篇纳米
  • 3篇芯片
  • 2篇电纺
  • 2篇电纺丝
  • 2篇电化学
  • 2篇电化学性能
  • 2篇电致发光
  • 2篇电致发光器件
  • 2篇透射
  • 2篇阈值电压
  • 2篇纳米丝
  • 2篇金属
  • 2篇发光
  • 2篇发光器件
  • 2篇仿真
  • 2篇仿真模型
  • 2篇纺丝
  • 2篇分析仪

机构

  • 21篇复旦大学

作者

  • 21篇曾韡
  • 6篇郑国祥
  • 6篇陆海纬
  • 5篇李越生
  • 5篇宋云
  • 4篇陈忠浩
  • 3篇俞宏坤
  • 2篇傅正文
  • 2篇王振雄
  • 2篇王蓓
  • 2篇彭雅芳
  • 2篇陈柳
  • 2篇江素华
  • 2篇居瓅
  • 1篇吴连生
  • 1篇华峰君
  • 1篇程君侠
  • 1篇高俊
  • 1篇周永宁
  • 1篇张火文

传媒

  • 9篇复旦学报（自...
  • 4篇固体电子学研...
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇华东电力
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇2010中国...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2019
  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 5篇2010
  • 4篇2009
  • 3篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2002
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有集电极栅的晶闸管注入型的IGBT器件及其制备方法
本发明涉及一种具有集电极栅的晶闸管注入型的IGBT器件及其制备方法，元胞结构包含：栅极区、发射极金属、N+型发射区、P型基区、P型基区下方的N‑型漂移区、N‑型漂移区下方的PNPN晶闸管型注入结构、与PNPN晶闸管型注入...
曾韡 彭奂异
大型火电机组电液伺服阀的失效分析与预防被引量：4
2002年
综合评价了电液伺服阀的失效种类及其起因 ,并提出防止电液伺服阀失效的方法和措施。对 3 0 0 MW机组一起典型的电液伺服阀泄漏案例进行了失效分析 ;发现腐蚀介质和抗燃油的污染导致了电液伺服阀产生腐蚀与磨损交互作用的失效 ,并提出了相应的防范措施和改进建议。
杨振国张鉴陈伟庆吴连生宗祥福华峰君俞宏坤曾韡
关键词：大型火电机组电液伺服阀
镧对硅纳米管生长的影响机制
2014年
采用热蒸发法,在初始反应物硅(Si)及一氧化硅(SiO)混合粉末中加入镧(La)粉,能够成功地制备出硅纳米管.La粉作为一种特殊的气化调节剂,可以通过调节气化SiO的浓度来控制一维硅纳米材料的形貌,而且在最终的产物中并没有发现任何杂质.基于三相界面优先生长模型及氧化辅助生长理论来解释这种可控生长.采用透射电子显微镜(TEM)来分析产物形貌,并通过电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)及X射线衍射(XRD)分析产物及剩余物成分.
张文文曹宇曾韡江素华
关键词：硅纳米线硅纳米管
聚焦离子束在精细加工中引起损伤的分析被引量：2
2007年
微分析技术已经成为微电子产业发展的重要技术支撑,FIB(focusedion beam)结合了精细加工技术和微分析技术,具有在亚微米线度上的微细加工和高分辨率成像的能力,成为强有力的TEM(transmission electron microscope)制样工具以及电路修补的有力工具.同时,FIB辐照对样品结构的损伤以及器件性能的影响受到广泛的关注.为使实际FIB的工作更优化,更有针对性,从而确保不同器件在FIB加工后的可靠性,从研究FIB辐射对材料结构的损伤入手,针对两种不同类型的晶体管(常规工艺NMOS晶体管和埋沟工艺PMOS晶体管),进行了FIB辐照下的电学性能对比.较常规工艺的NMOS晶体管,埋沟工艺的PMOS晶体管在跨导和迁移率等参数的变化情况与前者相似,但是在阈值电压变化,辐照损伤修复方面,后者显示出独特的性能.
