曾学然
- 作品数：12 被引量：28H指数：3
- 供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- ZnO/MgZnO单量子阱的能带重正化与阱宽的关系被引量：3
- 2010年
- 通过室温下的时间积分光致发光(PL)谱,研究了阱宽Lw渐变的ZnO/Mg0.1Zn0.9O单量子阱在高激发强度下的能带重正化与阱宽的关系。实验中光生载流子浓度为n=1.6×1014cm-2,在Lw从2.3 nm渐变到4.3 nm,PL谱峰位的红移量从5.9 meV变化到97.1 meV。红移量随阱宽增大而增加,但增加率却逐渐减少。当Lw>2αB(αB,ZnO体材料激子玻尔半径,约为2 nm)时,红移量逐渐呈现出饱和的趋势(100 meV)。研究发现峰位的红移是由于多体效应所导致的能隙收缩以及在高的激发强度下带内填充效应的这两种机理相互竞争的结果。
- 李小龙姜小芳雷小燕丘志仁张保平丁才蓉曾学然
- 关键词：光致发光单量子阱
- 三元有序合金Ga_xIn_(1-x)P(x=0.52)的时间分辨谱被引量：4
- 2002年
- 在室温和低温下 ,测试了有序Ga0 .52 In0 .4 8P的时间分辨光致发光谱 .对实验结果的分析表明 ,有序GaInP的发光呈双指数规律衰退 .室温下 ,快过程的时间常数在 12 8～ 2 5 0ps范围 ,低温 77K下则都有所变慢 ,大约在 186～ 5 64ps范围内 ;慢过程的时间常数根据不同样品有很大差异 ,室温下大约在 3 0 8～ 183 2ps之间变化 ,低温 77K下 ,则在纳秒量级 ,最长的甚至达到 2 8ns以上 .对两个过程的时间常数随激发功率密度变化的研究表明 ,快过程对应于有序区域中载流子的复合 ,慢过程则对应于有序区域和无序区域的空间分离中心上的载流子的复合 .低温下的时间分辨谱表明 。
- 高玉琳吕毅军郑健生蔡志岗桑海宇曾学然
- 355nm YAG皮秒脉冲激光晶化非晶硅薄膜的研究被引量：3
- 2012年
- 使用355 nm YAG皮秒脉冲激光对250 nm厚的非晶硅薄膜进行激光晶化的研究,并利用金相显微镜、拉曼光谱和X射线能谱(EDS:energy dispersive spectrometer)等对晶化样品进行了分析。结果表明:随着激光脉冲能量的增加,完全熔区和部分熔区的宽度均明显增大。在所研究的脉冲能量范围内(15μJ—860μJ),所有样品的完全熔区的拉曼光谱均无非晶硅或晶体硅的特征峰,而位于完全熔区边缘的部分熔区的拉曼光谱却显示出晶体硅的特征峰,这可能是因为完全熔区接受到的激光能流密度过大,造成区内绝大部分非晶硅薄膜气化蒸发。这个推测进一步得到了X射线能谱分析结果的证实。X射线能谱分析结果表明,完全熔区的成份主要是玻璃与硅反应生成的硅化物,其表面被二氧化硅层所覆盖。
- 赖键均段春艳艾斌曾学然邓幼俊刘超沈辉
- 关键词：YAG激光非晶硅薄膜激光晶化多晶硅薄膜
- 部分有序(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P(x=0.29)合金的发光衰退过程
- 2002年
- 利用时间分辨光谱研究了 (AlxGa1-x) 0 51In0 4 9P合金的时间衰退过程 ,观察到载流子的转移过程和PL谱峰蓝移现象。这和变温发光谱中谱峰的Z 型依赖关系相吻合。这种现象明显表明了载流子的转移过程和子带的存在 ,证实了我们对超晶格带折叠效应的猜测。子带是由于有序结构的超晶格效应使导带的L带折叠到Γ带 ,载流子在时间衰退过程中从Γ带转移到L带。
- 吕毅军高玉琳郑健生蔡志岗桑海宇曾学然
