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宋琦

作品数:29 被引量:69H指数:5
供职机构:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金辽宁省教育厅资助项目辽宁省科技厅资助项目更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程化学工程更多>>

文献类型

  • 20篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 14篇理学
  • 13篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 10篇掺铒
  • 9篇放大器
  • 8篇波导
  • 8篇波导放大器
  • 7篇光波
  • 7篇光波导放大器
  • 6篇增益
  • 6篇光致
  • 6篇光致发光
  • 6篇发光
  • 5篇AL
  • 4篇氧化铝薄膜
  • 4篇净增益
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇碳化硅
  • 3篇中频磁控溅射
  • 3篇离子辅助沉积
  • 3篇光谱
  • 3篇改性

机构

  • 18篇大连理工大学
  • 11篇中国科学院长...
  • 4篇辽宁师范大学
  • 2篇海军驻长春地...

作者

  • 29篇宋琦
  • 16篇李成仁
  • 16篇李淑凤
  • 16篇宋昌烈
  • 12篇李建勇
  • 11篇高劲松
  • 11篇王彤彤
  • 9篇王笑夷
  • 9篇陈红
  • 7篇申振峰
  • 6篇高景生
  • 5篇郑宣鸣
  • 4篇郑宣明
  • 4篇李国卿
  • 3篇雷明凯
  • 3篇范镝
  • 3篇单兆会
  • 2篇黄开玉
  • 2篇周松强
  • 1篇徐颖