宋云陆海纬王振雄郑国祥李越生曾韡
关键词：聚焦离子束阈值电压
银膜亚波长圆孔阵列仿真模型的改进
2012年
基于常规的有限元时域差分法(FDTD)对银膜亚波长圆孔阵列的光透射增强现象的模拟,与实验结果的差异较大,限制了FDTD在圆孔阵列超透射现象上的应用.采用三维全矢量FDTD,改进模拟结构,适当地选取和设置边界参数后,消除了空气介质界面的影响并大大改善了透射峰峰形,使得FDTD能清晰地反映出相关界面对光传输的作用,有利于对超透射现象进行更详尽的研究,从而指导并应用于光开关元件、滤波器等的设计和开发.对银膜亚波长圆孔阵列仿真模型的改进,有助于对超透射现象的本质研究,使建模简单、运算速度较快的FDTD方法获得更广泛的应用.此外,对周期边界参数的讨论为深入研究斜入射情况下的超透射现象提供了理论支持.
居瓅王磊曾韡
聚焦离子束溅射刻蚀与增强刻蚀的性能研究被引量：3
2006年
利用聚集离子束(F IB)对小线度下(≤3μm)的溅射刻蚀与增强刻蚀的性能进行了实验和分析。通过对硅和铝的刻蚀实验,研究在溅射刻蚀与增强刻蚀方法下刻蚀速率、蚀坑形貌与离子束流大小的关系。实验发现,铝和硅的刻蚀速率与刻蚀束流近似成线性关系;束流增大到一定程度后由于束斑变大及瞬时重淀积的作用,刻蚀速率曲线偏离线性。使用卤化物气体的增强刻蚀,硅和铝的刻蚀速率得到不同程度地提高。根据蚀坑形貌与束流大小的关系分析,发现瞬时重淀积是影响小线度刻蚀质量的主要因素。增强刻蚀大大减小了蚀坑的坑璧倾角,而坑底倾斜问题需综合考虑。
陆海纬陈忠浩王蓓宋云曾韡郑国祥
基板弯曲对P(VDF-TrFE)铁电薄膜电学性能的影响
2011年
近年来基于铁电聚合物的柔性存储器件的研制受到了越来越多的关注。铁电聚合物柔性应用的关键因素之一,在于基板弯对其电学性产生多大程度的影响,但迄今这方面的研究较少。本文研究了柔性基板弯曲对铁电聚合物薄膜电学性能的影响,通过对铁电电容结构的表征,确定了基板弯曲对铁电膜矫顽场、剩余极化、电学保持能力、电学疲劳特性和漏电流特性的影响。研究表明,在本文实验条件下基板不会对铁电聚合物的电学性能产生影响。
顾寅朱国栋蒋玉龙曾韡
关键词：铁电薄膜
静电纺丝法制备氧化锰纳米丝电极及其电化学性能被引量：12
2009年
利用静电纺丝技术成功制备了60~80nm的氧化锰纳米纤维丝,并构建了三维纳米丝网状结构电极,应用于锂离子二次电池.使用扫描电子显微镜、X射线衍射、循环伏安和电池充放电等研究手段,表征了纳米纤维丝的结构和电化学性能.研究结果发现：氧化锰构建的纳米丝在嵌锂和脱锂的过程中没有出现纳米纤维丝的结构塌陷问题,在高能量密度下表现出较大的可逆循环容量,放电容量达到160mAh/g.经过50次循环后,容量可达132.5mAh/g,平均每次循环的容量衰减在1%以下.这些结果表明了氧化锰纳米纤维丝可作为三维锂离子电池中的阴极材料.
孙柯陆海纬李达曾韡李越生傅正文
关键词：静电纺丝纳米丝氧化锰锂离子电池
N&K多功能薄膜分析仪在OLED失效分析中的应用被引量：1
2010年
使用N&K多功能薄膜分析仪对OLED的结构进行分析,对比了不同时间室温老化实验样品的反射率波谱。对反射率进行计算拟合,得到OLED的多层膜结构信息。对相同室温老化实验条件下的完好器件和失效器件的结构进行了对比,发现对于结构为ITO/NPB/Alq3/LiF/Al的器件,主要是Alq3和LiF层发生变化引起器件失效。由此也证明使用N&K多功能薄膜分析仪是OLED失效分析的有效手段。
陈柳俞宏坤曾韡彭雅芳
关键词：有机电致发光器件
金属亚波长小孔的光传输特性仿真模型被引量：1
2010年
用三维全矢量有限元时域差分方法计算了亚波长单孔以及二维周期性孔阵列的超透射特性,分析了平面波光源通过金属圆孔点阵后,透射曲线随着点阵周期、孔径、金属薄膜厚度、介质材料和金属材料变化的规律,以及局域表面等离子体和表面等离子体共振对超透射现象的影响.证实了表面等离子共振对透射曲线中透射谷的位置起到决定性作用,而透射峰的位置除了受到介质、金属材料和点阵周期的影响之外,还会随着金属薄膜的厚度的减薄和亚波长圆孔孔径的增大出现红移.用聚焦粒子束刻蚀制备了金/氧化硅演示结构,实测与仿真结果具有较好的一致性.
辛骞骞居瓅戎瑞芬曾韡
关键词：表面等离子体
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