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文献类型

  • 2篇中文专利

主题

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  • 2篇集电极
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  • 2篇发射极
  • 2篇衬底

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇何进
  • 2篇林信南
  • 2篇吴佳珍
  • 2篇江兴川
  • 2篇李志贵

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种超结绝缘栅双极型晶体管
本发明公开了一种超结绝缘栅双极型晶体管,包括P型衬底、N型基区、P柱和有源区,有源区包括P阱体区,P+阱区和N+阱区;P型衬底下端设置有电极,作为集电极引出;P型衬底上端为N型基区,N型基区内部一侧设置有P柱,P柱上方设...
吴佳珍江兴川李志贵林信南何进
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一种超结绝缘栅双极型晶体管
本发明公开了一种超结绝缘栅双极型晶体管,包括P型衬底、N型基区、P柱和有源区,有源区包括P阱体区,P+阱区和N+阱区;P型衬底下端设置有电极,作为集电极引出;P型衬底上端为N型基区,N型基区内部一侧设置有P柱,P柱上方设...
吴佳珍江兴川李志贵林信南何进
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共1页<1>
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