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卜晓峰

作品数：57 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 57篇中文专利

领域

  • 13篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...

主题

  • 31篇介质
  • 31篇复合介质
  • 30篇介质栅
  • 16篇晶体管
  • 15篇光电
  • 11篇光电子
  • 10篇探测器
  • 8篇MOSFET
  • 7篇绝缘
  • 7篇成像
  • 6篇电荷耦合
  • 6篇栅结构
  • 6篇绝缘介质
  • 6篇感器
  • 6篇暗电流
  • 6篇传感
  • 6篇传感器
  • 5篇读出
  • 5篇浮栅
  • 5篇感光

机构

  • 57篇南京大学

作者

  • 57篇卜晓峰
  • 55篇马浩文
  • 55篇闫锋
  • 20篇吴福伟
  • 20篇夏好广
  • 17篇杨程
  • 16篇张丽敏
  • 15篇毛成
  • 11篇陈辉
  • 10篇刘泉
  • 7篇胡悦
  • 6篇司向东
  • 6篇曹旭
  • 4篇张佳辰
  • 3篇徐跃
  • 3篇沈忱
  • 2篇潘红兵
  • 2篇王凯
  • 2篇施毅
  • 2篇高宏

年份

  • 7篇2024
  • 12篇2023
  • 1篇2021
  • 4篇2020
  • 5篇2019
  • 6篇2018
  • 2篇2017
  • 8篇2015
  • 1篇2014
  • 8篇2013
  • 3篇2012
共 57 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
光电计算单元和光电计算组件
本实用新型公开了一种高光电转换效率的光电计算单元及光电计算组件。本实用新型所述的光电计算单元包括在衬底收集区上依次形成的、包括底层介质层，电荷耦合层、顶层介质层和控制栅极的栅极区域，以及在同样衬底收集区上形成、且位于所述...
潘红兵宋年华李张南王宇宣卜晓峰马浩文赵文翔何展梁佳宝
多增益模式的复合介质栅双晶体管光敏探测器及方法
本发明提供了一种多增益模式的复合介质栅双晶体管光敏探测器及方法。该探测器包括用于感光的复合介质栅电容和用于读出的复合介质栅晶体管，复合介质栅电容包括衬底、第一底层介质层、第一电荷耦合层、第一顶层介质层和控制栅；该光敏探测...
马浩文沈凡翔闫锋卜晓峰王凯王子豪李张南胡心怡顾郅扬陈辉常峻淞
一种基于复合介质栅MOSFET的多模态双晶体管光敏探测器
基于复合介质栅MOSFET的多模态双晶体管光敏探测器，所述MOS电容感光晶体管作为光敏单元；所述MOSFET读取晶体管和与此MOSFET读取晶体管相邻的所述MOS电容感光晶体管组成基本包括多列MOS电容组成的感光晶体管和...
高宏闫锋张丽敏马浩文卜晓峰杨程毛成
文献传递
复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法
本发明公开了一种复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法，具体过程如下：通过FN隧穿的方法将阵列中所有像元的阈值电压先注入提高到3V左右，再用FN方式使电压降低到0.5V左右，最后再通过FN隧穿注入的方式把成像阵列中所...
司向东闫锋吴福伟夏好广马浩文卜晓峰刘佰清
一种单读取管多感光管的复合介质栅光敏探测器
本发明公开了一种单读取管多感光管的复合介质栅光敏探测器，属于集成电路领域。所述复合介质栅光敏探测器具有单读取管多感光管的结构，针对该新型结构，本申请特别设计了复合介质栅的结构，使得多个感光晶体管共用一个读取晶体管，从而节...
闫锋刘泉陈辉常峻淞王子豪沈凡翔胡心怡程方龙高党辉段爽马浩文卜晓峰
一种复合介质栅电容耦合变增益光敏探测器及其工作方法
本发明公开了一种复合介质栅电容耦合变增益光敏探测器及其工作方法。其探测器单元包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅晶体管，复合介质栅MOS电容实现探测器的感光功能，复合介质栅晶体管实现探测器的...
马浩文李煜乾黄枝建孔祥顺毛成杨程卜晓峰张丽敏闫锋
文献传递
分裂栅型MOSFET成像探测器及其操作方法
本发明提出一种分裂栅型MOSFET成像探测器及其操作方法，分裂栅型MOSFET结构为在P型衬底正上发设有两层绝缘介质层和控制栅极，两层绝缘介质层之间设有光电子存储层；控制栅极的两侧设有选择栅极，将控制栅极所控制的衬底与探...
卜晓峰闫锋夏好广吴福伟马浩文司向东张佳辰
文献传递
降低暗电流的复合介质栅光敏探测器及其工作方法
本发明公开了一种有效降低暗电流的复合介质栅光敏探测器及其工作方法。其探测器单元包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅MOSFET部分，在P型半导体衬底中形成N型掺杂区，仅在N型掺杂区和复合介质...
闫锋陈辉王子豪沈凡翔胡心怡常峻淞刘泉朱千琳程方龙段爽高党辉马浩文卜晓峰
基于光敏复合介质栅MOSFET探测器的彩色成像方法
基于光敏复合介质栅MOSFET探测器的彩色成像方法，在栅极上加不同的电压脉冲，使MOSFET工作在深耗尽状态，根据所加栅极电压不同使耗尽区的深度不同，以此结合不同波长的光在硅中的穿透深度不同的原理，将入射光中的红、绿、蓝...
闫锋卜晓峰胡悦吴福伟夏好广马浩文
文献传递
PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器
PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器，探测器结构包括硅(Si)衬底(1)，衬底正上方为一层绝缘介质称为体绝缘层(2)，体绝缘层正上方为掺杂不同的半导体薄膜层形成P型源极(3)和N型漏极(4)，在源极漏极分界处源极一侧正上方从...
闫锋夏好广卜晓峰徐跃吴福伟马浩文
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