您的位置: 专家智库 > >

徐剑虹

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:合肥低温电子研究所更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇淀积
  • 1篇晶态
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶态
  • 1篇NB
  • 1篇PECVD法
  • 1篇PECVD法...
  • 1篇ALO
  • 1篇JOSEPH...
  • 1篇超导
  • 1篇超导膜

机构

  • 1篇北京大学
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇合肥低温电子...

作者

  • 2篇徐剑虹
  • 1篇张朝兴
  • 1篇陈坤基
  • 1篇盛文伟
  • 1篇汤延林
  • 1篇蔡安江

传媒

  • 1篇低温与超导
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1991
  • 1篇1990
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
超导Nb膜的淀积及Nb/Al-AlO_X/Nb Josephson结的制备
1991年
使用低温泵真空系统的平面磁控溅射设备,通过严格控制溅射条件和溅射过程,成功地淀积了室温—液氮电阻比β优于2.2的超导Nb膜。沿用湿法刻蚀技术,制备了面积为4×4μm^2的Nb/Al-AlO_x/Nb Josephson结;并在本所自行研制的4.4K闭循环制冷机上观察到了较为理想的Josephson效应。
徐剑虹蔡安江刘萍梅汤延林刘新华王吉云宫海燕张朝兴
关键词:超导膜淀积
用PECVD法制备非晶态GaP薄膜
1990年
非晶态半导体材料是一种新型的电子材料,由于它具有特殊的物理性质,使非晶态半导体研究成为较热门的课题之一.对氢化非晶硅(α-Si:H),非晶锗(α-Ge)及非晶态硫系材料的研究已进入较深入的阶段,并应用于器件制作.但对非晶态Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,由于其结构无序和化学无序同时存在,给研究工作带来很大困难,对它们的研究仅限于物理性质的探索.
徐剑虹盛文伟熊承堃朱恩均陈坤基
关键词:非晶态PECVD法
共1页<1>
聚类工具0