- 关键词：光致发光四元合金半导体材料
- 温度对半花菁LB多层膜的光致荧光特性的影响被引量：1
- 2001年
- 利用稳态荧光谱和时间分辨荧光技术研究了温度对半花菁Langmuir Blodgett(LB)多层膜光致荧光特性的影响。半花菁分子在半花菁 /花生酸、半花菁 /花生酸镉交替及纯半花菁Z 型LB多层膜中均形成了H 聚集体 ,加热能使聚集体部分离解。由于Z 型膜中没有花生酸或花生酸镉的屏蔽 ,分子间具有较强的偶极相互作用 ,加热使聚集体的离解的程度较小。
- 王文军姜永强徐建华李淑红陆兴泽蔡志岗王恭明王文澄陈文旋曾学然
- 关键词：时间分辨荧光温度
- 皮秒双脉冲LA-LIBS对合金样品的微损元素分析被引量：4
- 2017年
- 研究了基于一台皮秒Nd∶YAG激光器实现合金样品的双脉冲激光剥离-激光诱导击穿光谱(LALIBS)微损元素分析。实验采用低能量的532nm二倍频激光烧蚀并剥离出微量样品,然后采用较高能量的延时1064nm激光对剥离出的样品进行二次激发,以增强等离子体中的原子辐射强度和提高光谱检测灵敏度。实验分别研究了烧蚀激光脉冲和二次激发光脉冲的能量对信号强度的影响。在烧蚀激光脉冲能量为10μJ,二次激发光脉冲能量为2.5mJ的条件下,LA-LIBS中CuⅠ324.75nm原子谱线的强度与单脉冲LIBS相比改善了86倍,激光烧蚀坑洞的直径小于10μm。研究表明:基于一台皮秒Nd∶YAG激光器,采用双脉冲LA-LIBS技术可以较好地实现对固体样品的微损元素分析。该技术在贵重样品分析和高空间分辨的二维元素显微分析中具有一定的应用价值。
- 王福娟李润华王自鑫曾学然蔡志岗周建英
- 关键词：双脉冲微损伤
- 新型Ru配合物三阶非线性光学性质的Z-扫描研究被引量：8
- 2000年
- 通过Z 扫描的实验方法测量了几种新型的Ru配合物在 46 0nm处的三阶非线性折射率n2 和非线性吸收系数 β ,并由此计算出它们的三阶非线性系数 χ( 3) .
- 肖万能李润华曾学然周达君周建英巢晖叶保辉计亮年
- 关键词：钌配合物三阶非线性光学性质Z-扫描
- 三元合金Ga_(0.52)In_(0.48)P的时间分辨发光谱
- 2002年
- 在室温和低温液氮下 ,研究了有序和无序 Ga0 .52 In0 .4 8P的时间分辨发光谱。对实验结果的拟合表明 ,有序 Ga0 .52 In0 .4 8P的发光呈双指数规律衰退。其中快过程对应着有序区域上载流子的复合 ,慢过程则对应着有序区域和无序区域的空间分离中心上载流子的复合。无序 Ga0 .52 In0 .4 8P的发光在室温下呈单指数规律衰退。同时从低温下的时间分辨发光谱还可以看出有序样品的发光峰随着延迟时间的变长而蓝移 ,说明低温下在有序 Ga0 .52In0 .4
- 高玉琳吕毅军郑建生蔡志岗桑海宇曾学然
- 稀土离子电子振动光谱高灵敏检测技术——稀溶液中氨基酸与稀土的配位研究被引量：1
- 1999年
- 叙述了稀土离子电子振动光谱的时间分辨高灵敏检测技术，并利用该技术研究了铽离子与精氨酸在稀溶液中的配位，定量地确定了水配位随溶液ｐＨ值的改变而发生的变化。结果表明，当ｐＨ＞１时，精氨酸可以参与铽离子配位，随着ｐＨ值的增加配位逐渐加强。
- 李润华孟建新曾学然周达君周建英
- 关键词：电子振动光谱高灵敏检测稀土离子
- 用耦合的电子振动光谱探测稀土离子的配位环境被引量：1
- 1997年
- 随着世界人口的急剧增长，粮食已经成为一个至关重要的问题，曾有报道表明。
- 李润华孟建新周建英曾学然罗琦周达君
- 关键词：电子振动光谱稀土离子配位环境配合物