传媒

  • 5篇光学技术
  • 3篇光子学报
  • 2篇光学精密工程
  • 2篇激光技术
  • 2篇半导体光电
  • 2篇光学仪器
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇物理学报
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇2007年国...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 4篇2008
  • 3篇2007
  • 6篇2006
  • 10篇2005
  • 4篇2004
29 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高掺铒硅酸盐玻璃样品净增益特性测量被引量:2
2004年
实验测量了高掺铒硅酸盐玻璃样品的吸收谱、光致发光谱,计算出信号光的净增益。结果表明:随泵浦功率的增大,净增益先呈线性增加后逐渐出现饱和;对样品的掺铒浓度、泵浦功率进行了比较优化;掺铒浓度0.8at%的样品得到了最大3.9dB的净增益。
高景生宋昌烈李成仁李淑凤饶文雄宋琦
关键词:光致发光谱波导放大器净增益
中频溅射技术沉积镱铒共掺Al_2O_3薄膜光致发光被引量:13
2004年
用中频孪生靶溅射法在硅片上制备了镱铒共掺氧化铝薄膜(2cm×2cm),在室温下检测到薄膜的位于1535nm的很强的光致发光光谱(PL),讨论了泵浦功率、镱铒共掺比例、退火温度对光致发光光谱强度的影响。扫描电镜(SEM)观察分析表明,中频孪生靶溅射法沉积的薄膜致密、均匀、光学缺陷少。实验结果表明:镱铒共掺薄膜的荧光强度不随泵浦功率的增加而饱和,最佳的镱铒共掺杂比例9∶1,最佳退火温度850℃,对各种实验结果给出了理论的解释。
高景生宋昌烈李成仁李淑凤宋琦黄开玉李国卿
关键词:泵浦功率光致发光光谱AL2O3薄膜溅射法退火温度氧化铝薄膜
空间用碳化硅反射镜表面改性
应用于空间的反射镜基底材料碳化硅对表面粗糙度有很高的要求,反应烧结碳化硅作为最常用的碳化硅基底材料,因烧结过程中导致的孔洞,以及硅和碳化硅抛光速率的不同,难以获得良好的表面粗糙度.通过在反应烧结碳化硅基底上镀制一层厚膜,...
高劲松王彤彤宋琦王笑夷陈红郑宣鸣范镝
关键词:碳化硅表面改性
文献传递
一种掺铒/铒、镱共掺氧化铝光波导放大器的制备方法
本发明属于光通信技术中有源光放大器件领域,具体涉及到一种掺铒/铒、镱共掺氧化铝光波导放大器的制备方法。其特征是利用中频等离子体磁控溅射方法制备掺铒/铒、镱共掺氧化铝薄膜,对制备的薄膜进行退火处理、并利用掩膜刻蚀经过,1)...
李成仁宋琦宋昌烈李建勇李淑凤
文献传递
时域有限差分法在一维光子晶体数值模拟方面的研究被引量:1
2006年
介绍了时域有限差分法的基本原理,并对一维光子晶体薄膜中传播的电磁场作了模拟和分析。通过对光子晶体透射谱的研究,讨论了不同周期数和不同介电常数比对光子晶体带隙的影响,最后通过在周期介质层状结构中引入缺陷层构造了光子缺陷态。
宋琦高劲松王笑夷王彤彤陈红郑宣鸣申振峰凌伟
关键词:时域有限差分法光子晶体缺陷态
离子辅助制备碳化硅改性薄膜被引量:21
2008年
介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发,在反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料上制备硅改性薄膜的方法,研究了不同沉积速率下薄膜改性后的抛光效果。对样品进行了表面散射及反射的测量。通过样品的显微照片可知,硅膜层在沉积速率增大的条件下结构趋于疏松。在精细抛光镀制有硅改性薄膜的反应烧结碳化硅样品后,表面散射系数减小到1.46%,反射率接近抛光良好的微晶玻璃。温度冲击实验和表面拉力实验表明:硅膜无龟裂和脱落,性质稳定,与碳化硅基底结合良好。
陈红高劲松宋琦王彤彤申振峰王笑夷郑宣鸣范镝
关键词:反应烧结碳化硅表面改性离子辅助沉积
掺铒、镱铒共掺杂硅酸盐玻璃光致发光强度随泵浦波长的变化被引量:1
2004年
利用半导体激光器的红移特性,测量了掺饵、镱铒共掺杂硅酸盐玻璃样品的光致发光强度随泵浦波长的变化。实验结果表明,掺铒硅酸盐玻璃样品的最佳泵浦波长为981.6nm,镱铒共掺杂硅酸盐玻璃样品的最佳泵浦波长为972.1nm;两种样品的-3dB带宽分别为3 6nm和7.4nm。
李成仁宋昌烈李淑凤高景生宋琦
关键词:掺铒泵浦波长
RLVIP技术制备Ge1-xCx薄膜的X射线光电子能谱被引量:3
2008年
应用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上沉积了Ge1-xCx巴薄膜。制备过程中,低压等离子源作为辅助等离子源,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体,在相同的沉积条件下以不同的沉积速率制备了c含量(x)从0.23到0.78的Ge1-xCx薄膜。X射线衍射测试表明制备的Ge1-xCx薄膜为无定形结构。用X射线光电子能谱研究了不同C含量下Ge1-xCx薄膜中C的化学键合变化。研究结果表明:当x〉0.78时,成键为c-H键;当x为0.53~0.62时,成键为c-c键;当x〈0.47时,成键为Ge-C键。
王彤彤高劲松宋琦王笑夷陈红郑宣鸣申振峰
关键词:X射线光电子能谱离子辅助沉积
Yb:Er共掺Al/_2O/_3光波导放大器制备工艺及非均匀掺铒光波导理论设计
分别利用中频磁控溅射/(MFS/)方法和微波电子回旋共振/(ECR-MW/)等离子体方法制备了Yb:Er共掺Al/_2O/_3薄膜,研究了氧气与氩气比例、样品荧光谱强度、最佳Yb:Er比例、最佳退火温度、样品表面形貌等性...
宋琦
关键词:中频磁控溅射
文献传递
掺铒Al_2O_3薄膜的性能与制备被引量:2
2004年
简述了几种Al2O3薄膜的制备方法,使用中频孪生靶非平衡磁控溅射系统制备了掺铒Al2O3薄膜,并对其进行检测,结果表明该方法制备的薄膜适于制作光纤放大器。
黄开玉李国卿柳翠高景生宋琦王丽阁
关键词:掺铒AL2O3薄膜光致发光磁控溅射
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