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席俊

作品数：3 被引量：16H指数：2
供职机构：清华大学材料科学与工程系更多>>
相关领域：化学工程建筑科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇建筑科学

主题

  • 3篇陶瓷
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇陶瓷材料
  • 1篇氮化硅陶瓷
  • 1篇应力
  • 1篇碳化硅
  • 1篇工程陶瓷
  • 1篇工程陶瓷材料
  • 1篇复合材料
  • 1篇复合材

机构

  • 3篇清华大学

作者

  • 3篇席俊
  • 3篇关振铎
  • 1篇陈建平

传媒

  • 2篇硅酸盐学报
  • 1篇现代技术陶瓷

年份

  • 2篇1997
  • 1篇1995
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
压痕残余应力对氮化硅基复合材料阻力曲线行为的影响被引量：5
1997年
通过压痕小裂纹直接量测法获得ＴｉＣ，ＴｉＮ／Ｓｉ３Ｎ４复合材料的阻力曲线，采用更具合理性的指数经验公式拟合处理实验数据，初步探讨了Ｋ∞，Ｋ＊Ｒ，ΔＣ＊等参数的物理意义。对压痕残余应力消除前后的实验结果进行比较，发现压痕残余应力的消除，提高了材料的极限断裂韧性值Ｋ＊Ｒ，却大大减少了裂纹稳态生长的容限，使得材料的脆性行为更为突出。作为对比，基体材料的阻力曲线也一并进行了测量和研究。
席俊关振铎蔡琳
关键词：复合材料氮化硅陶瓷应力
陶瓷材料小裂纹阻力曲线拟合参数的研究被引量：10
1997年
利用压痕裂纹扩展法获得ＴｉＣ，ＴｉＮ／Ｓｉ３Ｎ４复合材料的阻力曲线，采用指数经验公式拟合处理实验数据，探讨了公式中各参数的物理意义和影响因素。结果表明：指数经验公式拟合参数与材料的性能之间存在着密切联系。
陈建平席俊关振铎
关键词：陶瓷
工程陶瓷材料的阻力曲线行为被引量：1
1995年
本文简要说明了工程陶瓷材料裂纹扩展阻力曲线(R—Curve)行为的理论基础,阐述了陶瓷材料阻力曲线行为研究的历史和现状,并对目前研究中存在的问题做了评述,提出了进一步探讨的方向。
席俊关振铎
关键词：陶瓷材料工程陶瓷氮化硅碳化硅
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共1页<1>
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