您的位置： 专家智库 > >

孙兵

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：医药卫生自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇医药卫生
  • 1篇电子电信

主题

  • 11篇存储器
  • 6篇肖特基
  • 6篇肖特基二极管
  • 6篇二极管
  • 4篇驱动电流
  • 4篇半导体
  • 4篇存储器件
  • 3篇电极
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇体型
  • 2篇体型结构
  • 2篇微电子
  • 2篇围合
  • 2篇细丝
  • 2篇小尺寸
  • 2篇芯片
  • 2篇料层
  • 2篇金属薄膜
  • 2篇壳体

机构

  • 13篇北京大学

作者

  • 13篇孙兵
  • 10篇刘力锋
  • 10篇康晋锋
  • 8篇高滨
  • 8篇韩汝琦
  • 4篇王漪
  • 4篇陈沅沙
  • 2篇段慧玲
  • 2篇余诗孟
  • 2篇周旭
  • 2篇王阳元
  • 2篇杨竞峰
  • 2篇吕鹏宇

年份

  • 2篇2023
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2008
共 13 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
阻变随机访问存储器件及制造方法
本申请公开了一种阻变随机访问存储器件及其制造方法，该阻变随机访问存储器件包括设置在位线和字线之间的存储单元，所述存储单元包括阻变元件，以及肖特基二极管，所述肖特基二极管与所述阻变元件串联连接，其中，所述肖特基包括彼此接触...
康晋锋高滨陈沅沙孙兵刘力锋刘晓彦韩汝琦
一种具有稳定阻变特性的材料及阻变存储器
本发明公开了一种具有稳定阻变特性的材料及阻变存储器，属于半导体非挥发性存储器技术领域。该材料为掺入+3价金属元素离子的HfO<Sub>2</Sub>、ZrO<Sub>2</Sub>或CeO<Sub>2</Sub>薄膜。阻...
康晋锋杨竞峰刘力锋孙兵刘晓彦王漪韩汝琦王阳元
文献传递
一种阻变层和具有该阻变层的阻变存储器及制备工艺
本发明涉及微电子半导体技术领域，公开了一种阻变层和具有该阻变层的阻变存储器及制备工艺。通过在阻变存储器的底电极上连续淀积三层金属薄膜形成合金层，然后形成阻变层的工艺方法，实现了对阻变层中细丝导电通道产生的有效控制，从而改...
康晋锋高滨余诗孟刘力锋孙兵 刘晓彦韩汝琦
文献传递
航行器
本申请公开了一种航行器。航行器包括壳体、机翼以及复位件，壳体包括壁部和由壁部围合形成的容纳空间，壁部上设置有在第一方向上贯穿设置的第一摆动槽；机翼分设于壳体在第一方向上的两侧，机翼包括第一支架、第二支架、第三支架以及连接...
段慧玲孙兵李宏源吕鹏宇周旭
阻变存储器存储单元及其制备方法
本发明具体涉及一种阻变存储器存储单元及其制备方法，属于非挥发性存储器件技术领域。为解决小尺寸下传统平面肖特基二极管驱动电流不足的缺点，本发明提供一种阻变存储器存储单元，包括单晶硅衬底以及阻变存储材料层，所述存储单元还包括...
康晋锋孙兵高滨刘力锋刘晓彦王漪
阻变存储器特性及其机制研究
阻变存储器（RRAM）是一种基于介质材料阻变效应的新型存储器技术，是当前微电子集成电路技术领域前沿的研究热点之一。所谓的阻变效应是指某些电介质材料受外加电场控制而在不同电阻阻态间发生可逆转变的现象。到目前为止已经在多种介...
孙兵
一种阻变层和具有该阻变层的阻变存储器及制备工艺
本发明涉及微电子半导体技术领域，公开了一种阻变层和具有该阻变层的阻变存储器及制备工艺。通过在阻变存储器的底电极上连续淀积三层金属薄膜形成合金层，然后形成阻变层的工艺方法，实现了对阻变层中细丝导电通道产生的有效控制，从而改...
康晋锋高滨余诗孟刘力锋孙兵 刘晓彦韩汝琦
阻变随机访问存储器件及制造方法
本申请公开了一种阻变随机访问存储器件及其制造方法，该阻变随机访问存储器件包括设置在位线和字线之间的存储单元，所述存储单元包括阻变元件，以及肖特基二极管，所述肖特基二极管与所述阻变元件串联连接，其中，所述肖特基包括彼此接触...
康晋锋高滨陈沅沙孙兵刘力锋刘晓彦韩汝琦
文献传递
航行器
本申请公开了一种航行器。航行器包括壳体、机翼以及复位件，壳体包括壁部和由壁部围合形成的容纳空间，壁部上设置有在第一方向上贯穿设置的第一摆动槽；机翼分设于壳体在第一方向上的两侧，机翼包括第一支架、第二支架、第三支架以及连接...
段慧玲孙兵李宏源吕鹏宇周旭
阻变存储器存储单元的制备方法
本发明具体涉及一种阻变存储器存储单元及其制备方法，属于非挥发性存储器件技术领域。为解决小尺寸下传统平面肖特基二极管驱动电流不足的缺点，本发明提供一种阻变存储器存储单元，包括单晶硅衬底以及阻变存储材料层，所述存储单元还包括...
康晋锋孙兵高滨刘力锋刘晓彦王漪
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0